【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random accessmemory，mram)器件。
技术介绍
1、磁阻式存储器器件中的每个单元可以包括单元结构，在该单元结构中具有较小上表面的下电极、mtj结构和上电极被依次堆叠。在制造磁阻式存储器器件时，可以执行用于形成单元结构的图案化工艺。
技术实现思路
1、实施例可以通过提供一种磁阻式随机存取存储器器件来实现，所述磁阻式随机存取存储器器件包括：衬底；导电图案，所述导电图案位于所述衬底上；绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述导电图案；下电极接触，所述下电极接触穿过所述绝缘中间层，并且接触所述导电图案；下电极，所述下电极位于所述下电极接触上，并且包括倒圆侧壁；以及存储器结构，所述存储器结构位于所述下电极上，并且包括堆叠的mtj结构和上电极。其中，所述下电极的宽度从下部向上部增大，所述存储器结构具有侧壁斜度使得所述存储器结构的宽度从上部向下部增大，并且所述下电极的侧壁的至少一部分被所述绝缘中间层覆盖。
2、实施例可以通过提供一种磁阻式随机存取存储器器件来实现，所述磁阻式随机存取存储器器件包括：衬底；下电极接触，所述下电极接触位于所述衬底上；下电极，所述下电极接触所述下电极接触的上表面；以及存储器结构，所述存储器结构接触所述下电极的整个上表面，并且包括堆叠的mtj结构和上电极。其中，所述下电极具有倒圆侧壁，并且所述下电极的宽度从下部向上部增大。
3、实施例可以通过提供一种磁阻式随机存取存
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1.一种磁阻式随机存取存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述第一绝缘中间层的最上表面和所述下电极的上表面彼此共面。
3.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中：
4.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中：
5.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，所述磁阻式随机存取存储器器件还包括覆盖所述第一绝缘中间层的上表面和所述存储器结构的表面的保护层。
6.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述保护层接触所述下电极的所述侧壁的一部分，或者不接触所述下电极的所述侧壁。
7.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述下电极包括钨、钛、钽、氮化钨、氮化钛或氮化钽。
8.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，所述磁阻式随机存取存储器器件还包括位于所述下电极的所述侧壁上的绝缘间隔物。
9.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述下电极的底表面的面积等于或小于所述下电极接触的上
10.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中：
11.一种磁阻式随机存取存储器器件，所述磁阻式随机存取存储器器件包括：
12.根据权利要求11所述的磁阻式随机存取存储器器件，所述磁阻式随机存取存储器器件还包括位于所述衬底上的第一绝缘中间层，所述下电极接触穿过所述第一绝缘中间层。
13.根据权利要求12所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述下电极的底表面低于所述第一绝缘中间层的最上表面。
14.根据权利要求12所述的磁阻式随机存取存储器器件，所述磁阻式随机存取存储器器件还包括覆盖所述第一绝缘中间层的上表面和所述存储器结构的表面的保护层。
15.根据权利要求11所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中：
16.根据权利要求11所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中：
17.根据权利要求11所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中：
18.一种磁阻式随机存取存储器器件，所述磁阻式随机存取存储器器件包括：
19.根据权利要求18所述的磁阻式随机存取存储器器件，所述磁阻式随机存取存储器器件还包括位于所述下电极的侧壁上的绝缘间隔物。
20.根据权利要求18所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种磁阻式随机存取存储器器件，包括：
2.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述第一绝缘中间层的最上表面和所述下电极的上表面彼此共面。
3.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中：
4.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中：
5.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，所述磁阻式随机存取存储器器件还包括覆盖所述第一绝缘中间层的上表面和所述存储器结构的表面的保护层。
6.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述保护层接触所述下电极的所述侧壁的一部分，或者不接触所述下电极的所述侧壁。
7.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述下电极包括钨、钛、钽、氮化钨、氮化钛或氮化钽。
8.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，所述磁阻式随机存取存储器器件还包括位于所述下电极的所述侧壁上的绝缘间隔物。
9.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述下电极的底表面的面积等于或小于所述下电极接触的上表面的面积。
10.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑炯钟，高昇必，裵丙才，严鏋镇，李佳元，郑求训，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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