【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件用于各种电子应用中，诸如例如，个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。
2、半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区域中。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在堆叠鳍中形成凹槽，所述堆叠鳍的下部部分具有与所述堆叠鳍的上部部分不同的导电类型，所述堆叠鳍的所述上部部分通过分隔结构与所述堆叠鳍的所述下部部分分隔开，所述凹槽暴露所述下部部分的侧壁和所述上部部分的侧壁；在所述凹槽中生长第一外延结构；蚀刻所述第一外延结构以去除所述第一外延结构的接触所述上部部分的部分；在所述第一外延结构上方形成第一隔离结构；在所述第一隔离结构上方生长第二外延结构；以及在所述第二外延结构上方形成第二隔离结构。
2、本申请的另一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：暴露伪栅电极，所述伪栅电极设置在第一结构的侧壁上方并且沿所述第一结构的侧壁设置，所述第一结构是包括第一半导体层、位于所述第一半导体层上方的分隔结构和位于所述分隔结构上方的第二半导体层的多层结构，所述分隔结构将所述第一半导体层与所述第二半导体层电分离；蚀刻所述伪栅电极以从所述第一结构
3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一晶体管的第一沟道区域；第二晶体管的第二沟道区域，所述第二沟道区域堆叠在所述第一沟道区域上方；分隔结构，设置在所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间；所述第一晶体管的第一外延对，设置在所述第一沟道区域的相对侧上；所述第二晶体管的第二外延对，设置在所述第二沟道区域的相对侧上并且堆叠在所述第一外延对上方；第一隔离结构，设置在所述第一外延对和所述第二外延对之间；第一栅极结构，在垂直于所述第一外延对的方向上邻近所述第一沟道区域设置；以及第二栅极结构，邻近所述第二沟道区域设置并且设置在所述第一栅极结构上方。
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1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求2所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分隔结构包括绝缘材料层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述绝缘材料层从所述堆叠鳍的所述上部部分连续延伸至所述堆叠鳍的所述下部部分。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
9.一种形成半导体器件的方法，包括：
10.一种半导体器件，包括：
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求2所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分隔结构包括绝缘材料层。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴亭昀，黄瑞乾，廖思雅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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