【技术实现步骤摘要】
本申请属于硅电容，具体涉及一种硅电容基板结构及硅电容。
技术介绍
1、硅电容是一种以硅材料为电介质的电容器，其具有高频特性好、耐高温、体积小等优点，被广泛应用于电子设备中。与传统的电解电容相比，硅电容具有更高的工作频率和更低的等效串联电阻，能够提供更稳定的电容值和更低的损耗。硅电容常用于电源滤波、电路耦合、信号调理等电路中。
2、目前，3d硅电容的基板一般采用深硅刻蚀的方法在硅片上刻蚀出硅柱，从而增加表面积，增加电容容值。但硅材质的基板难以避免寄生电阻的产生，同时在深硅刻蚀过程中易导致凹槽侧壁棱纹，易造成后续的介质击穿，导致器件失效。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种硅电容基板结构及硅电容，以解决现有技术中存在的硅电容基板通过深硅刻蚀的方法在硅片上刻蚀出硅柱，难以避免寄生电阻的产生，易导致凹槽侧壁棱纹，易造成后续的介质击穿，导致器件失效的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请采用的一个技术方案是：
3、提供了一种硅电容基板结构，包括：
4、绝缘基板，包括相背设置的第一表面和第二表面；
5、若干支撑柱，布置在所述第一表面，所述支撑柱自所述第一表面沿所述第二表面指向所述第一表面的方向延伸设置，且所述若干支撑柱的延伸长度相同，以在相邻所述支撑柱之间形成电容空间；
6、其中，所述支撑柱和所述绝缘基板分体式设置。
7、在一个或多个实施方式中，所述绝缘基板为玻璃基板或石英基板。
8、在一个
9、在一个或多个实施方式中，所述支撑柱为纳米压印胶柱、光刻胶柱或激光直写光刻胶柱。
10、在一个或多个实施方式中，所述若干支撑柱均匀布满所述第一表面。
11、在一个或多个实施方式中，所述若干支撑柱包括位于外围的一圈第一支撑柱以及位于内部的多个第二支撑柱，所述第一支撑柱的直径大于所述第二支撑柱。
12、在一个或多个实施方式中，所述第一支撑柱的直径为1～10um，所述第二支撑柱的直径为0.25～1um。
13、在一个或多个实施方式中，相邻所述支撑柱的间距为0.5～2um。
14、在一个或多个实施方式中，在所述第二表面指向所述第一表面的方向上，所述支撑柱的直径保持不变。
15、为实现上述目的，本申请采用的另一个技术方案是：
16、提供了一种硅电容，包括上述任一实施方式所述的硅电容基板结构。
17、区别于现有技术，本申请的有益效果是：
18、本申请的硅电容基板结构采用分体式结构设置，由绝缘基板和布置在绝缘基板一面的支撑柱组成，有效避免了传统硅电容存在寄生电阻的问题，同时无需通过深硅刻蚀的方法制备，避免了传统硅电容硅柱侧壁的棱纹问题，避免了工作过程中侧壁棱纹导致介质击穿、器件失效的问题。
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1.一种硅电容基板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述绝缘基板为玻璃基板或石英基板。
3.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述绝缘基板的厚度为0.07～0.3mm。
4.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述支撑柱为纳米压印胶柱、光刻胶柱或激光直写光刻胶柱。
5.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述若干支撑柱均匀布满所述第一表面。
6.根据权利要求5所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述若干支撑柱包括位于外围的一圈第一支撑柱以及位于内部的多个第二支撑柱，所述第一支撑柱的直径大于所述第二支撑柱。
7.根据权利要求6所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述第一支撑柱的直径为1～10um，所述第二支撑柱的直径为0.25～1um。
8.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，相邻所述支撑柱的间距为0.5～2um。
9.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，在所述第二表面指向所述第一表面的
10.一种硅电容，其特征在于，包括权利要求1至9任一所述的硅电容基板结构。
...【技术特征摘要】
1.一种硅电容基板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述绝缘基板为玻璃基板或石英基板。
3.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述绝缘基板的厚度为0.07～0.3mm。
4.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述支撑柱为纳米压印胶柱、光刻胶柱或激光直写光刻胶柱。
5.根据权利要求1所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述若干支撑柱均匀布满所述第一表面。
6.根据权利要求5所述的硅电容基板结构，其特征在于，所述若干支撑柱包括位...
【专利技术属性】
技术研发人员：费孝斌，黄寓洋，
申请(专利权)人：苏州苏纳光电有限公司，
类型：新型
国别省市：
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