【技术实现步骤摘要】
本公开一般地涉及半导体。更具体地，本公开涉及一种集成器件及其制备方法。
技术介绍
1、第三代宽禁带半导体材料和器件的发展促进了功率集成电路整体性能的提升。目前常用将功率二极管与其他分立器件集成在同一个器件内的单片集成方法，这种高度集成方式适合批量性生产，体积小和重量轻等优势。但是集成器件的能量损耗主要来自功率二极管开启过程中的导通压降损耗，由于功率二极管存在导通损耗较大的问题，导致集成器件的性能较差，抵消了部分单片集成的收益。
技术实现思路
1、为了解决上述部分或全部问题，本公开提供了一种集成器件及其制备方法，该集成器件可以降低阈值电压，使很小的栅压就可以有效开启集成器件，并且可以起到降低集成器件开启功耗，提升器件的稳定性。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种集成器件，其包括：衬底；设置在衬底上并产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；第一器件，包括第一电极、以及位于第一电极两侧的第二电极；第二器件，包括栅电极、以及位于栅电极两侧的源电极和漏电极；第一电极和栅电极间隔设置于化合物半导体复合结构上；n型氮化物层，n型氮化物层包括第一n型氮化物层，第一n型氮化物层设置在化合物半导体复合结构与第一电极之间；p型氮化物层，设置在化合物半导体复合结构与栅电极之间。
3、根据本公开的第二方面，提供一种肖特基二极管，其包括：衬底；设置在衬底上的化合物半导体复合结构；设置在化合物半导体复合结构上的第一电极；第一n型氮化物层，第一n型氮化物层设置在化合物半导体复合结构与第一
4、根据本公开的第三方面，提供了一种集成器件的制备方法，其包括：提供一衬底，在衬底上形成产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；在化合物半导体复合结构上形成第一器件和第二器件；第一器件包括第一电极、以及位于第一电极两侧的第二电极；第二器件，包括栅电极、以及栅电极两侧的源电极和漏电极；第一电极和栅电极间隔设置于化合物半导体复合结构上；n型氮化物层，氮化物层包括第一n型氮化物层，第一n型氮化物层设置在化合物半导体复合结构与第一电极之间；p型氮化物层，设置在化合物半导体复合结构与栅电极之间。
5、在本公开实施例提供的肖特基二极管、集成器件及其制备方法，其中，通过在第一电极与化合物半导体复合结构上设置一层n型氮化物层，可以降低阈值电压，降低器件开启功耗，提升器件性能。
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1.一种集成器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述N型氮化物层还包括第二N型氮化物层，所述第二N型氮化物层设置在所述P型氮化物层与所述栅电极之间。
3.根据权利要求2所述的集成器件，其特征在于，还包括：第一介质层，所述第一介质层设置于所述化合物半导体复合结构上，且所述第一介质层具有容纳所述第一电极的第一通孔，所述第一通孔包括面向所述化合物半导体复合结构的表面的两个侧壁，所述第一N型氮化物层从所述两个侧壁延伸至所述第一通孔内的所述化合物半导体复合结构的表面上。
4.根据权利要求3所述的集成器件，其特征在于，所述第一电极包括容纳在所述第一通孔内与所述第一N型氮化物的相接的底面，以及连接所述底面的两个侧面，所述侧面与所述化合物半导体复合结构的表面的夹角大于所述第一通孔的侧壁与所述化合物半导体复合结构的表面的夹角；
5.根据权利要求4所述的集成器件，其特征在于，还包括隔离层，所述隔离层至少从所述半导体复合结构的表面延伸设置到所述二维电子气下方的靠近衬底的一侧。
6.一种肖特基二极管，其特征在
7.根据权利要求６所述的肖特基二极管，其特征在于，所述化合物半导体复合结构包括沟道层，以及位于所述沟道层上的势垒层，所述沟道层和所述势垒层的接触区被配置为有二维电子气。
8.根据权利要求７所述的肖特基二极管，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极设置在所述第一电极的两侧。
9.一种集成器件的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的集成器件的制备方法，其特征在于，制备N型氮化物的步骤，包括：
11.根据权利要求10所述的集成器件的制备方法，其特征在于，制备所述P型氮化层的步骤，包括：
12.根据权利要求11所述的集成器件的制备方法，其特征在于，制作第二电极、源电极、漏电极的步骤，包括：
13.根据权利要求12所述的集成器件的制备方法，其特征在于，制作第一电极和栅电极的的步骤，包括：
14.根据权利要求9-13所述的集成器件的制备方法，其特征在于还包括制备隔离层的步骤，所述隔离层至少从所述半导体复合结构的表面延伸设置到所述二维电子气下方的靠近衬底的一侧，用于将所述第一器件和所述第二器件隔离开。
...【技术特征摘要】
1.一种集成器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述n型氮化物层还包括第二n型氮化物层，所述第二n型氮化物层设置在所述p型氮化物层与所述栅电极之间。
3.根据权利要求2所述的集成器件，其特征在于，还包括：第一介质层，所述第一介质层设置于所述化合物半导体复合结构上，且所述第一介质层具有容纳所述第一电极的第一通孔，所述第一通孔包括面向所述化合物半导体复合结构的表面的两个侧壁，所述第一n型氮化物层从所述两个侧壁延伸至所述第一通孔内的所述化合物半导体复合结构的表面上。
4.根据权利要求3所述的集成器件，其特征在于，所述第一电极包括容纳在所述第一通孔内与所述第一n型氮化物的相接的底面，以及连接所述底面的两个侧面，所述侧面与所述化合物半导体复合结构的表面的夹角大于所述第一通孔的侧壁与所述化合物半导体复合结构的表面的夹角；
5.根据权利要求4所述的集成器件，其特征在于，还包括隔离层，所述隔离层至少从所述半导体复合结构的表面延伸设置到所述二维电子气下方的靠近衬底的一侧。
6.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：姬圣南，叶念慈，刘成，徐涵，王哲力，梁玉玉，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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