【技术实现步骤摘要】
本专利文献涉及一种半导体技术，更具体地涉及一种包括防护环形件的半导体器件。
技术介绍
1、可以在半导体衬底之上形成执行预定功能的集成电路。集成电路可以形成在多个芯片区域的每一个中，并且划道区域可以存在于多个芯片区域之间以将多个芯片区域彼此区分。
2、在形成集成电路之后，可以执行对划道区域中的半导体衬底进行切割的锯切工艺以将多个半导体芯片彼此物理分离。
3、同时，在锯切工艺期间产生的应力可能会被传递到构成芯片区域中的集成电路的材料层中，因此导致各种缺陷，诸如裂纹。为了防止这些缺陷，可以形成围绕芯片区域的防护环形件。
技术实现思路
1、在实施例中，一种半导体器件可以包括：半导体衬底；以及防护环形件，该防护环形件包括多个导电图案和导电插塞，多个导电图案在第一方向上堆叠在半导体衬底之上而彼此间隔开，导电插塞设置在多个导电图案之中的两个相邻的导电图案之间，第一方向垂直于半导体衬底的顶表面，其中，导电插塞包括多个长图案和多个短图案，多个长图案在第二方向上延伸而彼此平行并且在第三方向上彼此间隔开，多个短图案在第三方向上延伸、设置在多个长图案之中的两个相邻的长图案之间以连接两个相邻的长图案、以及在第二方向上彼此间隔开，第二方向与第三方向交叉，第二方向和第三方向平行于半导体衬底的顶表面，以及其中，内部绝缘层通过设置在两个相邻的长图案中的至少一个长图案中的开口部分连接到外部绝缘层和另一个内部绝缘层中的至少一者，该内部绝缘层具有被两个相邻的长图案和多个短图案之中的两个相邻的短图案
2、在另一实施例中，一种半导体器件可以包括：半导体衬底；以及防护环形件，该防护环形件包括多个导电图案和导电插塞，多个导电图案在第一方向上堆叠在半导体衬底之上而彼此间隔开，导电插塞设置在多个导电图案之中的两个相邻的导电图案之间，第一方向垂直于半导体衬底的顶表面，其中，导电插塞包括多个长图案和多个短图案，多个长图案在第二方向上延伸而彼此平行并且在第三方向上彼此间隔开，多个短图案在第三方向上延伸、设置在多个长图案之中的两个相邻的长图案之间而连接两个相邻的长图案、以及在第二方向上彼此间隔开，第二方向与第三方向交叉，第二方向和第三方向平行于半导体衬底的顶表面，以及其中，多个长图案中的至少一个长图案具有在多个短图案之中的两个相邻的短图案之间进行切割的形状。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个长图案包括第一长图案、第二长图案和第三长图案，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一内部绝缘层通过所述第一开口部分连接到所述外部绝缘层，以及
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一内部绝缘层和所述第二内部绝缘层通过所述第三开口部分彼此连接。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一内部绝缘层通过所述第一开口部分连接到所述外部绝缘层，
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一开口部分位于所述多个第一短图案之中的两个相邻的第一短图案之间，并且所述第二开口部分位于所述多个第二短图案之中的两个相邻的第二短图案之间。
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第三开口部分位于所述多个第一短图案中的一个第一短图案与所述多个第二短图案中的一个第二短图案之间，所述一个第一短图案与所述一个第二短图案相邻。
8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，第二短图案位于所述多个第一短图案之中的两个
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底包括：设置有集成电路的第一区域、和设置有所述防护环形件的第二区域。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个导电图案和所述多个长图案各自具有围绕所述第一区域的环形。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个导电图案中的至少一个导电图案包括内部导电图案和外部导电图案，所述内部导电图案具有围绕所述第一区域的环形，所述外部导电图案具有围绕所述内部导电图案的环形。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述导电插塞包括内部导电插塞和外部导电插塞，当在平面图中观察时，所述内部导电插塞和所述外部导电插塞分别与所述内部导电图案和所述外部导电图案重叠。
13.一种半导体器件，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述多个长图案包括第一长图案，第二长图案和第三长图案，
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述导电插塞包括所述第一种情况和所述第二种情况。
16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述导电插塞包括所述第三种情况。
17.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述导电插塞包括所述第一种情况、所述第二种情况以及所述第三种情况。
18.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，第一内部绝缘层具有由所述第一长图案、所述第二长图案以及所述两个相邻的第一短图案围绕的侧表面，而第二内部绝缘层具有由所述第二长图案、所述第三长图案以及所述两个相邻的第二短图案围绕的侧表面，
19.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底包括：设置有集成电路的第一区域、和设置有所述防护环形件的第二区域。
20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，所述多个导电图案和所述多个长图案各自具有围绕所述第一区域的环形。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个长图案包括第一长图案、第二长图案和第三长图案，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一内部绝缘层通过所述第一开口部分连接到所述外部绝缘层，以及
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一内部绝缘层和所述第二内部绝缘层通过所述第三开口部分彼此连接。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一内部绝缘层通过所述第一开口部分连接到所述外部绝缘层，
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一开口部分位于所述多个第一短图案之中的两个相邻的第一短图案之间，并且所述第二开口部分位于所述多个第二短图案之中的两个相邻的第二短图案之间。
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第三开口部分位于所述多个第一短图案中的一个第一短图案与所述多个第二短图案中的一个第二短图案之间，所述一个第一短图案与所述一个第二短图案相邻。
8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，第二短图案位于所述多个第一短图案之中的两个相邻的第一短图案之间，以及
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底包括：设置有集成电路的第一区域、和设置有所述防护环形件的第二区域。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个导电图案和所述多个长图案各自具有围绕所述第一区域的环形。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多个导...
【专利技术属性】
技术研发人员：禹斌，申承寅，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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