【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、相关技术的描述
2、对提供芯片封装中的一个或多个集成电路与位于芯片封装外部的母板上的外部组件之间的通信的半导体封装的需求不断增长。与移动计算、可穿戴电子器件和物联网(iot)相关联的电子产品推动对利用竖直信号互连的小封装的需求。在这些产品中使用的芯片封装的示例包括球栅阵列(bga)、芯片级封装(csp)和系统级封装(sip)。
3、作为示例，sip的一种配置是将一个或多个集成电路堆叠在处理单元旁边和/或顶部。三维集成电路(3d ic)已经取得了进展，这些三维集成电路包括竖直和水平地集成到单个电路中的两层或更多层有源电子组件。这些层内的组件使用片上信令进行通信，无论是竖直地还是水平地。穿过硅总线形成的贯穿玻璃过孔(tsv)和tsv群组用作基础处理器裸片、一个或多个附加集成电路与印刷电路板(pcb)(诸如母板或卡)上的信号之间的互连件。
4、对sip以及集成电路与pcb之间的更多信号互连件的需求也增加了对封装基板和中介层的需求。封装基板是芯片封装的一部分，其提供机械基座支撑以及用于为信号互连件提供电接口。中介层是一个或多个集成电路与倒装芯片凸块或其他互连件与封装基板之间的中间层。当使用时，中介层为信号互连件提供电接口。根据具体实施，术语封装基板和中介层可互换地使用。
5、通常，封装基板由环氧树脂/玻璃纤维芯和有机化合物(诸如碳和氢)组成。由于有机封装基板的表面粗糙度，提供信号迹线的金属层具有有限的长度和间隔，这对创建用于大批量制造(hvm)的图案施加了约束。薄有机封装基
6、鉴于上述情况，需要用于产生封装基板的有效方法和系统。
技术实现思路
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1.一种设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一集成电路和所述组件之间的每个功率连接件穿过所述第一玻璃封装基板的贯穿玻璃过孔，代替穿过背面金属层。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一玻璃封装基板的所述第一玻璃晶片包含硼硅酸盐、石英材料和熔融石英中的一种。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述再分布层包括有机电介质层。
5.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括：
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述混合键合层包括没有焊料凸块的铜。
7.根据权利要求5所述的设备，其中第二玻璃封装基板和所述第三玻璃封装基板中的每一者在相应玻璃晶片的单侧上具有再分布层。
8.一种方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括将用于所述第一集成电路与所述组件之间的每个功率连接件的电流通过所述第一玻璃封装基板的贯穿玻璃过孔传送，代替通过背面金属层传送。
10.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括用硼硅酸盐、石英材料和熔融石英中的一种形成所
11.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括用有机电介质层形成所述再分布层。
12.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括：
13.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括形成所述混合键合层包括没有焊料凸块的铜。
14.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括将第二玻璃封装基板和所述第三玻璃封装基板中的每一者制造为在相应玻璃晶片的单侧上具有再分布层。
15.一种计算系统，所述计算系统包括：
16.根据权利要求15所述的计算系统，其中所述第一集成电路与所述组件之间的每个功率连接件穿过所述第一玻璃封装基板的贯穿玻璃过孔，代替穿过背面金属层。
17.根据权利要求15所述的计算系统，其中所述再分布层包括有机电介质层。
18.根据权利要求15所述的计算系统，其中所述设备还包括：
19.根据权利要求18所述的计算系统，其中所述混合键合层包括没有焊料凸块的铜。
20.根据权利要求18所述的计算系统，其中第二玻璃封装基板和所述第三玻璃封装基板中的每一者在相应玻璃晶片的单侧上具有再分布层。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一集成电路和所述组件之间的每个功率连接件穿过所述第一玻璃封装基板的贯穿玻璃过孔，代替穿过背面金属层。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一玻璃封装基板的所述第一玻璃晶片包含硼硅酸盐、石英材料和熔融石英中的一种。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述再分布层包括有机电介质层。
5.根据权利要求1所述的设备，所述设备还包括：
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述混合键合层包括没有焊料凸块的铜。
7.根据权利要求5所述的设备，其中第二玻璃封装基板和所述第三玻璃封装基板中的每一者在相应玻璃晶片的单侧上具有再分布层。
8.一种方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括将用于所述第一集成电路与所述组件之间的每个功率连接件的电流通过所述第一玻璃封装基板的贯穿玻璃过孔传送，代替通过背面金属层传送。
10.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括用硼硅酸盐、石英材料和熔融石英中的一种形成所述第一玻璃封装基板的所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：迪帕克·瓦桑特·库尔卡尼，拉胡尔·阿加瓦尔，拉杰塞卡兰·斯瓦米纳坦，钦坦·布奇，
申请(专利权)人：超威半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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