【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式大致与半导体器件相关。更具体地说，本文所描述的实施方式与利用加强框架的半导体器件封装和其形成方法相关。
技术介绍
1、伴随着其他正在进行的小型化电子器件和部件的发展趋势，对更快的处理能力的需求对集成电路芯片、系统和封装结构的制造中所利用的材料、结构和工艺提出了对应的要求。
2、传统上，，由于容易在其中形成电气连接而且与有机复合物相关联的制造成本相对较低，因此集成电路已经在有机基板上制造。然而，随着电路密度的不断增加和电子器件的进一步小型化，由于维持器件缩放(scaling)和相关联的性能要求的材料结构分辨率的限制，有机基板的利用变得不切实际。此外，当用于半导体器件封装时，由于与半导体裸片(die)和其他硅基部件的热膨胀不匹配，有机基板呈现出较高的封装应力，这可能导致基板挠曲。而且，由于有机材料具有相对较小的弹性域，其挠曲通常会导致永久性的翘曲。
3、最近，2.5d和3d集成电路是利用硅基板来制造，以补偿与有机基板相关联的一些限制。硅基板的利用是由先进的电子安装和封装应用中所寻求的高频宽密度、低功率芯片间通信和异质集成的潜力所驱动的。然而，由于寻求更薄的硅基板来减少电路路径和电气连接的长度和距离，以提高电气性能，更薄的硅基板的刚性降低带来了类似的翘曲问题，特别是在组装和测试制造处理期间。
4、因此，本领域需要的是具有更高频宽和刚性的薄型半导体器件封装结构，以及形成这些结构的方法。
技术实现思路
1、本公开内容一般与电子安装结构和
2、在某些实施方式中，提供了一种半导体器件组件。该半导体器件组件包括：硅芯，具有与第二侧相对的第一侧，其中该硅芯具有从该第一侧穿过该硅芯到该第二侧的过孔；位于该第一侧和该第二侧上的氧化物层；以及通过该过孔并且具有在该第一侧和该第二侧处暴露的表面的一个或多个导电互连结构。该半导体器件组件进一步包括：位于该第一侧和该第二侧上的该氧化物层上方和该开口内的绝缘层；位于该第一侧上的第一再分布层；以及位于该第一侧上的该绝缘层和该第一再分布层上方的硅加强框架，该加强框架的外表面实质上沿着该半导体器件组件的周边设置。
3、在某些实施方式中，提供了一种半导体器件组件。该半导体器件组件包括：硅芯，具有与第二侧相对的第一侧，其中该硅芯具有从该第一侧穿过该硅芯延伸到该第二侧的过孔；位于该第一侧和该第二侧上并且电性耦合至地的金属层；以及通过该过孔并且具有在该第一侧和该第二侧处暴露的表面的一个或多个导电互连结构。该半导体器件组件进一步包括：，位于该第一侧和该第二侧上的该金属层上方和该过孔内的绝缘层；位于该第一侧上的第一再分布层；以及位于该第一侧上的该绝缘层和该第一再分布层上方的硅加强框架，该加强框架的外表面实质上沿着该半导体器件组件的周边设置。
4、在某些实施方式中，提供了一种半导体器件组件。该半导体器件组件包括：硅芯，具有与第二侧相对的第一侧，其中该硅芯具有从该第一侧穿过该硅芯延伸到该第二侧的过孔；位于该第一侧和该第二侧上的氧化物层；以及通过该过孔并且具有在该第一侧和该第二侧处暴露的表面的一个或多个导电互连结构。该半导体器件组件进一步包括：位于该第一侧和该第二侧上的该氧化物层上方和该过孔内的绝缘层；位于该第一侧上的第一再分布层；以及在该硅芯的该第一侧与该氧化物层接触的硅加强框架，该加强框架的外表面实质上沿着该硅芯的周边设置。
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1.一种半导体器件组件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架由与所述硅芯实质相同的材料所形成。
3.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架所具有的热膨胀系数(CTE)与所述硅芯的CTE实质匹配。
4.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架中形成有开口。
5.根据权利要求4所述的半导体器件组件，其中所述半导体器件组件进一步包括设置在所述硅加强框架的所述开口内的第一半导体裸片。
6.根据权利要求5所述的半导体器件组件，其中所述第一半导体裸片通过倒装晶片附接电性耦合至所述再分布层的一个或多个触点。
7.根据权利要求5所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架所具有的热膨胀系数(CTE)与所述硅芯的CTE和所述第一半导体裸片的CTE实质匹配。
8.根据权利要求5所述的半导体器件组件，进一步包括：第二半导体裸片，所述第二半导体裸片通过球栅阵列(BGA)电性耦合至所述半导体器件组件的所述第二侧上的一个或多个电触点。
9.根据权利要求1所述
10.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架具有形成在所述硅加强框架的一个或多个表面上方的金属层。
11.根据权利要求10所述的半导体器件组件，其中所述金属层包括镍。
12.根据权利要求1所述的半导体器件组件，进一步包括：半导体裸片，所述半导体裸片设置在所述硅芯的空腔内，并且嵌入在所述绝缘层内，其中所述半导体裸片的6个或更多个表面与所述绝缘层接触。
13.一种半导体器件组件，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架由与所述硅芯实质相同的材料所形成。
15.根据权利要求14所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架所具有的热膨胀系数(CTE)与所述硅芯的CTE实质匹配。
16.根据权利要求13所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架中形成有开口。
17.根据权利要求16所述的半导体器件组件，其中所述半导体器件组件进一步包括设置在所述硅加强框架的所述开口内的第一半导体裸片。
18.根据权利要求17所述的半导体器件组件，其中所述第一半导体裸片通过倒装晶片附接电性耦合至所述再分布层的一个或多个触点。
19.根据权利要求17所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架所具有的热膨胀系数(CTE)与所述硅芯的CTE和所述第一半导体裸片的CTE实质匹配。
20.一种半导体器件组件，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件组件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架由与所述硅芯实质相同的材料所形成。
3.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架所具有的热膨胀系数(cte)与所述硅芯的cte实质匹配。
4.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架中形成有开口。
5.根据权利要求4所述的半导体器件组件，其中所述半导体器件组件进一步包括设置在所述硅加强框架的所述开口内的第一半导体裸片。
6.根据权利要求5所述的半导体器件组件，其中所述第一半导体裸片通过倒装晶片附接电性耦合至所述再分布层的一个或多个触点。
7.根据权利要求5所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架所具有的热膨胀系数(cte)与所述硅芯的cte和所述第一半导体裸片的cte实质匹配。
8.根据权利要求5所述的半导体器件组件，进一步包括：第二半导体裸片，所述第二半导体裸片通过球栅阵列(bga)电性耦合至所述半导体器件组件的所述第二侧上的一个或多个电触点。
9.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述硅芯的厚度小于约200微米，并且其中所述加强框架的厚度大于约500微米。
10.根据权利要求1所述的半导体器件组件，其中所述硅加强框架具有形成在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈翰文，史蒂文·韦尔韦贝克，吉百克·帕克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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