【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体，更具体地，涉及一种补源装置及半导体工艺设备。
技术介绍
1、随着光伏行业的不断发展，作为当前占据主要市场的发射极背钝化电池(passivated emitter and rear cell，perc)工艺路线，受到了隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(tunnel oxide passivated contact solar cell，topcon)、异质结电池(hereto-junction with intrinsic thin-layer)工艺路线的重大冲击。目前，提质增效成为了perc工艺路线后期的改革重点。在提质增效方法上，减少设备的维护时间、减少设备的停机时间和减少设备的停机频率成为提高设备产能、降低生产成本的重要手段之一。
2、在半导体扩散设备的维护步骤中，更换扩散工艺所需的三氯氧磷(pocl3)液态源是最耗费人力成本的步骤之一。当前，一旦工艺所需的三氯氧磷液态源被耗尽，就需要停机进行源瓶的更换，严重影响工艺的运行时间。而且三氯氧磷作为一种无色透明发烟液体，具有易挥发、在潮湿空气中易水解成为磷酸和盐酸等特点，更换该工艺源存在一定的危险。
技术实现思路
1、本技术的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种补源装置及半导体工艺设备，解决现有技术中工艺源的源瓶更换频繁，影响工艺运行时间的问题。
2、为了实现上述目的，本技术提供一种补源装置，用于对半导体工艺设备的源容器补充源液，包括：
3、第一容器和第二容器，所述第一容器和所述
4、第二气体输送管路，所述第二气体输送管路用于向所述第二容器内输送气体。
5、可选地，所述补源装置还包括第一吹扫管路和第二吹扫管路，所述第一吹扫管路的一端与气体供应源连接，所述第一吹扫管路的另一端与所述第一补源管路连接，并用于对至少部分所述第一补源管路进行吹扫，所述第二吹扫管路的一端与所述气体供应源连接，所述第二吹扫管路的另一端与所述第二补源管路连接，并用于对至少部分所述第二补源管路进行吹扫。
6、可选地，所述第一气体输送管路上设置有第一单向阀，所述第一补源管路上设置有第二单向阀和第三单向阀，所述第二单向阀设置在所述第一吹扫管路与所述第一补源管路的连接位置的上游，所述第三单向阀设置在所述第一吹扫管路与所述第一补源管路的连接位置的下游，所述第二补源管路上设置有第四单向阀，所述第四单向阀设置在所述第二吹扫管路与所述第二补源管路的连接位置的上游。
7、可选地，所述第一气体输送管路用于与气体供应源连接，所述第一气体输送管路靠近所述气体供应源的一端沿气体输送方向依次设置有第四开闭部件和压力控制部件。
8、可选地，所述第一气体输送管路靠近所述第一容器的一端设置有第五开闭部件，所述第一补源管路靠近所述第一容器的一端设置有第六开闭部件，所述第一补源管路靠近所述第二容器的一端设置有第七开闭部件，所述第二补源管路靠近所述第二容器的一端设置有第八开闭部件，所述第二补源管路靠近所述源容器的一端设置有第九开闭部件。
9、可选地，所述第二气体输送管路与所述第一气体输送管路连接，所述第二气体输送管路上设置有第十开闭部件。
10、可选地，所述第一吹扫管路和所述第二吹扫管路均与所述第一气体输送管路连接，所述第一吹扫管路和所述第二吹扫管路上分别设置有第十一开闭部件和第十二开闭部件。
11、可选地，所述第一容器和所述第二容器分别设置有第一液位测量部件和第二液位测量部件，所述第一容器和所述第二容器分别设置有第一压力测量部件和第二压力测量部件。
12、本技术还提供一种半导体工艺设备，包括：
13、工艺腔室；
14、源容器，所述源容器用于储存向所述工艺腔室输送的工艺源；
15、上述的补源装置，所述补源装置的所述第二补源管路与所述源容器的补源口连接。
16、可选地，所述工艺腔室设置有多个，每个所述工艺腔室设置有至少一个所述源容器，所述第二补源管路通过多个分支管路分别与多个所述源容器连接，以为多个所述工艺腔室补充源液。
17、本技术提供一种补源装置及半导体工艺设备，其有益效果在于：该补源装置具有第一容器和第二容器，第一容器和第二容器能够盛装源液，通过第二气体输送管路向第二容器内输送气体，气体能够驱替第二容器内的源液进入源容器，形成对源容器中源液的补充，第一容器能够在第一气体输送管路输送的气体的驱替作用下，将源液补充进入第二容器，这样在拆卸掉第一容器对其进行源液的填充或更换第一容器时，第二容器仍然能够实现设定时长内对于源容器的补源，保证源容器内的源液能够持续地满足半导体扩散工艺的进行，实现半导体工艺设备的不停机，极大地提高产能。
18、本技术的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种补源装置，用于对半导体工艺设备的源容器补充源液，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的补源装置，其特征在于，所述补源装置还包括第一吹扫管路和第二吹扫管路，所述第一吹扫管路的一端与气体供应源连接，所述第一吹扫管路的另一端与所述第一补源管路连接，并用于对至少部分所述第一补源管路进行吹扫，所述第二吹扫管路的一端与所述气体供应源连接，所述第二吹扫管路的另一端与所述第二补源管路连接，并用于对至少部分所述第二补源管路进行吹扫。
3.根据权利要求2所述的补源装置，其特征在于，所述第一气体输送管路上设置有第一单向阀，所述第一补源管路上设置有第二单向阀和第三单向阀，所述第二单向阀设置在所述第一吹扫管路与所述第一补源管路的连接位置的上游，所述第三单向阀设置在所述第一吹扫管路与所述第一补源管路的连接位置的下游，所述第二补源管路上设置有第四单向阀，所述第四单向阀设置在所述第二吹扫管路与所述第二补源管路的连接位置的上游。
4.根据权利要求1所述的补源装置，其特征在于，所述第一气体输送管路用于与气体供应源连接，所述第一气体输送管路靠近所述气体供应源的一端沿气
5.根据权利要求1所述的补源装置，其特征在于，所述第一气体输送管路靠近所述第一容器的一端设置有第五开闭部件，所述第一补源管路靠近所述第一容器的一端设置有第六开闭部件，所述第一补源管路靠近所述第二容器的一端设置有第七开闭部件，所述第二补源管路靠近所述第二容器的一端设置有第八开闭部件，所述第二补源管路靠近所述源容器的一端设置有第九开闭部件。
6.根据权利要求1所述的补源装置，其特征在于，所述第二气体输送管路与所述第一气体输送管路连接，所述第二气体输送管路上设置有第十开闭部件。
7.根据权利要求2所述的补源装置，其特征在于，所述第一吹扫管路和所述第二吹扫管路均与所述第一气体输送管路连接，所述第一吹扫管路和所述第二吹扫管路上分别设置有第十一开闭部件和第十二开闭部件。
8.根据权利要求1所述的补源装置，其特征在于，所述第一容器和所述第二容器分别设置有第一液位测量部件和第二液位测量部件，所述第一容器和所述第二容器分别设置有第一压力测量部件和第二压力测量部件。
9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室设置有多个，每个所述工艺腔室设置有至少一个所述源容器，所述第二补源管路通过多个分支管路分别与多个所述源容器连接，以为多个所述工艺腔室补充源液。
...【技术特征摘要】
1.一种补源装置，用于对半导体工艺设备的源容器补充源液，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的补源装置，其特征在于，所述补源装置还包括第一吹扫管路和第二吹扫管路，所述第一吹扫管路的一端与气体供应源连接，所述第一吹扫管路的另一端与所述第一补源管路连接，并用于对至少部分所述第一补源管路进行吹扫，所述第二吹扫管路的一端与所述气体供应源连接，所述第二吹扫管路的另一端与所述第二补源管路连接，并用于对至少部分所述第二补源管路进行吹扫。
3.根据权利要求2所述的补源装置，其特征在于，所述第一气体输送管路上设置有第一单向阀，所述第一补源管路上设置有第二单向阀和第三单向阀，所述第二单向阀设置在所述第一吹扫管路与所述第一补源管路的连接位置的上游，所述第三单向阀设置在所述第一吹扫管路与所述第一补源管路的连接位置的下游，所述第二补源管路上设置有第四单向阀，所述第四单向阀设置在所述第二吹扫管路与所述第二补源管路的连接位置的上游。
4.根据权利要求1所述的补源装置，其特征在于，所述第一气体输送管路用于与气体供应源连接，所述第一气体输送管路靠近所述气体供应源的一端沿气体输送方向依次设置有第四开闭部件和压力控制部件。
5.根据权利要求1所述的补源装置，其特征在于，所述第一气体...
【专利技术属性】
技术研发人员：李苗苗，李建国，刘岩，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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