【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应用于mos或igbt管短路失效的保护电路，属于电力电子。
技术介绍
1、在大功率电芯加热膜电路中，rcd钳位电路中的开关管（mos或igbt）工作在高压大电流的工作情况下，很容易发生损坏，目前大多采用rcd钳位硬关断方案对其进行保护：即每个周期关断时通过二极管给电容充电吸收电压尖峰，导通时电阻耗能消耗掉电容储能。但rcd钳位硬关断方案能耗大，发热严重，需要功率电阻；其中硬关断时，关断电压过高，即使保护起作用了，也可能会损坏器件，如造成rcd钳位电路中的单一mos管或igbt管失效，则会导致开关管短路失效后无法有效断开负载回路，造成加热膜大功率加热电芯，使得电芯损坏甚至热失控，造成巨大经济损失，而电路中串入继电器的方案因继电器难以脱开直流大电流、难以选型的问题，致使电路无法实现有效的单一故障保护。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种应用于mos或igbt管短路失效的保护电路，以解决现有技术中所提到的技术问题。
2、一种应用于mos或igbt管短路失效的保护电路，所述保护电路包括：
3、钳位保护电路，所述钳位保护电路与负载r2回路连接；
4、第一开关管t1，所述第一开关管t1的d极与所述负载r2回路连接，所述第一开关管t1的g极与所述钳位保护电路连接；
5、第二开关管t2，所述第二开关管t2的d极与所述第一开关管t1的s极和所述钳位保护电路连接，所述第二开关管t2的g极与pwm驱动电路的正极连接，
6、在所述第二开关管t2短路失效时，通过所述钳位保护电路拉低所述第一开关管t1的gs回路开通电位，从而将所述第一开关管t1的ds回路断开，实现对负载r2回路的保护。
7、可选地，所述钳位保护电路包括：
8、第三开关管t3，所述第三开关管t3的d极串接有电阻r5，所述第三开关管t3的g极串接有电阻r4，所述第三开关管t3的s极与所述第一开关管t1的s极和所述第二开关管t2的d极连接，所述第三开关管t3的g极和所述电阻r4的连接端与所述第三开关管t3的s极之间并接有稳压二极管z2，且所述稳压二极管z2的阳极与所述第三开关管t3的s极连接，所述稳压二极管z2的阴极与所述第三开关管t3的g极和所述电阻r4的连接端连接，所述稳压二极管z2并接一个电容c2；
9、二极管d1，所述二极管d1的阴极与所述第一开关管t1的g极连接，所述二极管d1的阳极与所述负载r2回路连接，所述电阻r4并接在所述二极管d1的阳极，所述电阻r5并接在所述二极管d1的阴极；
10、所述二极管d1的阴极与所述第一开关管t1的g极之间串接有电阻r3，所述电阻r3和所述第一开关管t1的g极的连接端与所述第三开关管t3的s极之间并接有稳压二极管z3，且所述稳压二极管z3的阳极与所述第三开关管t3的s极连接，所述稳压二极管z3的阴极与所述电阻r3和所述第一开关管t1的g极的连接端连接，所述稳压二极管z3并接一个电容c3。
11、可选地，所述pwm驱动电路包括：
12、pwm驱动器，所述pwm驱动器的负极接地连接，所述pwm驱动器的正极与所述第二开关管t2的g极连接，所述pwm驱动器的负极与所述第二开关管t2的s极和所述负载r2回路连接；
13、电阻r6，所述电阻r6串接在所述pwm驱动器的正极与所述第二开关管t2的g极的连接端上；
14、所述电阻r6和所述第二开关管t2的g极的连接端与所述第二开关管t2的s极之间并接有电阻r7。
15、可选地，所述负载r2回路包括：
16、vdcin电源模块，所述vdcin电源模块的正极与所述第一开关管t1的d极连接，所述vdcin电源模块的负极与所述pwm驱动器的负极连接；
17、所述vdcin电源模块的正极和所述第一开关管t1的d极的连接端串接有电阻r2；
18、所述vdcin电源模块的正极和所述电阻r2的连接端与所述vdcin电源模块的负极和所述pwm驱动器的负极的连接端之间并接有电阻r1和稳压二极管z1，所述电阻r1的一端和所述稳压二极管z1的阴极连接，所述r1的另一端与所述vdcin电源模块的正极连接，所述稳压二极管z1的阳极与所述vdcin电源模块的负极连接，所述稳压二极管z1并接一个电容c1；
19、所述电阻r1和所述稳压二极管z1的连接端与所述二极管d1的阳极并联。
20、可选地，所述电阻r4的阻值大于所述电阻r3的阻值。
21、可选地，所述电容c2的电容量大于所述电容c3的电容量。
22、可选地，所述第一开关管t1和所述第二开关管t2为mos管或igbt管，所述第三开关管t3为mos管。
23、可选地，所述稳压二极管z1、所述稳压二极管z2和稳压二极管z3均为硅二极管。
24、本专利技术能产生的有益效果包括：
25、本专利技术所提供的一种应用于mos或igbt管短路失效的保护电路，通过将钳位保护电路、第一开关管t1和第二开关管t2进行集成化设计，使得受pwm驱动器控制的开关管因故障短路，无法受pwm驱动器控制时，通过钳位保护电路拉低第一开关管t1的gs回路开通电位，从而将第一开关管t1的ds回路断开，使得负载r2回路得到有效断开，实现对负载r2回路的单一故障有效保护。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种应用于MOS或IGBT管短路失效的保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种应用于MOS或IGBT管短路失效的保护电路，其特征在于，所述钳位保护电路包括：
3.根据权利要求1所述的一种应用于MOS或IGBT管短路失效的保护电路，其特征在于，所述PWM驱动电路包括：
4.根据权利要求3所述的一种应用于MOS或IGBT管短路失效的保护电路，其特征在于，所述负载R2回路包括：
5.根据权利要求2所述的一种应用于MOS或IGBT管短路失效的保护电路，其特征在于，所述电阻R4的阻值大于所述电阻R3的阻值。
6.根据权利要求2所述的一种应用于MOS或IGBT管短路失效的保护电路，其特征在于，所述电容C2的电容量大于所述电容C3的电容量。
7.根据权利要求2所述的一种应用于MOS或IGBT管短路失效的保护电路，其特征在于，所述第一开关管T1和所述第二开关管T2为MOS管或IGBT管，所述第三开关管T3为MOS管。
8.根据权利要求4所述的一种应用于MOS或IGBT管短路失效的
...【技术特征摘要】
1.一种应用于mos或igbt管短路失效的保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种应用于mos或igbt管短路失效的保护电路，其特征在于，所述钳位保护电路包括：
3.根据权利要求1所述的一种应用于mos或igbt管短路失效的保护电路，其特征在于，所述pwm驱动电路包括：
4.根据权利要求3所述的一种应用于mos或igbt管短路失效的保护电路，其特征在于，所述负载r2回路包括：
5.根据权利要求2所述的一种应用于mos或igbt管短路失效的保护电路，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：周广建，叶灵通，肖卓名，张源，雷通，
申请(专利权)人：西安奇点能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。