【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微机电，特别是涉及一种隔离变压器、共模电感、电子元件及其制备方法。
技术介绍
1、耦合线圈是电子和电气工程中非常重要的组件，它们在能量传递和信号传输方面发挥着关键作用。耦合线圈的应用非常广泛，如变压器、电感耦合电路、无线电能传输系统、传感器和探测器等。
2、其中，微型耦合线圈的应用也越来越普遍，微型耦合线圈是指尺寸较小、用于特定应用中的耦合线圈。它们通常具有紧密的绕制和较小的体积，以适应空间受限的应用环境。微型耦合线圈在电子和电气设备中有着广泛的应用，尤其是在高频和无线通信系统中。
3、现有技术中的微型耦合线圈通常由漆包线制成，漆包线是一种特殊的导线，其表面涂有一层绝缘漆，用于提供额外的绝缘保护和改善线圈的电气性能。在耦合线圈中，漆包线通常用于绕制原级和次级线圈，这些线圈之间的电磁耦合实现了能量或信号的传递。然而，这类微型耦合线圈存在较大缺陷，一方面，微型化难度较大，加工成本较高，另一方面，耐高压能力较差，不能适用于对耐高压能力有较高要求的场合。相应的，例如对于包含有微型耦合线圈的变压器等元器件，势必会受到影响。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提出一种隔离变压器、共模电感、电子元件及其制备方法，以解决
技术介绍
中的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种隔离变压器，包括基板、衬底、第一线圈、第二线圈、磁芯和封装层；
3、所述衬底位于所述基板上；
4、所述第一线圈、所述第二线圈和所述磁芯均位于所
5、所述封装层形成在所述基板上，所述衬底、所述第一线圈、所述第二线圈和所述磁芯均位于所述封装层内；所述封装层的一部分位于所述第一线圈和所述第二线圈之间，能够对所述第一线圈和所述第二线圈隔开。
6、进一步的，所述基板包括玻璃片和封装框架；所述衬底键合于所述玻璃片上；所述玻璃片键合于所述封装框架上；所述第一线圈的两端分别通过所述第一连接线与所述封装框架相连接。
7、进一步的，所述第二线圈的两端分别通过第二连接线与所述封装框架相连。
8、进一步的，所述第二线圈的两端分别用于直接与共模电感相连。
9、进一步的，所述第二线圈的两端通过第三连接线分别用于与共模电感相连。
10、此外，本专利技术还提出一种隔离变压器的制备方法，制造如上述所述的隔离变压器，具体包括如下：
11、在第一键合衬底和第二键合衬底中均形成相配合使用的第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽、封装子槽和磁芯子槽，所述磁芯子槽呈环状，所述第一线圈子沟槽和所述第二线圈子沟槽皆跨过所述磁芯子槽，所述封装子槽位于所述第一线圈子沟槽和第二线圈子沟槽之间，分隔所述第一线圈子沟槽和第二线圈子沟槽；
12、将磁芯置于所述第一键合衬底中的磁芯子槽中；
13、将所述第一键合衬底与所述第二键合衬底键合，从而所述第一线圈子沟槽配合形成第一线圈沟槽，所述第二线圈子沟槽配合形成第二线圈沟槽，所述封装子槽配合形成封装槽，所述磁芯子槽配合形成磁芯槽；所述封装槽与所述磁芯槽连通；
14、在所述第一线圈沟槽中填充金属以形成第一线圈，在所述第二线圈沟槽中填充金属以形成第二线圈；
15、将所述第一线圈通过第一连接线与基板相连接；以及
16、形成封装层，所述封装层形成在所述基板上，覆盖所述第一键合衬底、第二键合衬底、第一线圈和第二线圈，并填充在所述封装槽和所述磁芯槽中。
17、进一步的，在所述第一键合衬底中形成所述第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽、封装子槽和磁芯子槽的过程，具体包括：
18、在所述第一键合衬底的相对两个表面上形成氧化层；
19、对一个表面上的所述氧化层进行图形化，获得第一掩模层；
20、在所述第一键合衬底和所述第一掩模层上形成图形化的光刻胶，从而所述图形化的光刻胶和所述第一掩模层作为复合掩模；
21、利用所述复合掩模，对所述第一键合衬底进行刻蚀，形成多个第一开槽、第二开槽和多个第三开槽；
22、去除所述图形化的光刻胶，并利用所述第一掩模层为掩模继续刻蚀，形成多个第四开槽和多个第五开槽，同时所述第一开槽、第二开槽和第三开槽被继续刻蚀，所述第一开槽和第四开槽对应连通，所述第三开槽和第五开槽对应连通；
23、对另一表面上的所述氧化层进行图形化，获得第二掩模层；
24、利用所述第二掩模层对所述第一键合衬底进行刻蚀，获得多个第六开槽、第七开槽、多个第八开槽和磁芯子槽，所述第六开槽与所述第一开槽和第四开槽形成所述第一线圈子沟槽，所述第八开槽与所述第三开槽和第五开槽形成所述第二线圈子沟槽，所述第二开槽与所述第七开槽形成所述封装子槽；
25、去除所述第一掩模层和所述第二掩模层。
26、进一步的，在所述第一线圈沟槽中填充金属以形成第一线圈，在所述第二线圈沟槽中填充金属以形成第二线圈之后；在将所述第一线圈通过第一连接线与基板相连接之前，还包括：
27、将所述第一键合衬底远离所述第二键合衬底的表面键合至玻璃片；以及
28、划片。
29、此外，本专利技术还提出一种隔离变压器的制备方法，制造如上述所述的隔离变压器，具体包括如下：
30、在第一键合衬底和第二键合衬底中均形成相配合使用的第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽和封装子槽；所述第一键合衬底中的第一线圈子沟槽和第二线圈子沟槽均呈u型状；
31、在第三键合衬底中形成磁芯槽，以及形成与所述第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽和封装子槽相配合使用的第一线圈连通槽、第二线圈连通槽和封装连通槽，所述磁芯槽呈环状，其中一部分所述第一线圈连通槽和所述第二线圈连通槽均位于所述磁芯槽外侧，另一部分所述第一线圈连通槽和所述第二线圈连通槽位于所述磁芯槽内侧，所述封装连通槽位于另一部分所述第一线圈连通槽和所述第二线圈连通槽之间；
32、将所述第三键合衬底与所述第二键合衬底键合，并将磁芯置于所述第三键合衬底中的磁芯槽中；
33、再将所述第一键合衬底与所述第三键合衬底远离所述第二键合衬底的一侧键合，从而所述第一线圈子沟槽和所述第一线圈连通槽配合形成第一线圈沟槽，所述第二线圈子沟槽和所述第二线圈连通槽配合形成第二线圈沟槽，所述封装子槽和所述封装连通槽配合形成封装槽；所述封装槽与所述磁芯槽连通；
34、在所述第一线圈沟槽中填充金属以形成第一线圈，在所述第二线圈沟槽中填充金属以形成第二线圈；
35、将所述第一线圈通过第一连接线与基板相连接；以及
36、形成封装层，所述封装层形成在所述基板上，覆盖所述第一键合衬底、第二键合衬底、第一线圈和第二线圈，并填充在所述封装槽和所述磁芯槽中。
37、进一步的，所述在第一键合衬底中形成第一线圈子本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种隔离变压器，其特征在于，包括：基板、衬底、第一线圈、第二线圈、磁芯和封装层；
2.如权利要求1所述的隔离变压器，其特征在于，所述基板包括玻璃片和封装框架；所述衬底键合于所述玻璃片上；所述玻璃片键合于所述封装框架上；所述第一线圈的两端分别通过所述第一连接线与所述封装框架相连接。
3.如权利要求2所述的隔离变压器，其特征在于，所述第二线圈的两端分别通过第二连接线与所述封装框架相连。
4.如权利要求1或2所述的隔离变压器，其特征在于，所述第二线圈的两端分别用于直接与共模电感相连。
5.如权利要求1或2所述的隔离变压器，其特征在于，所述第二线圈的两端通过第三连接线分别用于与共模电感相连。
6.一种隔离变压器的制备方法，制造如权利要求1-5中任一项所述的隔离变压器，其特征在于，具体包括如下：
7.如权利要求6所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，在所述第一键合衬底中形成所述第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽、封装子槽和磁芯子槽的过程，具体包括：
8.如权利要求7所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，
9.一种隔离变压器的制备方法，制造如权利要求1-5中任一项所述的隔离变压器，其特征在于，具体包括如下：
10.如权利要求9所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，所述在第一键合衬底中形成第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽和封装子槽的过程，具体包括：
11.如权利要求9所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，所述在第二键合衬底中形成第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽和封装子槽的过程，具体包括：
12.如权利要求9所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，在所述第一线圈沟槽中填充金属以形成第一线圈，在所述第二线圈沟槽中填充金属以形成第二线圈之后；在将所述第一线圈通过第一连接线与基板相连接之前，还包括：
13.一种共模电感，其特征在于，包括基板、衬底、第一线圈、第二线圈、磁芯和封装层；
14.如权利要求13所述的共模电感，其特征在于，所述基板包括玻璃片和封装框架；所述衬底键合于所述玻璃片上；所述玻璃片键合于所述封装框架上；所述第一线圈和所述第二线圈的至少一端分别通过所述第一连接线与所述封装框架相连接。
15.如权利要求14所述的共模电感，其特征在于，所述第一线圈和所述第二线圈的另一端分别通过第二连接线与所述封装框架相连。
16.如权利要求13或14所述的共模电感，其特征在于，所述第一线圈和所述第二线圈的另一端分别用于直接与隔离变压器的两端相连。
17.如权利要求13或14所述的共模电感，其特征在于，所述第一线圈和所述第二线圈的另一端通过第三连接线分别用于与隔离变压器的两端相连。
18.一种共模电感的制备方法，制造如权利要求13-17中任一项所述的共模电感，其特征在于，具体包括：
19.如权利要求18所述的共模电感的制备方法，其特征在于，在所述第一键合衬底中形成所述第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽和磁芯子槽的过程，具体包括：
20.如权利要求18所述的共模电感的制备方法，其特征在于，在所述第一线圈沟槽中填充金属以形成第一线圈，在所述第二线圈沟槽中填充金属以形成第二线圈之后；将所述第一线圈和所述第二线圈的一端通过第一连接线与基板相连接之前，还包括：
21.一种电子元件，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的隔离变压器，如权利要求6-8中任一项所述的方法获得的隔离变压器，如权利要求9-12中任一项所述的方法获得的隔离变压器，如权利要求13-17中所述的共模电感，和/或，如权利要求18-20中任一项所述的方法获得的共模电感。
22.如权利要求21所述的电子元件，其特征在于，隔离变压器中的衬底与共模电感的衬底为一体成型，所述隔离变压器直接与所述共模电感相连；或者，隔离变压器中的玻璃片与共模电感中的玻璃片具有预定间距，所述隔离变压器通过连接线与所述共模电感相连；或者，隔离变压器和共模电感分别通过连接线与封装框架相连。
...【技术特征摘要】
1.一种隔离变压器，其特征在于，包括：基板、衬底、第一线圈、第二线圈、磁芯和封装层；
2.如权利要求1所述的隔离变压器，其特征在于，所述基板包括玻璃片和封装框架；所述衬底键合于所述玻璃片上；所述玻璃片键合于所述封装框架上；所述第一线圈的两端分别通过所述第一连接线与所述封装框架相连接。
3.如权利要求2所述的隔离变压器，其特征在于，所述第二线圈的两端分别通过第二连接线与所述封装框架相连。
4.如权利要求1或2所述的隔离变压器，其特征在于，所述第二线圈的两端分别用于直接与共模电感相连。
5.如权利要求1或2所述的隔离变压器，其特征在于，所述第二线圈的两端通过第三连接线分别用于与共模电感相连。
6.一种隔离变压器的制备方法，制造如权利要求1-5中任一项所述的隔离变压器，其特征在于，具体包括如下：
7.如权利要求6所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，在所述第一键合衬底中形成所述第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽、封装子槽和磁芯子槽的过程，具体包括：
8.如权利要求7所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，在所述第一线圈沟槽中填充金属以形成第一线圈，在所述第二线圈沟槽中填充金属以形成第二线圈之后；在将所述第一线圈通过第一连接线与基板相连接之前，还包括：
9.一种隔离变压器的制备方法，制造如权利要求1-5中任一项所述的隔离变压器，其特征在于，具体包括如下：
10.如权利要求9所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，所述在第一键合衬底中形成第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽和封装子槽的过程，具体包括：
11.如权利要求9所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，所述在第二键合衬底中形成第一线圈子沟槽、第二线圈子沟槽和封装子槽的过程，具体包括：
12.如权利要求9所述的隔离变压器的制备方法，其特征在于，在所述第一线圈沟槽中填充金属以形成第一线圈，在所述第二线圈沟槽中填充金属以形成第二线圈之后；在将所述第一线圈通过第一连接线与基板相连接之前，还包括：
13.一种共模电感，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾杰斌，
申请(专利权)人：上海迈铸半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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