【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、以及封装结构。
技术介绍
1、随着集成电路的制造向超大规模集成电路(ulsi)发展，其内部的电路密度越来越大，所含元件数量不断增加，使得晶片的表面无法提供足够的面积来制造所需的互连线。为了配合元件缩小后所增加的互连线需求，利用互连线及互连通孔结构实现的两层以上的多层互连线的设计，成为超大规模集成电路技术所必须采用的方法。
2、在半导体器件的后段制作过程中，不同互连线之间通过通孔(via)结构实现连接，但随着关键尺寸的不断缩小，导致通孔互连结构的制备受到限制。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法、以及封装结构，提高半导体结构的性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底；介电层，位于所述基底上，所述介电层中掩埋有互连层；通孔结构，位于所述互连层上方的介电层中，所述通孔结构包括互连通孔结构和伪通孔结构，所述互连通孔结构和伪通孔结构的顶面相齐平，所述互连通孔结构连接所述互连层，所述伪通孔结构的高度小于所述互连通孔结构的高度，以使所述伪通孔结构和互连层之间在纵向上具有间隔。
3、相应的，本专利技术实施例还提供一种封装结构，包括：堆叠键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和第二晶圆均包括本专利技术实施例所述的半导体结构；其中，所述第一晶圆的键合面和第二晶圆的键合面相对设置并键合，且位于所述第一晶圆中的键合焊垫与位于
4、相应的，本专利技术实施例还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；形成位于所述基底上的介电层，所述介电层中掩埋有互连层；在所述互连层上方的介电层中形成通孔结构，所述通孔结构包括互连通孔结构和伪通孔结构，所述互连通孔结构和伪通孔结构的顶面相齐平，所述互连通孔结构连接所述互连层，所述伪通孔结构的高度小于所述互连通孔结构的高度，以使所述伪通孔结构和互连层之间在纵向上具有间隔。
5、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
6、本专利技术实施例提供的半导体结构中，通孔结构不仅包括用于连接所述互连层的互连通孔结构，还包括顶面与互连通孔结构相齐平的伪通孔结构，通过增加所述伪通孔结构，有利于提高所述通孔结构整体的分布均匀性和图形密度均一性，从而提高所述互连通孔结构的尺寸均一性，同时，所述伪通孔结构的高度小于所述互连通孔结构的高度，以使所述伪通孔结构和互连层之间在纵向上具有间隔，这有利于克服互连层和互连通孔结构之间的密度差异对制备伪通孔结构的限制，从而能够在设置有所述伪通孔结构的情况下，降低所述伪通孔结构与互连层错误连接的概率，进而提高了所述半导体结构的性能。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层背向所述基底的面为键合面；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述键合焊垫呈阵列排布。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述伪通孔结构与所述伪键合焊垫相连接，或者，所述伪通孔结构与所述伪键合焊垫错开设置。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述伪键合焊垫与所述伪通孔结构一一对应并相连接，或者，同一个所述伪键合焊垫连接多个所述伪通孔结构。
6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，相连接的所述键合焊垫与通孔结构为一体结构。
7.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述互连通孔结构和伪通孔结构的材料相同。
8.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述伪通孔结构和所述互连通孔结构的高度差为0.01微米～10微米。
9.一种封装结构，其特征在于，包括：
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.
12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述通孔结构的步骤包括：在所述互连层背向所述基底的一侧，在所述介电层中形成互连通孔，所述互连通孔包括第一互连通孔和第二互连通孔，所述第一互连通孔底部暴露所述互连层，所述第二互连通孔的深度小于所述第一互连通孔的深度，以使所述第二互连通孔和互连层之间在纵向上具有间隔；
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述基底上的介电层的步骤中，所述介电层的厚度值达到目标值，所述介电层背向所述基底的面为键合面；
14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述基底上的介电层的步骤包括：在所述基底上形成具有第一厚度值的介电层；在已形成的所述介电层上形成具有第二厚度值的介电层，以使所述介电层的总厚度达到目标值，所述具有第二厚度值的介电层背向所述基底的面为键合面；
15.如权利要求12～14中任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述互连通孔的步骤包括：形成覆盖所述介电层的光掩膜材料层；
16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述光掩膜材料层的不同区域进行不同深度的曝光的步骤包括：提供光罩，所述光罩包括多种具有不同透光性的透光区；
17.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述通孔结构上方的剩余厚度的介电层中形成多个键合焊垫的步骤中，多个所述键合焊垫呈阵列排布。
18.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述通孔结构上方的剩余厚度的介电层中形成多个键合焊垫的步骤中，所述伪键合焊垫与所述伪通孔结构相连接，或者，所述伪键合焊垫与所述伪通孔结构错开设置。
19.如权利要求18所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪键合焊垫与所述伪通孔结构一一对应并相连接，或者，同一个所述伪键合焊垫连接多个所述伪通孔结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介电层背向所述基底的面为键合面；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述键合焊垫呈阵列排布。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述伪通孔结构与所述伪键合焊垫相连接，或者，所述伪通孔结构与所述伪键合焊垫错开设置。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述伪键合焊垫与所述伪通孔结构一一对应并相连接，或者，同一个所述伪键合焊垫连接多个所述伪通孔结构。
6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，相连接的所述键合焊垫与通孔结构为一体结构。
7.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述互连通孔结构和伪通孔结构的材料相同。
8.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述伪通孔结构和所述互连通孔结构的高度差为0.01微米～10微米。
9.一种封装结构，其特征在于，包括：
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介电层背向所述基底的面为键合面，所述形成方法还包括：
12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述通孔结构的步骤包括：在所述互连层背向所述基底的一侧，在所述介电层中形成互连通孔，所述互连通孔包括第一互连通孔和第二互连通孔，所述第一互连通孔底部暴露所述互连层，所述第二互连通孔的深度小于所述第一互连通孔的深度，以使所...
【专利技术属性】
技术研发人员：史鲁斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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