【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式涉及半导体装置，更具体地，涉及一种用于执行编程操作的存储器装置和操作该存储器装置的方法。
技术介绍
1、存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储控制器。存储器装置可包括非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置可以是即使当供电中断时也保留所存储的数据的存储器装置。例如，非易失性存储器装置可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)和闪存。
3、此外，存储器装置的编程操作可包括盲验证操作。盲验证操作可以是从为各个编程状态设定的编程循环执行对各个编程状态的验证操作的操作。在这种情况下，在为特定编程状态设定的编程循环之前，可跳过对对应编程状态的验证操作。当对特定编程状态的验证操作比预期提早通过时，在为下一编程状态设定的编程循环之前不执行验证操作，因此可能发生连续地施加编程电压的异常现象。
技术实现思路
1、本公开的各种实施方式涉及一种具有改进的编程操作性能的存储器装置和操作该存储器装置的方法。
2、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：多个存储器单元，其被配置为被编程为多个编程状态中的任一个；外围电路，其被配置为对多个存储器单元执行多个编程循环；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路，使得执行对多个编程状态当中的第一编程状态的验证操作。对第一编程状态的
3、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：在第一编程循环中将编程电压施加到多个存储器单元；以及响应于在第一编程循环中对基于阈值电压区分的多个编程状态当中的第一编程状态的验证操作通过，将用于验证多个编程状态当中的被调度为在第二编程循环中执行的第二编程状态的验证电压施加到多个存储器单元。
4、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：多个存储器单元，其被配置为被编程为多个编程状态中的任一个；外围电路，其被配置为对多个存储器单元执行多个编程循环；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路，使得对多个编程状态当中的阈值电压高于第一编程状态的阈值电压的第二编程状态的验证操作从多个编程循环当中的第一编程循环执行，并且使得要执行对第二编程状态的验证操作的编程循环根据对第一编程状态的验证操作是否通过而改变。
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1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一编程状态的阈值电压低于所述第二编程状态的阈值电压。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一编程循环和所述第二编程循环被依次执行。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在所述第二编程循环被执行之前确定对所述第一编程状态的验证操作是否通过。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在所述第一编程循环之后和所述第二编程循环之前执行附加编程循环，并且直至在紧接在所述第二编程循环之前的所述附加编程循环中对所述第一编程状态的验证操作通过之后，才执行对所述第二编程状态的验证操作。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得在对所述第一编程状态的验证操作通过之后不生成用于验证所述第一编程状态的验证电压。
7.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一编程状态的阈值电压低于所述第二编
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二编程循环在所述第一编程循环之后执行。
10.根据权利要求7所述的方法，该方法还包括以下步骤：
11.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第一编程循环中不生成用于验证所述第一编程状态的验证电压。
12.一种存储器装置，该存储器装置包括：
13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得当对所述第一编程状态的验证操作通过时，对所述第二编程状态的验证操作从所述多个编程循环当中的在所述第一编程循环之前执行的第二编程循环执行。
14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述第二编程循环是在对所述第一编程状态的验证操作通过之后执行的编程循环。
15.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得在对所述第一编程状态的验证操作通过之后，不生成用于验证所述第一编程状态的验证电压。
16.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，当对所述第一编程状态的验证操作未通过时，所述编程操作控制器在所述第一编程循环被执行之前不执行对所述第二编程状态的验证操作。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一编程状态的阈值电压低于所述第二编程状态的阈值电压。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一编程循环和所述第二编程循环被依次执行。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在所述第二编程循环被执行之前确定对所述第一编程状态的验证操作是否通过。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器在所述第一编程循环之后和所述第二编程循环之前执行附加编程循环，并且直至在紧接在所述第二编程循环之前的所述附加编程循环中对所述第一编程状态的验证操作通过之后，才执行对所述第二编程状态的验证操作。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路，使得在对所述第一编程状态的验证操作通过之后不生成用于验证所述第一编程状态的验证电压。
7.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一编程状态的阈值电压低于所述第二编程状态的阈值电压。
9.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔亨进，高贵韩，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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