【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及发光二极管(led)结构和制造处理。更具体地，本技术涉及led显示器及其制造方法。
技术介绍
1、由数百万微米大小的像素制成的发光二极管(led)显示设备是通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的制造处理而实现的。在基板上产生图案化材料需要受控的材料沉积和去除方法。然而，随着新的装置设计，产生具有非常精确尺寸的高质量材料层可能具有挑战性。
2、因此，需要可用于生产用于led显示设备的高质量材料和结构的改进的系统和方法。这些和其他需求由本技术解决。
技术实现思路
1、本技术包括子像素结构的实施例，子像素结构包括定向发光二极管结构，定向发光二极管结构以具有小于或约10°的发散角的发射光的半峰全宽(fwhm)为特征。子像素结构进一步包括透镜，透镜位于距发光二极管结构第一距离处，其中透镜的形状被设置为聚焦从发光二极管结构的发射光。子像素结构又进一步包括图案化的光吸收屏障，图案化的光吸收屏障位于距透镜第二距离处。图案化的光吸收屏障界定屏障中的开口，且由透镜聚焦的光的焦点位于开口中。
2、在另外的实施例中，发光子像素结构不具有偏光层。在进一步的实施例中，从图案化的光吸收屏障中的开口射出的光以大于或约45°的视角为特征。在更进一步的实施例中，发光二极管结构与透镜之间的第一距离大于透镜与图案化的光吸收屏障之间的第二距离。在又另外的实施例中，透镜以大于或约10μm的直径为特征。在更多的实施例中，图案化的光吸收屏障中界定的开口以小于或约10μm的宽度为特征。在又更多的实
3、本技术亦包括发光像素结构的实施例，发光像素结构包括发光层，发光层进一步包括一组发光二极管结构。发光像素结构亦可包括图案化的光吸收屏障，图案化的光吸收屏障进一步包括屏障中的一组开口。开口中的每个开口允许从发光二极管结构中的一个发光二极管结构发射的光透射穿过图案化的光吸收屏障。发光像素结构可进一步包括透镜层，透镜层位于发光层和图案化的光吸收屏障之间。透镜层可包括一组透镜，其中透镜的形状被设置为将从发光二极管结构发射的光集中到图案化的光吸收屏障的开口中。发光像素结构也不具有偏光层。
4、在另外的实施例中，发光二极管结构中的每个发光二极管结构可以以具有小于或约10°的发散角的所发射光的半峰全宽(fwhm)为特征。在进一步的实施例中，从发光像素结构射出的光可以以大于或约45°的视角为特征。在更进一步的实施例中，发光像素结构比具有偏光层的发光像素结构亮大于或约50％。在又另外的实施例中，透镜层中的透镜中的每个透镜可以以透镜的焦点与透镜的直径之比小于或约1:1为特征。在更多的实施例中，该组发光二极管结构可包括有机发光二极管结构。
5、本技术进一步包括形成发光像素的方法的实施例。方法可包括在基板上形成发光层，其中发光层包括一组发光二极管结构。方法亦可包括在发光层上方形成透镜层，其中透镜层包括一组透镜，该组透镜可操作以集中从发光二极管结构发射的光，且其中透镜层位于距发光层第一距离处。方法可进一步包括在透镜层上方形成图案化的光吸收屏障。图案化的光吸收屏障界定屏障中的一组开口以使来自该组发光二极管结构的光透射穿过屏障，且图案化的光吸收屏障可位于距透镜层第二距离。在发光像素中，发光层和透镜层之间的第一距离可大于透镜层和图案化的光吸收屏障之间的第二距离。
6、在另外的实施例中，图案化的光吸收屏障由以下方式形成：在透镜层上方沉积光吸收材料的层，其中光吸收材料的层可以以大于或约2μm-1的光密度为特征。在光吸收材料的层中可形成开口，以制作图案化的光吸收屏障。开口可具有小于或约1μm的宽度。在进一步的实施例中，发光二极管结构中的每个发光二极管结构可操作以发射定向光，定向光以具有小于或约10°的发散角的半峰全宽(fwhm)为特征。在更进一步的实施例中，从发光像素射出的光可以以大于或约45°的视角为特征。在又另外的实施例中，发光像素不具有偏光层，其中发光像素比具有偏光层的发光像素亮大于或约50％。在更多实施例中，发光像素可包括有机发光像素。
7、与传统的led像素和由这些像素制成的显示器相比，这种技术可提供许多好处。例如，本子像素和像素的实施例消除了在显示器中包括偏光层的需求。偏光层可阻挡多达60％的由像素产生的光，因此不具有偏光层的像素结构可以比具有偏光层的像素结构亮高达60％。在进一步的实施例中，本申请的子像素和像素包括高度定向的发光二极管结构和可以在宽广视角上传播定向光的透镜和针孔组合。这允许由发光二极管结构发射的更多光被包括在显示的图像中，而不会将图像的视角限制到不期望的小角度。结合以下描述和附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
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1.一种发光子像素结构，包括：
2.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述发光子像素结构不具有偏光层。
3.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中从所述图案化的光吸收屏障中射出的所述开口的所述光以大于或约45°的视角为特征。
4.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述发光二极管结构与所述透镜之间的所述第一距离大于所述透镜与所述图案化的光吸收屏障之间的所述第二距离。
5.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述透镜以大于或约10μm的直径为特征。
6.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述图案化的光吸收屏障中界定的所述开口以小于或约1μm的宽度为特征。
7.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述图案化的光吸收屏障以小于或约10μm的厚度为特征。
8.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述发光二极管结构包括有机发光二极管结构。
9.一种发光像素结构，包括：
10.如权利要求9所述的发光像素结构，其中所述发光二极管结构中的每个发光二极管结构以具有小于或约10
11.如权利要求9所述的发光像素结构，其中从所述发光像素结构射出的所述光以大于或约45°的视角为特征。
12.如权利要求9所述的发光像素结构，其中所述发光像素结构比具有偏光层的所述发光像素结构亮大于或约50％。
13.如权利要求9所述的发光像素结构，其中所述透镜中的每个透镜以所述透镜的焦点与所述透镜的直径之比小于或约1:1为特征。
14.如权利要求9所述的发光像素结构，其中所述一组发光二极管结构包括有机发光二极管结构。
15.一种形成发光像素的处理方法，所述方法包括以下步骤：
16.如权利要求15所述的发光像素的处理方法，其中所述图案化的光吸收屏障由以下方式形成：
17.如权利要求15所述的发光像素的处理方法，其中所述发光二极管结构中的每个发光二极管结构可操作以发射定向光，所述定向光以具有小于或约10°的发散角的半峰全宽(FWHM)为特征。
18.如权利要求15所述的发光像素的处理方法，其中从所述发光像素射出的所述光以大于或约45°的视角为特征。
19.如权利要求15所述的发光像素的处理方法，其中所述发光像素不具有偏光层，且其中所述发光像素比具有偏光层的所述发光像素亮大于或约50％。
20.如权利要求15所述的发光像素的处理方法，其中所述发光像素包括有机发光像素。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光子像素结构，包括：
2.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述发光子像素结构不具有偏光层。
3.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中从所述图案化的光吸收屏障中射出的所述开口的所述光以大于或约45°的视角为特征。
4.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述发光二极管结构与所述透镜之间的所述第一距离大于所述透镜与所述图案化的光吸收屏障之间的所述第二距离。
5.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述透镜以大于或约10μm的直径为特征。
6.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述图案化的光吸收屏障中界定的所述开口以小于或约1μm的宽度为特征。
7.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述图案化的光吸收屏障以小于或约10μm的厚度为特征。
8.如权利要求1所述的发光子像素结构，其中所述发光二极管结构包括有机发光二极管结构。
9.一种发光像素结构，包括：
10.如权利要求9所述的发光像素结构，其中所述发光二极管结构中的每个发光二极管结构以具有小于或约10°的发散角的所发射光的半峰全宽(fwhm)为特征。
11.如权利要求9所述的发光像素结构，其中从所述发光像素结构射出的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴忠帜，陈柏瑞，林晃巖，苏国栋，李伟恺，张洁瑞，林宛瑜，郭炳成，罗伯特·简·维瑟，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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