System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 双面冷却半导体装置制造方法及图纸_技高网

双面冷却半导体装置制造方法及图纸

技术编号:41404876 阅读:9 留言:0更新日期:2024-05-20 19:30
本发明专利技术提供一种双面冷却半导体装置和双面冷却半导体系统。双面冷却半导体装置可以包括:第一冷却结构和第二冷却结构,其包括导热性电绝缘层;第一内金属板,其形成在所述第二冷却结构的上表面上;第二内金属板,其形成在所述第一冷却结构的下表面上;第三内金属板,其形成在所述第一内金属板上,并支撑半导体芯片;金属块,其形成在所述半导体芯片上;以及第四内金属板,其形成在所述第二内金属板下方,并形成有插入所述金属块的金属块插入孔。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种双面冷却半导体装置


技术介绍

1、功率半导体可以将任何使用电力的设备中由电源或电池提供的电力转换成各种系统(例如汽车)所需的电压和电流水平,并管理整个系统的电力。根据应用目的和耐压特性,功率半导体能够以独立器件、集成电路以及多个器件集成为封装件的模块形式使用。此类功率半导体要求很高的可靠性,因为必须能够在使用温度高、使用时间长的恶劣环境下工作。在这方面,正积极研究如何双面冷却半导体器件,以应对功率半导体的高发热量。


技术实现思路

1、技术问题

2、本专利技术所要解决的问题是提供一种双面冷却半导体装置,可以通过在半导体装置内部形成冷却结构来改善冷却效率,而且可以简化与外部冷却结构的组装工艺。

3、技术方案

4、根据本专利技术的一个实施例的双面冷却半导体装置可以包括:第一冷却结构和第二冷却结构,其包括导热性电绝缘层;第一内金属板,其形成在所述第二冷却结构的上表面上;第二内金属板,其形成在所述第一冷却结构的下表面上;第三内金属板,其形成在所述第一内金属板上,并支撑半导体芯片;金属块,其形成在所述半导体芯片上;以及第四内金属板,其形成在所述第二内金属板下方,并形成有插入所述金属块的金属块插入孔。

5、在一些实施例中,所述第一冷却结构和所述第二冷却结构可以在其内部分别包括金属板。

6、在一些实施例中,所述双面冷却半导体装置还可以包括一个以上的成型树脂止流凹凸结构。

7、在一些实施例中,所述金属块插入孔的截面形状和所述金属块的截面形状可以是圆形。

8、在一些实施例中,所述双面冷却半导体装置还可以包括:第三冷却结构,其贴附于所述第二冷却结构的下表面,并包括一个以上的冷却剂出入口。

9、在一些实施例中,所述双面冷却半导体装置还可以包括:第四冷却结构,其贴附于所述第一冷却结构的下表面,并包括一个以上的冷却剂出入口。

10、在一些实施例中,所述第三冷却结构和所述第四冷却结构可以形成一个冷却结构,并且金属弯曲或变形而形成。

11、在一些实施例中,根据一个实施例的双面冷却半导体系统可以包括:所述双面冷却半导体装置;外部冷却结构;以及互连层,其包括导热性材料,并连接所述双面冷却半导体装置和所述外部冷却结构。

12、专利技术效果

13、通过在半导体装置内部形成冷却结构来改善冷却效率,而且可以简化与外部冷却结构的组装工艺。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双面冷却半导体装置,包括:

2.根据权利要求1所述的双面冷却半导体装置,其中,

3.根据权利要求1所述的双面冷却半导体装置,还包括一个以上的成型树脂止流凹凸结构。

4.根据权利要求1所述的双面冷却半导体装置,其中,

5.根据权利要求1所述的双面冷却半导体装置,还包括:

6.根据权利要求5所述的双面冷却半导体装置,还包括:

7.根据权利要求1所述的双面冷却半导体装置,其中,

8.一种双面冷却半导体系统,包括:

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种双面冷却半导体装置,包括:

2.根据权利要求1所述的双面冷却半导体装置,其中,

3.根据权利要求1所述的双面冷却半导体装置,还包括一个以上的成型树脂止流凹凸结构。

4.根据权利要求1所述的双面冷却半导体装置,...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹基明金仁锡严柱阳
申请(专利权)人:株式会社电源大师
类型:发明
国别省市:

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