【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种集成电路关键尺寸的测量方法、系统及集成电路。
技术介绍
1、关键尺寸(critical dimension，cd)是集成电路(integrated circuit，ic)生产过程中用来量度和监控特征结构尺寸的重要参数，一般可通过关键尺寸扫描电子显微镜(critical dimension-scanning electron microscope，cd-sem)机台来测量。现有技术中，当进行原子层沉积工艺之后，集成电路的表面特征结构发生变化，例如沟槽（trench）的深度变化，将导致cd-sem测量的位置也相应的发生变化，从而产生测量误差。因此，存在待改进之处。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种集成电路关键尺寸的测量方法、系统及集成电路，用于解决现有技术中因集成电路的表面特征结构发生变化而产生的测量误差的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种集成电路关键尺寸的测量方法，包括：
3、测量集成电路中特征结构的初始尺寸，所述初始尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之前的尺寸；
4、测量所述特征结构的膜厚尺寸，所述膜厚尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之后覆膜层的尺寸；
5、基于所述初始尺寸和所述膜厚尺寸，计算生成所述特征结构的关键尺寸，所述关键尺寸满足以下公式：
6、z=y+2*x
7、其中，z表示所述关键尺寸
8、于本专利技术的一实施例中，所述测量集成电路中特征结构的初始尺寸的步骤，包括：
9、使用关键尺寸扫描电子显微镜，测量所述特征结构在进行原子层沉积工艺之前的尺寸，并记录为所述初始尺寸。
10、于本专利技术的一实施例中，所述初始尺寸为所述特征结构沿平行于集成电路表面方向的尺寸。
11、于本专利技术的一实施例中，所述测量所述特征结构的膜厚尺寸的步骤，包括：
12、使用膜厚测量仪，测量所述特征结构在进行原子层沉积工艺之后的覆膜层的尺寸，并记录为所述膜厚尺寸。
13、于本专利技术的一实施例中，所述膜厚尺寸为所述覆膜层沿平行于集成电路表面方向的尺寸。
14、于本专利技术的一实施例中，在所述测量所述特征结构的膜厚尺寸，所述膜厚尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之后覆膜层的尺寸的步骤中，所述覆膜层为膜层或者膜层。
15、于本专利技术的一实施例中，所述覆膜层的厚度在30nm～80nm的范围之间。
16、于本专利技术的一实施例中，在所述基于所述初始尺寸和所述膜厚尺寸，计算生成所述特征结构的关键尺寸的步骤之后，还包括：
17、对所述特征结构进行切片处理，以生成特征切片；
18、测量所述特征切片的验证尺寸，并对比所述验证尺寸和所述关键尺寸，以验证所述关键尺寸的准确性。
19、本专利技术还提供一种集成电路关键尺寸的测量系统，包括
20、特征测量模块，用以测量集成电路中特征结构的初始尺寸，所述初始尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之前的尺寸；
21、覆膜测量模块，用以测量所述特征结构的膜厚尺寸，所述膜厚尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之后覆膜层的尺寸；
22、尺寸计算模块，用以基于所述初始尺寸和所述膜厚尺寸，计算生成所述特征结构的关键尺寸，所述关键尺寸满足以下公式：
23、z=y+2*x
24、其中，z表示所述关键尺寸，y表示所述初始尺寸，x表示所述膜厚尺寸。
25、本专利技术还提供一种集成电路，所述集成电路设置有与上述任一项所述相同的特征结构和覆膜层。
26、如上所述，本专利技术的一种集成电路关键尺寸的测量方法、系统及集成电路，具有以下有益效果：本专利技术操作简单，准确性高，可测量集成电路的特征结构在原子层沉积工艺后的关键尺寸。
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1.一种集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，所述测量集成电路中特征结构的初始尺寸的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，所述初始尺寸为所述特征结构沿平行于集成电路表面方向的尺寸。
4.根据权利要求1所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，所述测量所述特征结构的膜厚尺寸的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，所述膜厚尺寸为所述覆膜层沿平行于集成电路表面方向的尺寸。
6.根据权利要求1所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，在所述测量所述特征结构的膜厚尺寸，所述膜厚尺寸表征所述特征结构在进行原子层沉积工艺之后覆膜层的尺寸的步骤中，所述覆膜层为膜层或者膜层。
7.根据权利要求6所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，所述覆膜层的厚度在30nm～80nm的范围之间。
8.根据权利要求1所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，在所
9.一种集成电路关键尺寸的测量系统，其特征在于，包括
10.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路设置有与权利要求1-8任一项所述相同的特征结构和覆膜层。
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，所述测量集成电路中特征结构的初始尺寸的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，所述初始尺寸为所述特征结构沿平行于集成电路表面方向的尺寸。
4.根据权利要求1所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，所述测量所述特征结构的膜厚尺寸的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的集成电路关键尺寸的测量方法，其特征在于，所述膜厚尺寸为所述覆膜层沿平行于集成电路表面方向的尺寸。
6.根据权利要求1所述的集成电路关键尺寸的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫军，欧阳增图，刘凌海，
申请(专利权)人：深圳市辰中科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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