【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及sim卡封装基板，尤其是涉及一种sim卡封装基板及其防翘曲方法。
技术介绍
1、为了满足sim卡的产品性能以及使用寿命的要求，对sim卡的最大翘曲度或者扭曲度具有严格限定，通常要求sim卡的封装基板的最大翘曲度小于或等于0.75％，如果超过0.75％，则认为该产品不合格。
2、我们发现，在生产sim卡的过程中，sim卡封装基板在经过molding(塑封)工序后，会有翘曲风险，在molding之后进行预烤165℃120秒，拱起20秒后发现封装基板仍然有翘曲超规的现象，而严重翘曲的封装基板将无法再进行后续的封装流程，增加了sim卡半成品封装的报废，降低了封装基板封装品质良率及生产效率。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出了一种sim卡封装基板及其防翘曲方法，能够有效缓解sim卡封装基板的翘曲现，提升sim卡封装基板的生产良率。
2、一方面，根据本专利技术实施例的sim卡封装基板防翘曲方法，包括以下步骤：
3、获取sim卡封装基板的gtl面的第一残铜率和gbl面的第二残铜率；
4、根据所述第一残铜率和所述第二残铜率的差值，调节所述gtl面对应的第一油墨厚度和所述gbl面对应的第二油墨厚度的比值，并确定所述第一油墨厚度和所述第二油墨厚度；
5、根据所述第一油墨厚度和所述第二油墨厚度，分别在所述gtl面设置第一阻焊层、在所述gbl面设置第二阻焊层；
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7、在所述第一待电金区域依次电镀形成第一镍层和软金层，并去除所述第一感光干膜；
8、在所述第一阻焊层和所述第二阻焊层的表面均设置第二感光干膜，并对所述第二感光干膜进行曝光和显影，暴露出所述sim卡封装基板的第二待电金区域；
9、在所述第二待电金区域依次电镀形成第二镍层和硬金层，并去除所述第二感光干膜。
10、根据本专利技术的一些实施例，所述获取sim卡封装基板的gtl面的第一残铜率和gbl面的第二残铜率的步骤之前，还包括：
11、优化所述sim卡封装基板的工艺边铺铜设计，使所述gtl面的第一工艺边网格比所述gbl面的第二工艺边网格密集，以降低所述第一残铜率和所述第二残铜率的差值。
12、根据本专利技术的一些实施例，所述第一工艺边网格按实铜0.2mm圆点掏铜设计，所述第二工艺边网格按0.30*0.30mm网格设计。
13、根据本专利技术的一些实施例，所述第一工艺边网格按300μm的线宽和100μm的间距进行网格设计，所述第二工艺边网格按100μm的线宽和300μm的间距进行网格设计。
14、根据本专利技术的一些实施例，每个所述第一工艺边网格之间通过切割道开窗断开，且所述切割道开窗设置有导胶口，所述导胶口设计为段状或块状，且独立于所述第一工艺边网格。
15、根据本专利技术的一些实施例，所述根据所述第一残铜率和所述第二残铜率的差值，调节所述gtl面对应的第一油墨厚度和所述gbl面对应的第二油墨厚度的比值，并确定所述第一油墨厚度和所述第二油墨厚度，具体包括：
16、根据所述第一残铜率和所述第二残铜率，确定所述gtl面的第一翘曲拉力和所述gbl面的第二翘曲拉力；
17、根据所述第一翘曲拉力和第二翘曲拉力的比较结果，调节所述第一油墨厚度和所述第二油墨厚度的比值；
18、根据所述比值和设计需求，确定所述第一油墨厚度和所述第二油墨厚度。
19、根据本专利技术的一些实施例，所述gbl面与所述第二阻焊层的表面的高度差小于15μm，位于所述gbl面的所述第一镍层和所述第二镍层的厚度均小于12μm。
20、根据本专利技术的一些实施例，所述在所述第二待电金区域依次电镀形成第二镍层和硬金层，并去除所述第二感光干膜，具体包括：
21、对所述第二待电金区域进行喷金刚砂处理，形成第一喷砂层；其中，喷砂压力为0.7-1.0kg/cm2，喷砂速度为1.6-2.0m/min；
22、在所述第一喷砂层的表面，进行电镍处理，形成所述第二镍层；
23、对所述第二镍层的表面进行喷金刚砂处理，形成第二喷砂层，以降低所述第二镍层的亮度；
24、在所述第二喷砂层的表面，进行电硬金处理，形成所述硬金层。
25、根据本专利技术的一些实施例，所述第二油墨厚度大于所述第一油墨厚度。
26、另一方面，根据本专利技术实施例的sim卡封装基板，通过上述实施例所述的sim卡封装基板防翘曲方法制作而成。
27、根据本专利技术实施例的sim卡封装基板及其防翘曲方法，至少具有如下有益效果：首先获取gtl面和gbl面的残铜率，然后根据两者的残铜率的比较结果，调整施加在gtl面和gbl面的油墨厚度及油墨厚度比值；由于两面的残铜率不同会导致基板在高温受热时两面的拉伸力不同，残铜率越高，拉伸力越大，进而导致sim卡封装基板发生翘曲；因此，需要调整施加在两面的油墨厚度和油墨厚度比，这是因为油墨在高温受热时具有收缩力，且油墨厚度越大，收缩力越大，因此通过改变gtl面和gbl面所施加的油墨厚度及油墨厚度比，能够平衡sim卡封装基板因两面的残铜率不同而导致的翘曲拉力的不同，从而改善sim卡封装基板的翘曲现象。
28、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种SIM卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的SIM卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述获取SIM卡封装基板的GTL面的第一残铜率和GBL面的第二残铜率的步骤之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的SIM卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述第一工艺边网格按实铜0.2mm圆点掏铜设计，所述第二工艺边网格按0.30*0.30mm网格设计。
4.根据权利要求2所述的SIM卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述第一工艺边网格按300μm的线宽和100μm的间距进行网格设计，所述第二工艺边网格按100μm的线宽和300μm的间距进行网格设计。
5.根据权利要求2所述的SIM卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，每个所述第一工艺边网格之间通过切割道开窗断开，且所述切割道开窗设置有导胶口，所述导胶口设计为段状或块状，且独立于所述第一工艺边网格。
6.根据权利要求1所述的SIM卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述根据所述第一残铜率和所述第二残铜率的差值，调节所述GTL面对应的第一油墨厚度和所述
7.根据权利要求1所述的SIM卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述GBL面与所述第二阻焊层的表面的高度差小于15μm，位于所述GBL面的所述第一镍层和所述第二镍层的厚度均小于12μm。
8.根据权利要求1所述的SIM卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述在所述第二待电金区域依次电镀形成第二镍层和硬金层，并去除所述第二感光干膜，具体包括：
9.根据权利要求1所述的SIM卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述第二油墨厚度大于所述第一油墨厚度。
10.一种SIM卡封装基板，其特征在于，通过如权利要求1-9任一项所述的SIM卡封装基板防翘曲方法制作而成。
...【技术特征摘要】
1.一种sim卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的sim卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述获取sim卡封装基板的gtl面的第一残铜率和gbl面的第二残铜率的步骤之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的sim卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述第一工艺边网格按实铜0.2mm圆点掏铜设计，所述第二工艺边网格按0.30*0.30mm网格设计。
4.根据权利要求2所述的sim卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，所述第一工艺边网格按300μm的线宽和100μm的间距进行网格设计，所述第二工艺边网格按100μm的线宽和300μm的间距进行网格设计。
5.根据权利要求2所述的sim卡封装基板防翘曲方法，其特征在于，每个所述第一工艺边网格之间通过切割道开窗断开，且所述切割道开窗设置有导胶口，所述导胶口设计为段状或块状，且独立于所述第一工艺边网格。
【专利技术属性】
技术研发人员：何福权，
申请(专利权)人：深圳和美精艺半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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