一种积分式漏电保护装置制造方法及图纸

本技术涉及一种积分式漏电保护装置，包括，磁环，所述磁环上缠绕有线圈；脱扣器；积分式漏电保护电路，所述积分式漏电保护电路包括储能电容单元、RC延时单元、电压检测单元和驱动管单元，所述储能电容单元包括第一电容C1和第五电容C5，所述第一电容C1的一端连接电源端、另一端连接第五电容C5，所述第五电容C5的一端连接接地端；其中，所述积分式漏电保护电路还包括开关二极管D1，所述开关二极管D1的1号引脚和2号引脚分别连接第五电容C5接地端和的第一电容C1电源端，所述磁环的第二引脚连接第一电容C1和第五电容C5的相连端。本技术的有益效果为：通过采用半波整流的方式，从而能够减少磁环上线圈的匝数，降低了生产的成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及漏电保护，特别涉及一种积分式漏电保护装置。

技术介绍

1、现有的漏电保护装置一般是使某一相线的火线、零线穿过缠绕有线圈的磁环，当漏电发生的时候，会在磁环的线圈上产生感应电动势，电路再根据检测到的感应电动势发出漏电信号到控制执行机构，使控制执行机构动作自动切断故障处的电路。但现有的电路中一般都是采用全波整流的方式，而用于整流的二极管一般有4个，因此就需要进一步提高磁环的输出电压，所以就导致磁环上线圈的匝数变多，一般一个磁环上线圈有700扎左右，导致生产成本上升，并难以降低。

技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种积分式漏电保护装置，以解决上述问题。

2、本技术的技术方案是这样实现的：一种积分式漏电保护装置，包括，

3、磁环，所述磁环上缠绕有线圈；

4、脱扣器；

5、积分式漏电保护电路，所述积分式漏电保护电路包括储能电容单元、rc延时单元、电压检测单元和驱动管单元，所述储能电容单元包括第一电容c1和第五电容c5，所述第一电容c1的一端连接电源端、另一端连接第五电容c5，所述第五电容c5的一端连接接地端；

6、其中，所述积分式漏电保护电路还包括开关二极管d1，所述开关二极管d1的1号引脚和2号引脚分别连接第五电容c5接地端和的第一电容c1电源端，所述磁环的第二引脚连接第一电容c1和第五电容c5的相连端。

7、本技术进一步设置为：所述储能电容单元还包括第六电阻r6、第二电容c2和第七电容c7，所述第二电容c2的一端均连接电源端、另一端连接第七电容c7，所述第七电容c7的一端连接接地端，所述第一电容c1和第五电容c5的连接点与第二电容c2和第七电容c7的连接点相连，所述第六电阻r6的两端分别连接第一电容c1的电源端和第五电容c5的接地端。

8、本技术进一步设置为：所述积分式漏电保护电路还包括调节电路单元，所述调节电路单元包括并联连接的第四电阻r4和第四电容c4，所述第四电容c4至少设有一个，所述第四电容c4的上端连接磁环的第一引脚，所述第四电容c4的上端通过第一电阻r1连接开关二极管d1的3号引脚，所述磁环的第二引脚连接第四电容c4远离的下端。

9、本技术进一步设置为：所述调节电路单元还包括瞬态电压抑制二极管d3，所述瞬态电压抑制二极管d3与第四电阻r4并联。

10、本技术进一步设置为：所述rc延时单元包括第三电阻r3、第二电阻r2、第九电容c9，所述第三电阻r3的一端通过第二电阻r2连接接地端，所述第三电阻r3和第二电阻r2的连接端通过第九电容c9连接接地端，所述第三电阻r3远离第二电阻r2的一端连接电源端并与脱扣器的正极连接。

11、本技术进一步设置为：所述电压检测单元为检测芯片，所述检测芯片的2号引脚连接接地端、3号引脚连接第三电阻r3和第二电阻r2的连接端。

12、本技术进一步设置为：所述驱动管单元包括第二二极管d2、第五电阻r5、第六电容c6和mos管q1，所述第二二极管d2的正极连接检测芯片的1号引脚、负极通过第五电阻r5连接接地端，所述mos管q1的g极通过第六电容c6连接接地端，所述mos管q1的g极与第二二极管d2与第五电阻r5的连接处相连，所述mos管q1的s极连接接地端，所述mos管q1的d极连接第四二极管d4的正极，所述第四二极管d4的负极与第三电阻r3远离第二电阻r2的一端相连，所述脱扣器的负极与第四二极管d4的正极连接。

13、本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：通过采用半波整流的方式，在积分式漏电保护电路增加调节电阻，使得相对于现有的全波整流能有效的降低工作电压，从而能够减少磁环上线圈的匝数，使得磁环上线圈的匝数在400扎左右即可实现，减少了线圈的使用以及元件的数量，有效的降低了生产的成本，并缩小了电路板的体积，使其空间更加的节省；瞬态电压抑制二极管能有效的吸收浪涌，保护电路；电路中采用mos管作为驱动极能更加的节省空间并且导通压降更小；当积分式脱扣器内的线圈匝数为2000～3500匝时，空载电流0.2～0.5ma；积分式互感器副边线200～500匝时，输入45ma，单匝输出2.0～3.0mv。

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【技术保护点】

1.一种积分式漏电保护装置，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的一种积分式漏电保护装置，其特征在于，所述储能电容单元(2)还包括第六电阻(R6)、第二电容(C2)和第七电容(C7)，所述第二电容(C2)的一端均连接电源端、另一端连接第七电容(C7)，所述第七电容(C7)的一端连接接地端，所述第一电容(C1)和第五电容(C5)的连接点与第二电容(C2)和第七电容(C7)的连接点相连，所述第六电阻(R6)的两端分别连接第一电容(C1)的电源端和第五电容(C5)的接地端。

3.根据权利要求1所述的一种积分式漏电保护装置，其特征在于，所述积分式漏电保护电路还包括调节电路单元(1)，所述调节电路单元(1)包括并联连接的第四电阻(R4)和第四电容(C4)，所述第四电容(C4)至少设有一个，所述第四电容(C4)的上端连接磁环的第一引脚，所述第四电容(C4)的上端通过第一电阻(R1)连接开关二极管(D1)的3号引脚，所述磁环的第二引脚连接第四电容(C4)远离的下端。

4.根据权利要求3所述的一种积分式漏电保护装置，其特征在于，所述调节电路单元(1)还包括瞬态电压抑制二极管(D3)，所述瞬态电压抑制二极管(D3)与第四电阻(R4)并联。

5.根据权利要求1所述的一种积分式漏电保护装置，其特征在于，所述RC延时单元(3)包括第三电阻(R3)、第二电阻(R2)、第九电容(C9)，所述第三电阻(R3)的一端通过第二电阻(R2)连接接地端，所述第三电阻(R3)和第二电阻(R2)的连接端通过第九电容(C9)连接接地端，所述第三电阻(R3)远离第二电阻(R2)的一端连接电源端并与脱扣器的正极连接。

6.根据权利要求5所述的一种积分式漏电保护装置，其特征在于，所述电压检测单元(4)为检测芯片，所述检测芯片的2号引脚连接接地端、3号引脚连接第三电阻(R3)和第二电阻(R2)的连接端。

7.根据权利要求6所述的一种积分式漏电保护装置，其特征在于，所述驱动管单元(5)包括第二二极管(D2)、第五电阻(R5)、第六电容(C6)和MOS管(Q1)，所述第二二极管(D2)的正极连接检测芯片的1号引脚、负极通过第五电阻(R5)连接接地端，所述MOS管(Q1)的G极通过第六电容(C6)连接接地端，所述MOS管(Q1)的G极与第二二极管(D2)与第五电阻(R5)的连接处相连，所述MOS管(Q1)的S极连接接地端，所述MOS管(Q1)的D极连接第四二极管(D4)的正极，所述第四二极管(D4)的负极与第三电阻(R3)远离第二电阻(R2)的一端相连，所述脱扣器的负极与第四二极管(D4)的正极连接。

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【技术特征摘要】

1.一种积分式漏电保护装置，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的一种积分式漏电保护装置，其特征在于，所述储能电容单元(2)还包括第六电阻(r6)、第二电容(c2)和第七电容(c7)，所述第二电容(c2)的一端均连接电源端、另一端连接第七电容(c7)，所述第七电容(c7)的一端连接接地端，所述第一电容(c1)和第五电容(c5)的连接点与第二电容(c2)和第七电容(c7)的连接点相连，所述第六电阻(r6)的两端分别连接第一电容(c1)的电源端和第五电容(c5)的接地端。

3.根据权利要求1所述的一种积分式漏电保护装置，其特征在于，所述积分式漏电保护电路还包括调节电路单元(1)，所述调节电路单元(1)包括并联连接的第四电阻(r4)和第四电容(c4)，所述第四电容(c4)至少设有一个，所述第四电容(c4)的上端连接磁环的第一引脚，所述第四电容(c4)的上端通过第一电阻(r1)连接开关二极管(d1)的3号引脚，所述磁环的第二引脚连接第四电容(c4)远离的下端。

4.根据权利要求3所述的一种积分式漏电保护装置，其特征在于，所述调节电路单元(1)还包括瞬态电压抑制二极管(d3)，所述瞬态电压抑制二极管(d3)与第四电阻(r4)并联。

5.根据权利要求1所述的一种积分式漏电...

【专利技术属性】
技术研发人员：林德芳，
申请(专利权)人：温州云鲲智能电气有限公司，
类型：新型
国别省市：