【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种边缘发射的半导体激光二极管，具有：
2.根据前一项权利要求所述的边缘发射的半导体激光二极管，
3.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，
4.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，其中
5.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，其中
6.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，其中
7.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，其中
8.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，
9.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，
10.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，
11.一种包括至少两个根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管的阵列。
12.一种用于制造多个边缘发射的半导体激光二极管的方法，所述方法具有以下步骤：
13.根据前一项权利要求所述的方法，其中
14.根据前一项权利要求所述的方
15.根据权利要求12所述的方法，
16.根据权利要求12或15之一所述的方法，
17.据权利要求15至16之一所述的方法，
18.一种用于制造多个边缘发射的半导体激光二极管的方法，所述方法具有以下步骤：
19.根据前一项权利要求所述的方法，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种边缘发射的半导体激光二极管，具有：
2.根据前一项权利要求所述的边缘发射的半导体激光二极管，
3.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，
4.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，其中
5.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，其中
6.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，其中
7.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，其中
8.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，
9.根据前述权利要求之一所述的边缘发射的半导体激光二极管，
10....
【专利技术属性】
技术研发人员：斯文·格哈德，阿尔弗雷德·莱尔，克里斯托夫·艾希勒，
申请(专利权)人：AMS欧司朗国际有限公司，
类型：发明
国别省市：
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