【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置。
技术介绍
1、量子点材料因具有独特的光学特性而被广泛应用于发光领域。比如量子点材料可以用其作发光层可制成量子点发光二极管(qled)。
2、然而，目前常用的量子点材料，由于其尺寸小、比表面积大，且表面缺陷、悬挂键较多等，严重影响了其发光效率和稳定性等性能，从而影响了量子点材料的应用。目前可以通过在合成和应用时在量子点材料的表面添加配体来提高其应用性能。但量子点材料的表面配体，如油酸、油胺、top、硫醇等，虽然可以提高量子点在非极性溶剂中的分散性，但也会引起成膜后量子点间距较大、空间位阻较大等问题，同样影响了其应用。因此，如何提高量子点材料的发光效率和稳定性等，是量子点材料广泛应用所要解决的问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置，旨在提高量子点材料的发光效率。
2、本申请实施例是这样实现的，提供一种复合材料，所述复合材料包含量子点及配位连接至所述量子点表面的金属碳化物。
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述复合材料由所述量子点以及配位连接在所述量子点表面的所述金属碳化物组成。
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属碳化物中的金属元素的功函数在4.2～4.4ev；和/或所述金属碳化物的平均片径为0.5～2nm；和/或所述量子点的平均粒径为8～12nm；和/或所述金属碳化物与所述量子点的质量比为(8～10
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属碳化物选自碳化锌、碳化钛中的一种或多种
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点表面还连接有第一配体，所述第一配体选自羧酸类配体、硫醇类配体、胺类配体、膦类配体以及聚乙烯基吡啶中的一种或多种。
8、相应的，本申请实施例还提供一种复合材料的制备方法，包括：提供量子点、金属碳化物以及第一溶剂；将所述量子点、所述金属碳化物与所述第一溶剂混合，得到复合材料；其中，所述复合材料中，所述金属碳化物与所述量子点的表面配位连接。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属碳化物中的金属元素的功函数在4.2～4.4ev；和/或所述金属碳化物的平均片径为0.5～2nm；和/或所述量子点的平均粒径为8～12nm。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属碳化物选自碳化锌、碳化钛中的一种或多种；和/或所述量子点选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一溶剂选自非极性溶剂；和/或所述金属碳化物与所述量子本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包含量子点及配位连接至所述量子点表面的金属碳化物。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述量子点以及配位连接在所述量子点表面的所述金属碳化物组成。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属碳化物中的金属元素的功函数在4.2～4.4eV；和/或
4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述金属碳化物选自碳化锌、碳化钛中的一种或多种；和/或
5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述量子点的表面还连接有第一配体，所述第一配体选自羧酸类配体、硫醇类配体、胺类配体、膦类配体以及聚乙烯基吡啶中的一种或多种。
6.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述金属碳化物中的金属元素的功函数在4.2～4.4eV；和/或
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属碳化物选自碳化锌、碳化钛中的一种或多种；和/或
9.根据权利要求8所述的制备方法，
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述量子点表面还连接有第一配体，所述第一配体选自羧酸类配体、硫醇类配体、胺类配体、膦类配体以及聚乙烯基吡啶中的一种或多种；和/或
11.一种光电器件，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的光电器件，其特征在于，所述阴极和所述阳极各自独立选自金属电极、碳电极、掺杂或非掺杂金属氧化物电极以及复合电极中的一种或多种；其中，所述金属电极的材料选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的至少一种；所述复合电极的材料选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的至少一种。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求11-12任意一项所述的光电器件。
...【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包含量子点及配位连接至所述量子点表面的金属碳化物。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料由所述量子点以及配位连接在所述量子点表面的所述金属碳化物组成。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料，其特征在于，所述金属碳化物中的金属元素的功函数在4.2～4.4ev；和/或
4.根据权利要求3所述的复合材料，其特征在于，所述金属碳化物选自碳化锌、碳化钛中的一种或多种；和/或
5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述量子点的表面还连接有第一配体，所述第一配体选自羧酸类配体、硫醇类配体、胺类配体、膦类配体以及聚乙烯基吡啶中的一种或多种。
6.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述金属碳化物中的金属元素的功函数在4.2～4.4ev；和/或
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述金属碳化物选自碳化锌、碳化钛中的一种或多种；和/或
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一溶剂选自非极性溶剂；和/或
10.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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