一种新型金属氧化物面板的GOA电路制造技术

本技术提供一种新型金属氧化物面板的GOA电路，电路包括有稳压电路、前置电路和输出电路，前置电路包括有晶体管T3，晶体管T3的栅极连接有CLR讯号，T3的漏级连接有VGL讯号，输出电路包括有晶体管T4、T5和T6，晶体管T4的栅极与T3的源极连接，晶体管T4的源极连接有CK讯号，T4的漏级、T5的漏级和T6的源极连接有Gn，T5的栅极和源极连接有CLR_P讯号，T6的栅极与CLR讯号连接，T6的漏级与VGL讯号连接；GOA电路还包括晶体管T7，T7的栅极与CLR_P讯号连接，T7的源极与稳压电路连接，T7的漏级与VGL讯号连接。本技术的电路及下电方法可以使得面内画素、GOA电路电荷均清零，能够很好的解决当前金属氧化物面板下电时电荷残留问题，延长产品的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示屏，尤其涉及一种新型金属氧化物面板的goa电路。

技术介绍

1、近年来，随着科技的不断进步和市场需求的增加，显示屏行业越来越重要，并且应用范围也越来越广泛。传统的显示屏使用的tft材料为a-si，无法满足当前的环境下的一些需求，因此tft材料逐渐变更为金属氧化物。

2、但传统的金属氧化物显示屏结合传统的下电时序在使用过程容易会有电荷残留问题。如图1和图2所示，为传统goa电路示意图和对应下电时序图。传统的goa电路包括前置电路、稳压电路和输出电路，所述输出电路中至少包括有一个tft晶体管t1，tft晶体管t1的源极连接有ck讯号，tft晶体管t1的漏极连接gn讯号。tft晶体管t1的栅极与前置电路连接，且tft晶体管t1的栅极与前置电路之间具有一个节点q，传统的goa电路还包括有一个tft晶体管t2，tft晶体管t2的源极与节点q连接，tft晶体管t2的漏极连接有vgl讯号，tft晶体管t2的栅极与稳压电路连接，且tft晶体管t2的栅极与稳压电路之间具有一个节点p。

3、传统的下电时序分为两个阶段：阶段一q点拉high时，gn输出，这时data和vcom(共电极电压)为gnd，画素写入0v，面内电荷清零；p点拉high时，q点电压下拉到vgl，gn关闭；阶段二所有讯号拉gnd，面板下电。此时面内画素电荷清零没有电荷残留问题，但是goa电路里会有电荷残留问题，这样容易造成面板mura、闪屏等问题，进而影响到使用寿命。

4、这里为了解决传统金属氧化物面板下电时电荷残留导致的mura、闪屏等问题，提出一种新型的goa电路及下电方法。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题，在于提供一种新型的goa电路，解决传统金属氧化物面板下电时电荷残留导致的mura、闪屏等问题。

2、本技术是这样实现的：

3、第一方面，本技术提供了一种新型金属氧化物面板的goa电路，包括有稳压电路，所述goa电路还包括有前置电路和输出电路，所述前置电路包括有晶体管t3，所述晶体管t3的栅极连接有clr讯号，所述晶体管t3的漏级连接有vgl讯号，所述输出电路包括有晶体管t4、t5和t6，所述晶体管t4的栅极与晶体管t3的源极连接，所述晶体管t4的源极连接有ck讯号，所述晶体管t4的漏级、晶体管t5的漏级和晶体管t6的源极共同连接有gn，所述晶体管t5的栅极和源极连接有clr_p讯号，所述晶体管t6的栅极与clr讯号连接，所述晶体管t6的漏级与vgl讯号连接；

4、所述goa电路还包括晶体管t7，所述晶体管t7的栅极与clr_p讯号连接，所述晶体管t7的源极与稳压电路连接，所述晶体管t7的漏级与vgl讯号连接。

5、进一步的，所述晶体管t4的栅极与晶体管t3的源极之间具有一个连接节点q点。

6、进一步的，所述晶体管t7的源极与稳压电路之间具有一个连接节点p点。

7、第二方面，本技术提供了一种新型金属氧化物面板的下电方法，基于上述的新型金属氧化物面板的goa电路，所述方法包括以下三个阶段：

8、阶段一：当clr_p讯号输出high时，gn输出，这时data和vcom为gnd，画素写入0v，面内电荷清零，且使p点拉到gnd；

9、阶段二：当clr讯号输出high时，使得q点电压下拉到gnd，gn关闭，此时goa电路电荷清零；

10、阶段三：所有讯号拉gnd，面板下电。

11、进一步的，所述clr_p讯号和clr讯号为不同时段输出的自定义清除信号。

12、本技术具有如下优点：本技术的goa电路及下电方法可以使得面内画素、goa电路电荷均清零，无电荷残留，能够很好的解决当前金属氧化物面板下电时电荷残留问题，延长产品的使用寿命。

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【技术保护点】

1.一种新型金属氧化物面板的GOA电路，包括有稳压电路，其特征在于：所述GOA电路还包括有前置电路和输出电路，所述前置电路包括有晶体管T3，所述晶体管T3的栅极连接有CLR讯号，所述晶体管T3的漏级连接有VGL讯号，所述输出电路包括有晶体管T4、T5和T6，所述晶体管T4的栅极与晶体管T3的源极连接，所述晶体管T4的源极连接有CK讯号，所述晶体管T4的漏级、晶体管T5的漏级和晶体管T6的源极共同连接有Gn，所述晶体管T5的栅极和源极连接有CLR_P讯号，所述晶体管T6的栅极与CLR讯号连接，所述晶体管T6的漏级与VGL讯号连接；

2.根据权利要求1所述的一种新型金属氧化物面板的GOA电路，其特征在于：所述晶体管T4的栅极与晶体管T3的源极之间具有一个连接节点Q点。

3.根据权利要求1所述的一种新型金属氧化物面板的GOA电路，其特征在于：所述晶体管T7的源极与稳压电路之间具有一个连接节点P点。

【技术特征摘要】

1.一种新型金属氧化物面板的goa电路，包括有稳压电路，其特征在于：所述goa电路还包括有前置电路和输出电路，所述前置电路包括有晶体管t3，所述晶体管t3的栅极连接有clr讯号，所述晶体管t3的漏级连接有vgl讯号，所述输出电路包括有晶体管t4、t5和t6，所述晶体管t4的栅极与晶体管t3的源极连接，所述晶体管t4的源极连接有ck讯号，所述晶体管t4的漏级、晶体管t5的漏级和晶体管t6的源极共同连接有gn，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振兴，吕陈凤，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：