【技术实现步骤摘要】
本公开一般而言涉及电子器件的制造领域，并且特别地涉及两个结构的组装方法。更特别地，本公开涉及通过混合接合来组装两个结构的方法。
技术介绍
1、需要改进至少两个结构的组装方法以克服硅通孔或tsv的例如体积方面的缺点。
2、还需要改进已知的混合接合方法，更特别地，需要改进以本领域称为“面对背”(face to back，f2b)的构造混合接合一个结构的正面与另一个结构的背面的方法。
3、需要克服已知方法的全部或部分缺点。
技术实现思路
1、实施例提供了一种通过接合来组装第一晶圆和第二晶圆的方法，包括以下步骤：a)形成第一晶圆，该第一晶圆包括第一半导体层和位于第一半导体层的第一表面侧上的第一金属接触件；b)形成第二晶圆，该第二晶圆包括第二半导体层和位于第二半导体层的第一表面侧上的第二金属接触件；c)在步骤b)之后，将柄部转移并接合到第二晶圆的与第二半导体层相对的表面上；d)在步骤c)之后，去除第二半导体层，以暴露第二金属接触件；以及e)在步骤a)和d)之后，接合第一晶圆和第二晶圆以将第一金属接触件电连接到第二金属接触件。
2、根据实施例，该方法在步骤a)和e)之间包括激活第一金属接触件的与第一半导体层相对的表面，以及在步骤d)和e)之间包括激活在步骤d)期间暴露的第二金属接触件的表面。
3、根据实施例，两个激活步骤在同一步骤期间在同一激活室中的真空下进行。
4、根据实施例，步骤e)在真空下进行，激活步骤不破坏真空。
6、根据实施例，该方法在步骤a)之后包括在第一金属接触件上形成非晶硅层的步骤g)。
7、根据实施例，该方法在步骤b)之前包括在第二半导体层的第一表面侧上在第二半导体层中形成层的步骤。
8、根据实施例，柄部是无源的。
9、根据实施例，柄部是无源的并且包括逻辑电路。
10、根据实施例，在步骤c)期间，柄部通过表面激活接合被接合到第二晶圆。
11、根据实施例，在步骤c)期间，柄部通过粘合剂层被接合到第二晶圆，电接触件经由形成在柄部中的至少一个凸起(boss)形成。
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1.一种通过接合组装第一晶圆和第二晶圆的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，在步骤a)和e)之间包括激活所述第一金属接触件的与所述第一半导体层相对的表面的步骤，以及在步骤d)和e)之间包括激活在步骤d)期间暴露的所述第二金属接触件的表面的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述激活步骤在同一步骤期间在同一激活室中的真空下进行。
4.根据权利要求3所述的方法，其中步骤e)在真空下进行，所述激活步骤不破坏真空。
5.根据权利要求1所述的方法，在步骤b)和c)之间包括在所述第二晶圆上形成热敏元件的步骤f)。
6.根据权利要求1所述的方法，在步骤a)之后包括在所述第一金属接触件上形成另一非晶硅层的步骤g)。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二金属接触件完全延伸穿过所述非晶硅层或介电材料层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述柄部是无源的。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述柄部是有源的并且包括逻辑电路。
10.根据权利要求9所述的方法，其中接合
11.根据权利要求9所述的方法，其中接合所述柄部的步骤c)包括使用粘合剂层将所述柄部接合到所述第二晶圆。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述柄部中形成包括至少一个凸起的电接触件。
13.一种通过接合组装第一晶圆和第二晶圆的方法，包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的方法，在步骤a)和e)之间包括激活所述第一金属接触件的与所述第一半导体层相对的表面的步骤，以及在步骤d)和e)之间包括激活在步骤d)期间暴露的所述第二金属接触件的表面的步骤。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述激活步骤在同一步骤期间在同一激活室中的真空下进行，并且其中步骤e)在真空下进行，所述激活步骤不破坏真空。
16.根据权利要求13所述的方法，在步骤b)和c)之间包括在所述第二晶圆上形成热敏元件的步骤f)。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述柄部是有源的并且包括逻辑电路，并且其中接合所述柄部的步骤c)包括执行所述柄部与所述第二晶圆的表面激活接合。
18.根据权利要求16所述的方法，其中接合所述柄部的步骤c)包括使用粘合剂层将所述柄部接合到所述第二晶圆。
19.一种通过接合组装第一晶圆和第二晶圆的方法，包括以下步骤：
20.根据权利要求19所述的方法，在步骤a)和e)之间包括激活所述第一金属接触件的与所述第一半导体层相对的表面的步骤，以及在步骤d)和e)之间包括激活在步骤d)期间暴露的所述第二金属接触件的表面的步骤。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述激活步骤在同一步骤期间在同一激活室中的真空下进行，并且其中步骤e)在真空下进行，所述激活步骤不破坏真空。
22.根据权利要求19所述的方法，在步骤b)和c)之间包括在所述第二晶圆上形成热敏元件的步骤f)。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述柄部是有源的并且包括逻辑电路，并且其中接合所述柄部的步骤c)包括执行所述柄部与所述第二晶圆的表面激活接合。
24.根据权利要求22所述的方法，其中接合所述柄部的步骤c)包括使用粘合剂层将所述柄部接合到所述第二晶圆。
...【技术特征摘要】
1.一种通过接合组装第一晶圆和第二晶圆的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，在步骤a)和e)之间包括激活所述第一金属接触件的与所述第一半导体层相对的表面的步骤，以及在步骤d)和e)之间包括激活在步骤d)期间暴露的所述第二金属接触件的表面的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述激活步骤在同一步骤期间在同一激活室中的真空下进行。
4.根据权利要求3所述的方法，其中步骤e)在真空下进行，所述激活步骤不破坏真空。
5.根据权利要求1所述的方法，在步骤b)和c)之间包括在所述第二晶圆上形成热敏元件的步骤f)。
6.根据权利要求1所述的方法，在步骤a)之后包括在所述第一金属接触件上形成另一非晶硅层的步骤g)。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二金属接触件完全延伸穿过所述非晶硅层或介电材料层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述柄部是无源的。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述柄部是有源的并且包括逻辑电路。
10.根据权利要求9所述的方法，其中接合所述柄部的步骤c)包括执行所述柄部与所述第二晶圆的表面激活接合。
11.根据权利要求9所述的方法，其中接合所述柄部的步骤c)包括使用粘合剂层将所述柄部接合到所述第二晶圆。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述柄部中形成包括至少一个凸起的电接触件。
13.一种通过接合组装第一晶圆和第二晶圆的方法，包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的方法，在步骤a)和e)之间包括激活所述第一金属接触件的与所述第一半导体层相对的表面的步骤，以...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·洛斯蒂斯，E·德洛弗尔，S·梅尔莫兹，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：
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