【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
1、专利文献1公开了一种等离子体处理装置，其包括：处理容器；晶舟，其能够保持多个晶片并插入到处理容器内或从处理容器内脱离；和等离子体产生部，其通过使处理容器的侧壁的一部分呈凹部状向外侧凹陷而一侧在处理容器内开口并与处理容器内连通，并且沿着处理容器的高度方向设置，在等离子体产生部产生的自由基从等离子体产生部的开口向处理容器内的中心方向释放并扩散，从而在晶片彼此间以层流状态流动。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特许4329403号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、在一个方面，本专利技术提供一种能够在基片上生成等离子体来对基片实施处理的等离子体处理装置。
3、用于解决技术问题的手段
4、为了解决上述技术问题，根据一个方式，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理容器；能够插入到所述处理容器中的基片保持件，其能够分多层载置多块基片；能够使所述基片保持件在所述处理容器内旋转的旋转轴；用于向所述处理容器内供给处理气体的气体供给管；用于对所述处理容器内进行排气的排气部；配置在所述处理容器的外侧的一对电极，其与所述处理容器的中心相对地配置；和高频电源，其用于向一对所述电极施加高频电功率从而在所述处理容器内生成电容耦合等离子体。
5、专利技术效果
6、根据本专利技术的一个方面，能够提供一种能够在基片上生成等离子体
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1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1或2所述的等离子体处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：松浦广行，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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