【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及三维铁电存储器装置。
技术介绍
1、铁电随机存取存储器(feram)装置或铁电场效应晶体管(fefet)可用作比动态随机存取存储器(dram)装置和非易失性存储器装置(例如，闪速存储器装置)更简单的存储器装置。最近，为了具有高集成度，已经开发了三维(3d)feram装置。然而，需要一种增强3dferam装置的电特性的方法。
技术实现思路
1、根据示例实施例，提供了一种三维铁电存储器装置，包括：沟道，其位于衬底上并在基本上垂直于衬底上表面的竖直方向上延伸；
2、栅极绝缘图案和导电图案，在基本上平行于衬底上表面的水平方向上堆叠在沟道的侧壁上并围绕沟道的侧壁；铁电图案，其接触导电图案的外侧壁的一部分；栅电极，其接触铁电图案；以及分别接触沟道的下表面和上表面的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案。
3、根据示例实施例，提供了一种三维铁电存储器装置，包括：沟道，其位于衬底上并在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上延伸；
4、在基本上平行于衬底的上表面的水平方向上按次序地地堆叠在沟道的侧壁上栅极绝缘图案和导电图案；铁电图案；栅电极；以及分别接触沟道的下表面和上表面的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案。栅极绝缘图案的在沟道和导电图案之间并且与沟道和导电图案接触的部分的面积可大于铁电图案的在导电图案和栅电极之间并与导电图案和栅电极接触的部分的面积。
5、根据示例实施例，提供了一种三维铁电存储器装置，包括：位线，其位于衬底上并沿基本
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1.一种三维铁电存储器装置，包括：
2.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述导电图案在所述竖直方向上的长度大于所述栅电极在所述竖直方向上的长度。
3.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述沟道具有在所述竖直方向上延伸的柱形状。
4.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述沟道具有在所述竖直方向上延伸的中空圆柱形状。
5.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述沟道包括：
6.如权利要求5所述的三维铁电存储器装置，还包括填充图案，所述填充图案的下表面和侧壁被所述第一沟道覆盖，所述填充图形的上表面被所述第二沟道覆盖。
7.如权利要求5所述的三维铁电存储器装置，其中，所述第一沟道和所述第二沟道中的每一个包括二维材料。
8.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案中的每一个包括多晶硅或者掺杂有n型或p型杂质的硅锗。
9.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述第一源极/漏极图案具有柱形状。
<...【技术特征摘要】
1.一种三维铁电存储器装置，包括：
2.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述导电图案在所述竖直方向上的长度大于所述栅电极在所述竖直方向上的长度。
3.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述沟道具有在所述竖直方向上延伸的柱形状。
4.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述沟道具有在所述竖直方向上延伸的中空圆柱形状。
5.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述沟道包括：
6.如权利要求5所述的三维铁电存储器装置，还包括填充图案，所述填充图案的下表面和侧壁被所述第一沟道覆盖，所述填充图形的上表面被所述第二沟道覆盖。
7.如权利要求5所述的三维铁电存储器装置，其中，所述第一沟道和所述第二沟道中的每一个包括二维材料。
8.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案中的每一个包括多晶硅或者掺杂有n型或p型杂质的硅锗。
9.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述第一源极/漏极图案具有柱形状。
10.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述第一源极/漏极图案具有在预定方向上延伸的柱形状。
11.如权利要求1所述的三维铁电存储器装置，其中，所述第二源极/漏极图案的侧壁被所述栅极绝缘图...
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