【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种多层电子组件。
技术介绍
1、多层陶瓷电容器(mlcc，一种多层电子组件)可以是安装在各种电子产品(诸如成像装置(诸如液晶显示器(lcd)或等离子显示面板(pdp))、计算机、智能电话或移动电话)的印刷电路板上以用于在其中充电或从其放电的片式电容器。
2、由于mlcc小型化、具有高电容并且容易安装，因此mlcc可用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机和移动装置的各种电子装置中的每种电子装置具有更小的尺寸和更高的输出，对具有更小的尺寸和更高的电容的mlcc的需求不断增加。
3、然而，mlcc即使在具有小尺寸时也需要保持等效电容，因此还需要mlcc的介电层和内电极均具有小的厚度和多层结构。mlcc的电容可与介电层的介电常数和内电极的有效面积成正比，并且与介电层的厚度成反比。这里，与增加介电层的相对介电常数相比，通过使介电层和内电极各自具有较小的厚度和多层结构或者通过增加内电极的连接性来增加有效电极面积以实现更高的电容可能是更容易的，因此正在积极地对其进行研究。
4、为了使mlcc具有更小的厚度，首先需要开发用于使介电层和内电极的材料微粒化的技术。当材料被微粒化以具有纳米尺寸时，其熔点可能较低，这可能导致较低的热收缩起始温度。在金属材料的情况下，由于其尺寸减小而导致的较低的热收缩起始温度可能高于陶瓷材料的热收缩起始温度，导致介电层的热收缩温度和内电极的热收缩温度的差异。随着介电层的热收缩温度和内电极的热收缩温度的差异增大，内电极的连接性在其烧结工艺期间可能较低，这可能导致较低的电容和较
5、目前使用的用于减小介电层的热收缩温度和内电极的热收缩温度差异的方法是将纳米尺寸的钛酸钡(batio3)作为其共烧材料添加到内电极中。然而，为了使内电极具有较小的厚度，可能需要添加大量的钛酸钡共烧材料。结果，内电极可具有较低的膜密度，并且共烧材料因此可被吸收到介电层中，因而增加介电层的厚度，从而导致较低的电容。因此，需要开发具有高于钛酸钡的热稳定性的新的共烧材料。
技术实现思路
1、本公开的一方面可提供一种具有改善的内电极连接性的多层电子组件。
2、然而，本公开的各方面不限于以上描述中描述的方面，并且可在本公开的具体示例性实施例的描述中更容易地理解。
3、根据本公开的一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体外部并且连接到所述内电极，其中，当所述内电极包括铪(hf)时，1.5≤hfs/hfc≤5.0，hfc表示内电极的中心的平均hf含量(at％)，hfs表示从所述内电极的中心到所述内电极与所述介电层之间的界面测量的所述内电极的平均hf含量(at％)。
4、根据本公开的一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层和包含氧化铪的内电极；以及外电极，设置在所述主体外部并且连接到所述内电极。
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1.一种多层电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的Hf的平均原子含量从所述至少一个内电极的中心朝向所述界面逐渐增加。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，1.5≤Hfs1/Hfc≤5.0，Hfs1表示在从所述界面朝向所述至少一个内电极的中心100nm内的区域中的Hf的平均原子含量。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的Hf的平均含量大于等于0.01at％且小于等于20.0at％。
5.根据权利要求4所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的Hf的平均含量大于等于5.0at％且小于等于20.0at％。
6.根据权利要求5所述的多层电子组件，其中，Hf以氧化铪的形式存在。
7.根据权利要求6所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的氧化铪的面积相对于所述至少一个内电极的面积为0.001％或更大且1.0％或更小。
8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的Hf的平均
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极具有0.6μm或更小的平均厚度。
10.根据权利要求9所述的多层电子组件，其中，所述介电层具有0.6μm或更小的平均厚度。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述主体包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，
12.根据权利要求11所述的多层电子组件，其中，所述主体还包括边缘部，所述边缘部设置在所述主体的在所述第三方向上彼此相对的两个端表面中的每个上。
13.一种多层电子组件，包括：
14.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，1.5≤Hfs/Hfc≤5.0，Hfc表示至少一个内电极的中心的Hf的平均原子含量，Hfs表示从所述至少一个内电极的中心到所述至少一个内电极与所述介电层之间的界面测量的所述至少一个内电极中的Hf的平均原子含量。
15.根据权利要求14所述的多层电子组件，其中，1.5≤Hfs1/Hfc≤5.0，Hfs1表示从所述界面朝向所述至少一个内电极的中心100nm内的区域中的Hf的平均原子含量。
16.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，至少一个内电极中包括的Hf的平均含量大于等于0.01at％且小于等于20.0at％。
17.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，至少一个内电极中包括的氧化铪的面积相对于所述至少一个内电极的面积为0.001％或更大且1.0％或更小。
18.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，1.5≤Hfs2/Hfc≤5.0，Hfc表示所述内电极的中心的Hf的平均原子含量，Hfs2表示所述内电极在其与所述介电层接触的界面处的Hf的平均原子含量。
...【技术特征摘要】
1.一种多层电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的hf的平均原子含量从所述至少一个内电极的中心朝向所述界面逐渐增加。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，1.5≤hfs1/hfc≤5.0，hfs1表示在从所述界面朝向所述至少一个内电极的中心100nm内的区域中的hf的平均原子含量。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的hf的平均含量大于等于0.01at％且小于等于20.0at％。
5.根据权利要求4所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的hf的平均含量大于等于5.0at％且小于等于20.0at％。
6.根据权利要求5所述的多层电子组件，其中，hf以氧化铪的形式存在。
7.根据权利要求6所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的氧化铪的面积相对于所述至少一个内电极的面积为0.001％或更大且1.0％或更小。
8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的hf的平均含量大于等于0.025wt％且小于等于50.0wt％。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极具有0.6μm或更小的平均厚度。
10.根据权利要求9所述的多层电子组件，其中，所述介电层具有0.6μm或更小的平均厚度。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述主体包括在第一方向上彼此相对的第一表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄现俊，朴辰琼，郑善日，李佶勇，姜秀智，郑文成，张原硕，金政民，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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