【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种microled显示面板及制造方法。
技术介绍
1、microled显示技术与oled和lcd显示技术相比，其像素密度高、尺寸小，因而能够实现更高的显示图像质量。
2、然而，正是因为microled显示面板的像素密度高，如图1所示，像素阵列层3中的相邻像素之间的距离很小，同时色转换层2中的各个荧光粉单元之间的距离很小，相邻的荧光粉单元的出光容易出现串扰，会对画质造成影响。
3、并且，常规的microled显示面板，色转换层2与微透镜层1是分离的，一方面在粘合色转换层2与微透镜层1时容易出现对准误差，从而降低出光效率；另一方面，由于色转换层2与微透镜层1是分离的，两者之间难免会出现间隙，光线在色转换层2与微透镜层1之间的界面处会出现反射和折射，同样会降低出光效率，降低显示面板的亮度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种microled显示面板及制造方法，以解决现有技术中显示面板容易出现串扰且出光效率低的技术问题。
2、为此，根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种microled显示面板，包括：
3、像素阵列层，包括呈阵列设置的多个像素单元；
4、一体式微透镜层，位于所述像素阵列层上，所述一体式微透镜层远离所述像素阵列层的一侧具有多个微透镜，各个所述微透镜与各个所述像素单元对应设置；所述一体式微透镜层朝向所述像素阵列的一侧具有多个第一沟槽，各个所述第一沟槽与各个所述像素单
5、驱动电路层，所述驱动电路层位于所述像素电路层远离所述一体式微透镜层的一侧，且与各个所述像素单元电连接。
6、可选地，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽。
7、可选地，所述色转换单元包括量子点材料或荧光粉材料。
8、可选地，所述微透镜的焦点位于所述色转换单元的中心点。
9、可选地，各个所述像素单元包括沿朝向所述一体式微透镜层方向顺次设置的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述像素单元的横截面积沿朝向所述一体式微透镜层方向顺序增大。
10、可选地，各个所述像素单元之间填充有绝缘介质层，所述绝缘介质层的材料的折射率小于所述像素单元的材料的折射率。
11、根据第二方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，包括上述第一方面中任一项所述的microled显示面板。
12、根据第三方面，本专利技术实施例提供了一种microled显示面板的制造方法，包括：
13、形成一体式微透镜层，所述一体式微透镜层的一侧形成有多个第一沟槽和多个第二沟槽，所述第一沟槽内均填充有色转换单元，各个所述第二沟槽形成在相邻的所述第一沟槽之间，所述第二沟槽内镀覆有反射膜或填充有吸光材料或填充有折射率小于所述一体式微透镜层的材料；所述一体式微透镜层的另一侧形成有多个微透镜，各个所述微透镜与各个所述第一沟槽对应设置；
14、形成像素阵列层，所述像素阵列层包括呈阵列设置的多个像素单元；
15、将所述一体式微透镜层的所述一侧设置在所述像素阵列层上，并使得各个所述第一沟槽与各个所述像素单元相互对齐；
16、将所述像素阵列层的远离所述一体式微透镜层的一侧设置在驱动电路层上，并使所述驱动电路层与各个所述像素单元电连接。
17、可选地，所述形成一体式微透镜层包括：
18、对透明材料层的一侧进行刻蚀以形成多个所述第一沟槽；
19、在所述第一沟槽内填充色转换单元；
20、对所述透明材料层的所述一侧进行刻蚀以形成多个所述第二沟槽；
21、对所述透明材料层的另一侧进行刻蚀以形成多个所述微透镜。
22、可选地，所述对所述透明材料层的另一侧进行刻蚀以形成多个所述微透镜，包括：
23、在所述透明材料层的另一侧表面形成微凸状的掩模层；
24、利用所述掩模层，对所述透明材料层的另一侧表面进行刻蚀，以形成多个所述微透镜。
25、可选地，在所述透明材料层的另一侧表面形成微凸状的掩模层，包括：
26、在待形成所述掩模层的区域涂覆亲水层；
27、滴注液态掩模，所述液态掩模汇集在涂覆有所述亲水层的区域，并在表面张力作用下形成微凸状；
28、使所述液态掩模固化以形成所述掩模层。
29、可选地，在所述透明材料层的另一侧表面形成微凸状的掩模层，包括：
30、在所述透明材料层的另一侧表面涂覆光刻胶层；
31、对所述光刻胶层进行曝光显影，对于待形成所述掩模层的区域，采用预定光强分布的光线进行照射，若所述光刻胶层为负性光刻胶，所述掩模层中心光强最大，朝向外侧逐渐减小；若所述光刻胶层为正性光刻胶，所述掩模层中心光强最小，朝向外侧逐渐减大。
32、可选地，在对所述透明材料层的所述一侧进行刻蚀以形成多个所述第二沟槽之后，还包括：
33、在所述第二沟槽内填充吸光材料或折射率小于所述一体式微透镜层的材料。
34、可选地，所述形成像素阵列层包括：
35、形成半导体叠层结构，所述半导体叠层结构包括由上至下顺次设置的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
36、对所述半导体叠层结构进行刻蚀，以形成多个像素单元，各个所述像素单元的横截面积在从所述第一导电类型半导体层至所述第二导电类型半导体层的方向上逐渐增大；
37、在所述第一导电类型半导体层表面形成金属电极；
38、在各个所述像素单元之间填充绝缘介质层，所述绝缘介质层的材料的折射率小于所述像素单元的材料的折射率。
39、可选地，在各个所述像素单元之间填充绝缘介质层之后，还包括：
40、将所述像素阵列层倒置，并对所述像素阵列层的远离所述金属电极的一侧进行减薄，以暴露出所述绝缘介质层。
41、在本专利技术实施例的microled显示面板、制造方法及电子设备中，通过在填充有色转换单元的第一沟槽之间形成第二沟槽，且第二沟槽内镀覆有反射膜或填充有吸光材料或填充有折射率小于一体式微透镜层的材料，当第二沟槽填充有吸光材料时，色转换单元朝向相邻色转换单元发出的光均被两者间的吸光材料所吸收，从而可以避免相邻的色转换单元的出光出现串扰；当第二沟槽内镀覆有反射膜或填充有折射率小于一体式微透镜层的材料时，色转换单元朝向相邻色转换单元发出的光会在第二沟槽的侧壁发生全反射，同样可以避免相邻的色转换单元的出光出现串扰。并且，在本专利技术实施例的microled显示面板、制造方法及电子设备中，将现有技术中的微透镜层与色转换层一体形成以形成一体本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种MicroLED显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽。
3.根据权利要求1所述的MicroLED显示面板，其特征在于，所述色转换单元包括量子点材料或荧光粉材料，所述微透镜的焦点位于所述色转换单元的中心点。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的MicroLED显示面板，其特征在于，各个所述像素单元包括沿朝向所述一体式微透镜层方向顺次设置的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述像素单元的横截面积沿朝向所述一体式微透镜层方向顺序增大。
5.根据权利要求4所述的MicroLED显示面板，其特征在于，各个所述像素单元之间填充有绝缘介质层，所述绝缘介质层的材料的折射率小于所述像素单元的材料的折射率。
6.一种电子设备，其特征在于，包括：权利要求1-5中任一项所述的MicroLED显示面板。
7.一种MicroLED显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在
9. 根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述透明材料层的另一侧表面形成微凸状的掩模层，包括：
10.根据权利要求7-9中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述形成像素阵列层包括：
...【技术特征摘要】
1.一种microled显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的microled显示面板，其特征在于，所述第二沟槽的深度大于所述第一沟槽。
3.根据权利要求1所述的microled显示面板，其特征在于，所述色转换单元包括量子点材料或荧光粉材料，所述微透镜的焦点位于所述色转换单元的中心点。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的microled显示面板，其特征在于，各个所述像素单元包括沿朝向所述一体式微透镜层方向顺次设置的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述像素单元的横截面积沿朝向所述一体式微透镜层方向顺序增大。
5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙雷，孙寒，
申请(专利权)人：北京数字光芯集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
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