【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善裂片的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管通常包括依次层叠的蓝宝石衬底、n型层、应力释放层、有源层和p型层。由于n型层通常是高温(1000℃左右)生长的，因此，会在n型层和有源层之间设置应力释放层，以释放底层应力，减少位错产生，应力释放层通常包括掺杂si的gan层。
3、然而，若应力释放层制备质量不好，使应力释放层出现较大程度的翘曲，则会导致发光二极管出现裂片的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种改善裂片的发光二极管及其制备方法，能避免应力释放层出现较大程度的翘曲，改善发光二极管裂片的问题。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：在衬底上生长n型层；在所述n型层上生长应力释放层，所述应力释放层的生长方式包括：依次进行第一生长阶段和第二生长阶段，所述第一生长阶段包括控制生长温度为第一温度，控制石墨盘转速为第一转速，向反应腔内通入的反应气体包括氢气；所述第二生长阶段包括控制生长温度降低至第二温度，控制石墨盘转速降低至第二转速，停止向反应腔内通入氢气；在所述应力释放层上生长有源层；在所述有源层上生长p型层。
...【技术保护点】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一生长阶段中，第一温度为950℃至1000℃，第一转速为800rpm至1000rpm；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一生长阶段中，向反应腔内通入的氢气的体积为第一体积的1/5至1/3，所述第一体积为生长所述n型层时，向反应腔内通入的氢气的体积。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一体积为10ml至50ml。
5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一生长阶段的生长时间为2min至5min，所述第二生长阶段的生长时间为1min至2min。
6.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，进行所述第二生长阶段之后，所述应力释放层的生长方式还包括：进行波浪控温阶段；
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述升温阶段的生长温度为850℃至900℃，所述降温阶段的生长温度为800℃至850℃。
8.根据权利要求6所
9.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管采用如权利要求1至8任一项所述的制备方法制备，所述发光二极管包括层叠的衬底、缓冲层、成核层、填平层和外延层，所述外延层包括依次生长的n型层、应力释放层、有源层和p型层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述应力释放层的翘曲度为-10μm至-25μm。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一生长阶段中，第一温度为950℃至1000℃，第一转速为800rpm至1000rpm；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一生长阶段中，向反应腔内通入的氢气的体积为第一体积的1/5至1/3，所述第一体积为生长所述n型层时，向反应腔内通入的氢气的体积。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一体积为10ml至50ml。
5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一生长阶段的生长时间为2min至5min，所述第二生长阶段的生长时间为1min至2min。
6.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：从颖，姚振，龚逸品，梅劲，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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