本发明专利技术提供玻璃粉组合物、光敏障壁糊、ＰＤＰ和ＰＤＰ的制法。该材料是光敏性的并且由环境友好（不含Ｐｂ或Ｂｉ）且还防止光散射的玻璃粉组合物制成。该玻璃粉的主要组分为Ｐ↓［２］Ｏ↓［５］。在该障壁形成材料中还可包括其它组分如碱金属氧化物、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］、ＳｉＯ↓［２］等。由该玻璃粉形成的障壁可另外包括光敏有机材料，该光敏有机材料可包括交联剂、多官能单体或低聚物、光引发剂、粘合剂和添加剂。还提供形成包括该玻璃粉组合物的障壁的方法以及包括这种障壁的ＰＤＰ。
【技术实现步骤摘要】
玻璃粉组合物、光每文障壁糊、PDP和PDP的制法相关专利申请的交叉引用本申请要求2008年9月11日提交的美国临时专利申请No. 61/096,251和2009年6月24日提交的美国专利申请No. 12/491,189的优先权，其公开内容全部引入本文作为参考。
技术介绍
目前可用于形成PDP障壁的方法的实例包括喷砂法、化学蚀刻法和光刻法。这些方法与用于使各种障壁结构显影的各种技术一起进行以获得高质量图像、简化制造过程和降低制造成本、以及减少废物。对于光刻法，在烧结介电层糊之前，涂覆用于形成障壁的糊并对该用于形成障壁的糊进行曝光和显影过程，然后同时烧结该介电层糊和经显影的用于形成障壁的糊。同时，对于喷砂法和化学蚀刻法，在蚀刻用于形成障壁的糊之前烧结介电层。这是由于在喷砂法和化学蚀刻法中蚀刻用于形成障壁的糊可损坏介电层的事实。在涂覆介电层糊和用于形成障壁的糊之前已形成的基板或电极可由于热而变形或损坏。因此，为了防止这种变形和损坏，应使烧结过程的次数最小化。由于这些原因，光刻法相对于喷^>、法和化学蚀刻法是有利的。光刻法简单并且可用于形成固定的障壁。由于光敏障壁通过曝光过程形成，因此用于形成障壁的糊可由具有类似于光敏有机材料的折射率的材料组成。如果形成用于形成障壁的糊的玻璃粉具有不同于光敏有机材料的折射率，则不期望的区域可暴露于折射光。本实施方式克月良相关领域中的以上问题并且还提供额外的优点。
技术实现思路
一些实施方式涉及玻璃粉组合物，其包括约40至约70重量份的量的P205、约1至约20重量份的量的BaO、 SrO或其混合物、约1至约30重量份的量的ZnO和约1至约15重量份的量的A1203。在一些实施方式中，该组合物的平均光折射率为约1.5至约1.6。4在一些实施方式中，该玻璃粉为用于形成光敏障壁的组合物。在一些实施方式中，该组合物基本上不含Pb或Bi。一些实施方式进一步包括选自Li20、 Na20和K20的i威金属氧化物，其中该碱金属氧化物的量为3重量份或更少。在一些实施方式中，该组合物进一步包括约1至约15重量份的量的B203。在一些实施方式中，该组合物进一步包括约5重量份或更少的量的Si02。在一些实施方式中，该组合物的热膨胀系数为约70xlO力。C至约85xl0力。C。一些实施方式涉及光敏障壁糊，包括玻璃粉组合物，其包括约40至约70重量份的量的P205、约1至约20重量份的量的BaO、 SrO或其混合物、约1至约30重量份的量的ZnO和约1至约15重量份的量的A1203，填料，和光敏有机材料，其中该玻璃粉组合物的折射率为约1.5至约1.6，和其中该光敏有机材料的折射率为约1.5至约1.6。在一些实施方式中，该玻璃粉组合物基本上不含Pb或Bi。在一些实施方式中，该玻璃粉组合物进一步包括选自Li20、 Na20和K20的碱金属氧化物，其中该碱金属氧化物的量为约3重量份或更少。在一些实施方式中，该玻璃粉组合物进一步包括约1至约15重量份的量的B203。在一些实施方式中，该玻璃粉组合物进一步包括约5重量份或更少的量的Si02。在一些实施方式中，其中该玻璃粉组合物的热膨胀系数为约70xlO力。C至约85xl0力。C。一些实施方式涉及等离子体显示面板，包括障壁，其包括玻璃粉组合物，其包括约40至约70重量份的量的P205、约1至约20重量份的量的BaO、 SrO或其混合物、约1至约30重量份的量的ZnO和约1至约15重量份的量的A1203，其中该玻璃粉组合物的折射率为约1.5至约1.6。在一些实施方式中，该玻璃粉组合物基本上不含Pb或Bi。在一些实施方式中，该玻璃粉进一步包括选自Li20、 Na20和K20的碱金属氧化物，其中该碱金属氧化物的量为约3重量份或更少。在一些实施方式中，该玻璃粉进一步包括约1至约15重量份的量的B203。在一些实施方式中，该玻璃粉进一步包括约0至约5重量份的量的Si02。一些实施方式涉及制造等离子体显示面板的方法，包括如下步骤提供基板，将以上实施方式的光敏障壁糊涂覆到该基板上，以及使用光刻法将该糊显影。附图说明通过参照附图详细描述其示例性实施方式，本实施方式的以上和其它特征及优点将变得更加明晰，在附图中图1-5是说明使用根据本专利技术构思的实施方式的障壁形成材料和光刻法制造PDP障壁的方法的截面图6是包括PDP障壁的PDP的分解透视图；和图7是沿图6的PDP的线I-I'的截面图。具体实施例方式现在参考附图更充分地描述本实施方式，在附图中显示出示例性实施方式。本实施方式提供环境友好且在使用光刻法形成障壁时可使用的障壁形成材料、使用该障壁形成材料所形成的障壁、以及包括该障壁的等离子体显示面板(PDP)。本实施方式提供具有类似于光敏有机材料的折射率的玻璃粉组合物，其中该玻璃粉组合物用于形成光敏障壁。具体而言，为了防止曝光过程中的光散射，该玻璃粉组合物的平均折射率可为约1.5至约1.6。而且，本实施方式提供由于不包括铅(Pb)和铋(Bi)而环境友好的障壁形成材料作为用在光刻法中的障壁形成材料。由于环境原因，以铋(Bi)代替铅(Pb)用在作为障壁形成材料的玻璃粉组合物中。在这点上，当使用氧化铅(PbO)的副产物氧化铋(Bi203)代替氧化铅(PbO)时，可容易地控制玻璃粉的软化温度或热膨胀系数，使得可稳定地形成无定形玻璃的障壁。然而，Bi203在价格方面是不稳定的，因为Bi203以非常小的量生产。另夕卜，像PbO—样，Bb03是有害的。因此，需要开发也不包括铋(Bi)的玻璃粉组合物。常规地，碱金属如锂(Li)也用作在光刻法中使用的障壁形成材料。由于该碱金属，可容易地控制玻璃粉组合物的软化温度和热膨胀系数，并且还可将玻璃粉组合物的折射率维持在低水平使得玻璃粉组合物的折射率与光敏有机材料的折射率之间的差可最小化。然而，当碱金属用得太多时，障壁变得不稳定并且在障壁/电介质/玻璃基板之间发生离子交换反应，由此在玻璃基板中形成裂紋或导致障壁形成材料与银电极之间的反应和泛黄现象。因此，需要将对于电子部件有害的碱金属的含量最小化。作为在光刻法中使用所要求的其它物理特性，玻璃粉组合物的折射率应为约1.5至约1.6以防止曝光过程中光的散射。本实施方式提供作为用在光刻法中的障壁形成组合物的玻璃粉组合物。具体而言，该玻璃粉组合物不包括铅(Pb)和铋(Bi)，因而是环境友好的。而且，将该玻璃粉组合物中所含的碱金属的含量控制成尽可能地小，使得可防止在基板中的由金属导致的离子交换反应所造成的泛黄现象或裂紋。本实施方式还提供使用该玻璃粉组合物形成的障壁和包括该障壁的PDP。光敏障壁形成材料根据本专利技术构思的实施方式的玻璃粉组合物包括P205作为主要组分。在本说明书中，术语主要组分是指在玻璃粉组合物中占主导地位的组分。在该玻璃粉组合物中，？205的含量为约40至约70重量份，BaO、 SrO或其混合物的含量为约1至约20重量份，ZnO为约1至约30重量份，且A1203为约1至约15重量份。玻璃粉组合物中，主要组分P205的含量可为约40至约70重量份。如果P2Os的含量大于70重量份，则该玻璃粉组合物容易结晶且不能形成稳定的障壁，并且耐水特性可劣化。另一方面，如果P2O5的含量小于40重量份，则该玻璃粉组合物的软本文档来自技高网...
【技术保护点】
玻璃粉组合物，包括约４０至约７０重量份的量的Ｐ↓［２］Ｏ↓［５］、约１至约２０重量份的量的ＢａＯ、ＳｒＯ或其混合物、约１至约３０重量份的量的ＺｎＯ和约１至约１５重量份的量的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］。
【技术特征摘要】
US 2008-9-11 61/096,251;US 2009-6-24 12/491,1891.玻璃粉组合物，包括约40至约70重量份的量的P2O5、约1至约20重量份的量的BaO、SrO或其混合物、约1至约30重量份的量的ZnO和约1至约15重量份的量的Al2O3。2. 权利要求1的玻璃粉组合物，其中该组合物的平均光折射率为约1.5 至约1.6。3. 权利要求1的玻璃粉组合物，其中该组合物基本上不含Pb或Bi。4. 权利要求1的玻璃粉组合物，进一步包括选自Li20、 Na20和K20的 碱金属氧化物，其中该碱金属氧化物的量为大于0重量份且3重量份或更少。5. 权利要求1的玻璃粉组合物，其中该组合物进一步包括约1至约15 重量份的量的8203。6. 权利要求1的玻璃粉组合物，其中该组合物进一步包括大于0重量份 且约5重量份或更少的量的Si02。7. 权利要求1的玻璃粉组合物，其中该组合物的热膨胀系数为约70 x 10力。C至约85 x 10力。C。8. 权利要求l-7任一项的玻璃粉组合物在形成光敏障壁中的用途。9. 光^:障壁糊，包括玻璃粉组合物，其包括约40至约70重量份的量的P205、约1至约20 重量份的量的BaO、 SrO或其混合物、约1至约30重量份的量的ZnO和约 1至约15重量份的量的A1203,填料，和光敏有机材料，其中该玻璃粉组合物的折射率为约1.5至约1.6，和 其中该光敏有机材料的折射率为约1.5至约1.6。10. 权利要求9的光敏障壁糊，其中该玻璃粉...
【专利技术属性】
技术研发人员：李范旭，崔钟书，崔龟锡，林明德，张范镇，黄淙熙，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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