【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件。
技术介绍
1、目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳能电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳能电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。
2、目前的太阳能电池主要包括单层电池，例如ibc电池(交叉背电极接触电池，interdigitated back contact)、topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)电池、perc电池(钝化发射极和背面电池，passivated emitter and realcell)、hit/hjt电池(heterojunction technology，异质结电池)以及钙钛矿电池等。通过不同的膜层设置以及功能性限定减少光学损失以及降低硅基底表面及体内的光生载流子复合以提升太阳能电池的光电转换效率。
3、背结电池目前可以实现26.7％的实验室光电转换效率，是转换效率最高的单结电池，该结构是通过将pn结制备在电池背面，并且通过提升钝化手段达到其目的。然而，目前的背结电池结构在产业化量产过程中还存在复合较高，电池开路电压较低的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，至少有利于降低电池复合，提高电池开路电压。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种太阳能电
3、在一些实施例中，在沿所述第一方向上，相邻的两个所述掺杂区相邻接。
4、在一些实施例中，在沿所述第一方向上，相邻的两个所述掺杂区之间相间隔。
5、在一些实施例中，在沿所述第一方向上，所述第一掺杂区相对两侧均具有所述第二掺杂区。
6、在一些实施例中，在沿所述第二方向上，所述第一掺杂区呈条状。
7、在一些实施例中，在沿所述第二方向上，所述第一掺杂区包括间隔设置的多个第一子掺杂区，所述第一子掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度。
8、在一些实施例中，所述掺杂区还包括：位于所述第一子掺杂区沿所述第二方向上相对两侧的第三掺杂区，且所述第一子掺杂区的掺杂浓度大于所述第三掺杂区的掺杂浓度。
9、在一些实施例中，所述第一掺杂区的掺杂深度大于所述第二掺杂区的掺杂深度。
10、在一些实施例中，在沿所述第一方向上，任一所述第一掺杂区的宽度为10μm-290μm。
11、在一些实施例中，在沿所述第一方向上，任一所述掺杂区的宽度为20μm-300μm。
12、在一些实施例中，所述第一掺杂区的方阻为20ohm/sq-240ohm/sq，所述第二掺杂区的方阻为150ohm/sq-1000ohm/sq。
13、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种太阳能电池的制造方法，包括：提供基底，所述基底具有相对的正面以及背面；对所述基底正面进行第一掺杂处理，形成沿第一方向排布的多个初始掺杂区；对所述初始掺杂区内的部分区域进行第二掺杂处理，所述第二掺杂处理后的所述初始掺杂区为掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型与所述基底的掺杂类型相同；其中，所述掺杂区包括进行所述第二掺杂处理的第一掺杂区，所述掺杂区还包括未进行所述第二掺杂处理的第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区沿所述第一方向上的至少一侧，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区相邻接，且所述第二掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度；在所述基底背面形成依次层叠的隧穿介质层以及掺杂导电层，且所述掺杂导电层的掺杂类型与所述基底的掺杂类型不同；形成第一电极以及第二电极，多个所述第一电极沿所述第一方向间隔排布于所述基底正面上，所述第一电极沿第二方向延伸，且所述第一掺杂区与相应的所述第一电极电接触，所述第二电极位于所述基底背面，且所述第二电极与所述掺杂导电层电接触。
14、在一些实施例中，所述第一掺杂处理包括：在所述基底正面形成图形化的阻挡层，所述阻挡层中具有露出所述基底正面的开孔；以所述阻挡层为掩膜对所述基底正面进行掺杂，在所述开孔内形成所述初始掺杂区；所述第二掺杂处理后，还包括：去除所述阻挡层。
15、在一些实施例中，所述第二掺杂处理的工艺方法为激光掺杂法。
16、在一些实施例中，所述第二掺杂处理后，还包括:对所述基底正面的所述掺杂区进行退火处理。
17、在一些实施例中，形成所述第一电极以及所述第二电极后，还包括：对所述第一电极以及所述第二电极进行激光扫描处理。
18、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个如上述实施例所述的太阳能电池或者如上述实施例所述的太阳能电池的制造方法形成的太阳能电池电连接而成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。
19、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
20、本公开实施例提供的太阳能电池中，包括：具有相对的正面以及背面的基底；沿第一方向在基底正面间隔排布的多个第一电极，第一电极沿第二方向延伸；沿第一方向排布的多个掺杂区，掺杂区位于基底正面，掺杂区的掺杂类型与基底掺杂类型相同，掺杂区包括第一掺杂区以及位于第一掺杂区沿第一方向上至少一侧的第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区相邻接，且第二掺杂区的掺杂浓度小于第一掺杂区的掺杂浓度，第一掺杂区与相应的第一电极电接触；在基底背面依次层叠的隧穿介质层以及掺杂导电层，且掺杂导电层的掺杂类型与基底的掺杂类型不同；位于基底背面的第二电极，第二电极与掺杂导电层电接触。对于这种位于基底背面掺杂导电层的掺杂类型与基底掺杂类型不同的背结电池而言，为减小基底正面与第一电极接触形成的金属复合，提升电池开路电压，需要在基底正面进行掺杂处理，掺杂浓度越大，掺杂处理对金属复合的减小效果越好。然而，掺杂区本身也会为电池带来一定的复合，掺杂浓度越大，掺杂区带来的复合越大，同样会影响电池的开路电压以及电池性能。本公开实施例设置了用于与相应第一电极电接触的掺杂浓度较高的第一掺杂区，可以有效地减小基底正面与第一电极接触形成本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，相邻的两个所述掺杂区相邻接。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，相邻的两个所述掺杂区之间相间隔。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述第一掺杂区相对两侧均具有所述第二掺杂区。
5.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第二方向上，所述第一掺杂区呈条状。
6.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第二方向上，所述第一掺杂区包括间隔设置的多个第一子掺杂区，所述第一子掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂区还包括：位于所述第一子掺杂区沿所述第二方向上相对两侧的第三掺杂区，且所述第一子掺杂区的掺杂浓度大于所述第三掺杂区的掺杂浓度。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂深度大于所述第二掺杂
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，任一所述第一掺杂区的宽度为10μm-290μm。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，任一所述掺杂区的宽度为20μm-300μm。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区的方阻为20ohm/sq-240ohm/sq，所述第二掺杂区的方阻为150ohm/sq-1000ohm/sq。
12.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂处理包括：
14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二掺杂处理的工艺方法为激光掺杂法。
15.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二掺杂处理后，还包括:
16.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一电极以及所述第二电极后，还包括：
17.一种光伏组件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，相邻的两个所述掺杂区相邻接。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，相邻的两个所述掺杂区之间相间隔。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述第一掺杂区相对两侧均具有所述第二掺杂区。
5.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第二方向上，所述第一掺杂区呈条状。
6.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第二方向上，所述第一掺杂区包括间隔设置的多个第一子掺杂区，所述第一子掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂区还包括：位于所述第一子掺杂区沿所述第二方向上相对两侧的第三掺杂区，且所述第一子掺杂区的掺杂浓度大于所述第三掺杂区的掺杂浓度。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂深度大...
【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，杨洁，郑霈霆，张昕宇，陈金金，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。