【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
1、目前通常采用等离子刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积等工艺对半导体工艺件或衬底进行微加工，例如制造柔性显示屏、平板显示器、发光二极管、太阳能电池等。微加工制造的不同步骤可以包括等离子体辅助工艺，如晶圆边缘刻蚀工艺，这种工艺一般在真空反应腔内进行，通过将晶圆的中心区域保护起来，只在晶圆的边缘附近产生等离子体，以刻蚀掉晶圆边缘所不需要的沉积物质。
2、为了保证晶圆刻蚀的均匀性及刻蚀效果，需保证晶圆水平放置，以保证工艺刻蚀的均匀性，另外也要保证上电极组件和下电极组件的同心度，使两者之间的刻蚀区域重合，以保证晶圆边缘的刻蚀效果。
3、在传送晶圆进出真空反应腔时，上电极组件抬起；对晶圆进行处理时，上电极组件下降并与晶圆之间留下微小的间距。因此，上电极组件在下降到晶圆附近时，需要与晶圆、下电极组件保持极高的同心度，使得晶圆边缘暴露在等离子体中的部分在圆周方向对称，才能得到均匀的刻蚀，以保证斜边刻蚀(bevel etch)的效果。
4、在等离子体处理装置中上电极组件通常与真空反应腔的腔体端盖连接，日常运维工作时，需要经常打开腔体端盖对腔内结构进行调整，腔体端盖每次翻转开关后都需要重新对其进行对中调整以及与上电极组件的联动，以使上电极组件与晶圆保持较高的同心度，但其花费时间较久可能会影响等离子体处理装置的工作时长。另外，腔体端盖多次翻转开关后与之连接的上电极组件可能会发生偏移，即使腔体端盖完成对中调整后，晶圆边缘刻蚀区域也会出现偏差，影
5、这里的陈述仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然地构成现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种等离子体处理装置，通过驱动机构驱动上电极组件中的边缘环相对于上电极作水平方向上的移动，调整上电极组件的同心度，进而调整上电极组件与晶圆之间的同心度，使得晶圆边缘暴露于等离子体中的部分在圆周方向上对称，晶圆边缘得以均匀刻蚀。
2、为了实现上述目的，本专利技术提出了一种等离子体处理装置，包括：
3、真空反应腔；
4、下电极组件，其位于所述真空反应腔底部，用于承载晶圆；
5、可上下移动的上电极组件，其与所述下电极组件相对设置；所述上电极组件包括下端具有凸台部的上电极和环绕所述凸台部的边缘环；
6、至少两组驱动机构，所述驱动机构位于所述上电极上，所述驱动机构的末端可沿水平方向移动并与所述边缘环连接，所述驱动机构用于驱动所述边缘环相对于所述上电极在水平方向上移动，从而调整所述边缘环与所述晶圆之间的相对位置。
7、可选地，所述边缘环包括至少两个相互分立的圆弧部，每个所述圆弧部上至少连接一组所述驱动机构。
8、可选地，所述圆弧部的两端设置台阶部，相邻两个圆弧部的台阶部的形状相匹配。
9、可选地，所述台阶部的长度大于所述边缘环可沿径向移动的距离。
10、可选地，所述驱动机构包括移动组件，所述移动组件的一端固定在所述上电极上并延伸出所述真空反应腔，其另一端穿设于所述上电极内并与所述边缘环固定连接。
11、可选地，所述驱动机构包括移动组件及至少一组复位组件；所述移动组件的一端固定在所述上电极上并延伸出所述真空反应腔，其另一端穿设于所述上电极内并与所述边缘环的内侧接触式连接，用于驱动所述边缘环相对于所述下电极作第一方向上的移动；所述复位组件用于驱动所述边缘环相对于所述下电极作第二方向上的移动。
12、可选地，所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
13、可选地，所述复位组件设置在所述上电极内，并与所述边缘环的内侧接触式连接。
14、可选地，所述复位组件设置在所述边缘环内，并与所述上电极接触式连接。
15、可选地，所述复位组件设置于所述边缘环远离所述凸台部的一端的外侧，并与所述边缘环的外侧固定连接。
16、可选地，所述移动组件包括：
17、第一移动单元，所述第一移动单元位于真空反应腔外，并真空密封安装在所述上电极上，用于提供垂直方向上的驱动力；
18、第二移动单元，所述第二移动单元穿设于所述上电极内，并与所述第一移动单元连接，用于将垂直方向上的驱动力转化为水平方向上的驱动力，从而驱动边缘环相对于所述上电极移动。
19、可选地，所述第一移动单元包括：
20、真空套管，其一端固定在所述上电极的上表面；
21、微距调节器，其密封安装在所述真空套管的另一端，所述微距调节器包括一测杆；
22、顶推部件，所述顶推部件位于所述真空套管内，并与所述测杆连接，所述顶推部件在所述微距调节器的作用下可做垂直方向上的移动。
23、可选地，所述顶推部件包括与所述测杆固定连接的第一顶杆。
24、可选地，所述顶推部件包括：
25、顶板，其位于所述测杆的下方；
26、第一顶杆，其固定在所述顶板的下方；
27、第一弹性部件，其固定在所述顶板与真空套管之间，并环绕所述第一顶杆。
28、可选地，所述真空套管包括由所述真空套管内壁向外延伸的限位部，所述第一弹性部件固定在所述顶板及所述限位部之间。
29、可选地，所述第二移动单元包括：
30、l型衬套管，其包括短边方向上的第一衬套管，及长边方向上的第二衬套管；
31、位于所述第一衬套管内的楔形块，其具有一楔形面，所述楔形块与所述顶推部件连接；
32、位于所述楔形块底部的第二弹性部件；
33、位于所述第二衬套管内的第二顶杆，所述第二顶杆的一端与所述楔形块的楔形面接触，另一端延伸出所述第二衬套管；
34、第三弹性部件，其套设在所述第二顶杆上，并位于所述第二顶杆与第二衬套管之间。
35、可选地，所述复位组件包括：第三衬套管，位于所述第三衬套管内的第三顶杆及第四弹性部件，所述第四弹性部件固定在所述第三顶杆和第三衬套管的内壁之间，所述第三顶杆延伸出所述第三衬套管。
36、可选地，所述第一弹性部件或第二弹性部件或第三弹性部件始终处于压缩状态。
37、可选地，所述第一弹性部件或第二弹性部件或所述第三弹性部包括但不限于弹簧、波纹管及弹性圈。
38、可选地，所述第四弹性部包括但不限于弹簧、波纹管及弹性圈。
39、可选地，所述微距调节器为螺旋测微器。
40、本专利技术具有以下有益效果：
41、(1)本专利技术在上电极上设置多组驱动机构，所述驱动机构的末端可在水平方向上移动，并与边缘环连接，当所述驱动机构的末端移动时，可以驱动边缘环相对于上电极做相同方向上的水平移动，通过调节驱动机构的位移大小，可以调节边缘环的位移大小，进而调整边缘环与上电极之间的相对位置，使得边缘环和上电极的中心轴线重合，保证上电极组件具有极高的同心度，同时可以本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘环包括至少两个相互分立的圆弧部，每个所述圆弧部上至少连接一组所述驱动机构。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述圆弧部的两端设置台阶部，相邻两个圆弧部的台阶部的形状相匹配。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述台阶部的长度大于所述边缘环可沿径向移动的距离。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动机构包括移动组件，所述移动组件的一端固定在所述上电极上并延伸出所述真空反应腔，其另一端穿设于所述上电极内并与所述边缘环固定连接。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动机构包括移动组件及至少一组复位组件；所述移动组件的一端固定在所述上电极上并延伸出所述真空反应腔，其另一端穿设于所述上电极内并与所述边缘环的内侧接触式连接，用于驱动所述边缘环相对于所述上电极作第一方向上的移动；所述复位组件用于驱动所述边缘环相对于所述上电极作第二方向上的移动。>
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
8.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件设置在所述凸台部内，并与所述边缘环的内侧接触式连接。
9.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件设置在所述边缘环内，并与所述凸台部接触式连接。
10.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件设置于所述边缘环远离所述凸台部的一端的外侧，并与所述边缘环的外侧固定连接。
11.如权利要求5或6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述移动组件包括：
12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一移动单元包括：
13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述顶推部件包括与所述测杆固定连接的第一顶杆。
14.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述顶推部件包括：
15.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述真空套管包括由所述真空套管内壁向外延伸的限位部，所述第一弹性部件固定在所述顶板及所述限位部之间。
16.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二移动单元包括：
17.如权利要求8或9或10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件包括：第三衬套管，位于所述第三衬套管内的第三顶杆及第四弹性部件，所述第四弹性部件固定在所述第三顶杆和第三衬套管的内壁之间，所述第三顶杆延伸出所述第三衬套管。
18.如权利要求14或16所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一弹性部件、第二弹性部件、第三弹性部件始终处于压缩状态。
19.如权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第四弹性部件始终处于压缩或拉伸状态。
20.如权利要求14或16所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一弹性部件或第二弹性部件或第三弹性部件包括但不限于弹簧、波纹管及弹性圈。
21.如权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第四弹性部件包括但不限于弹簧、波纹管及弹性圈。
22.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述微距调节器为螺旋测微器。
...【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘环包括至少两个相互分立的圆弧部，每个所述圆弧部上至少连接一组所述驱动机构。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述圆弧部的两端设置台阶部，相邻两个圆弧部的台阶部的形状相匹配。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述台阶部的长度大于所述边缘环可沿径向移动的距离。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动机构包括移动组件，所述移动组件的一端固定在所述上电极上并延伸出所述真空反应腔，其另一端穿设于所述上电极内并与所述边缘环固定连接。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动机构包括移动组件及至少一组复位组件；所述移动组件的一端固定在所述上电极上并延伸出所述真空反应腔，其另一端穿设于所述上电极内并与所述边缘环的内侧接触式连接，用于驱动所述边缘环相对于所述上电极作第一方向上的移动；所述复位组件用于驱动所述边缘环相对于所述上电极作第二方向上的移动。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
8.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件设置在所述凸台部内，并与所述边缘环的内侧接触式连接。
9.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件设置在所述边缘环内，并与所述凸台部接触式连接。
10.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件设置于所述边缘环远离所述凸台部的一端的外侧，并与所述边缘环的外侧固定连接。
...【专利技术属性】
技术研发人员：杨宽，王洪青，刘武平，王明明，连增迪，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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