【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及存储器装置，并且更具体地，涉及包括页缓冲器电路的存储器装置。
技术介绍
1、如今，由于信息通信装置支持各种功能，因此高容量和高度集成的存储器装置被需要。随着存储器单元的尺寸为了高集成度而被减小，包括在存储器装置中的用于存储器装置的操作和电连接的操作电路和/或布线(或互连)结构变得更复杂。因此，在提高存储器装置的集成度的同时提供优异的电特性的存储器装置被需要。
2、存储器装置可包括用于将数据存储在存储器单元中或从存储器单元输出数据的页缓冲器电路，并且页缓冲器电路可包括半导体元件(诸如，晶体管)。随着存储器装置的集成度增加，页缓冲器电路的尺寸的减小可被需要。随着工艺技术发展，除了对尺寸的减小的需求之外，包括在页缓冲器电路中的半导体元件的尺寸可减小，并且与半导体元件连接的布线的布局可能变得更复杂。因此，存在对在不降低存储器装置的性能的情况下优化布线的布局的需求。
技术实现思路
1、本公开的一个或多个实施例提供能够通过改变页缓冲器电路中的布线的布局来提高存储器装置的感测的可靠性的存储器装置。
2、根据示例实施例的一个方面，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及页缓冲器电路，包括通过多条位线分别与所述多个存储器单元连接的多个页缓冲器单元，其中，所述多个页缓冲器单元分别与多个感测节点连接，其中，所述多个页缓冲器单元中的每个页缓冲器单元包括与所述多个感测节点中的第一感测节点相关联的至少一个晶体管，并且其中，所述至少一个晶体管包括：源
3、根据示例实施例的一个方面，所述至少一个晶体管包括：第一晶体管和第二晶体管，与第一感测节点连接并且分别设置在n型有源区域和p型有源区域中。
4、根据示例实施例的一个方面，所述存储器装置还可包括：第二辅助布线，设置在所述多条第一连接布线之中的连接到第一晶体管和第二晶体管的第一连接布线与所述多条第一连接布线之中的连接在第一晶体管与第二晶体管之间的区域中的第一连接布线之间。
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1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一辅助布线通过恒定电压被偏置。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，电源电压或地电压被施加到第一辅助布线。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多条第一连接布线和第一辅助布线从单个膜被图案化并被形成。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一辅助布线与所述多条第一连接布线设置在相同的层中。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述至少一个晶体管包括：第一晶体管和第二晶体管，与第一感测节点连接并且分别设置在N型有源区域和P型有源区域中。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，第一感测节点连接在第一晶体管与第二晶体管之间。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述多个感测节点包括第二感测节点，
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，每条第二连接布线通过所述多个第二接触件中的相应的第二接触件来与所述多条第一连接布线之中的相应的第一连接布线连接，并且所述相应的第二接触件不同于所述多
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，当第一晶体管的源极、栅电极和漏极沿着第二方向布置并且所述多条第一连接布线沿着第一方向延伸时，连接到所述多条第一连接布线的所述多个第二接触件布置在第二方向与第一方向之间的对角线上，所述多条第一连接布线连接到第一晶体管的源极、栅电极和漏极。
11.根据权利要求8所述的存储器装置，还包括：
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，第二辅助布线通过恒定电压被偏置。
13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，电源电压或地电压被施加到第二辅助布线。
14.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，第二辅助布线与所述多条第一连接布线设置在相同的层中。
15.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述多条第一连接布线、第一辅助布线和第二辅助布线从相同的膜被图案化并被形成。
16.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，第一晶体管包括：多个第一子晶体管，沿着第一方向布置，
17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，每条第二连接布线通过不同于用于与第一晶体管和第二晶体管连接的接触件的另外的接触件来与所述多条第一连接布线之中的相应的第一连接布线连接，并且彼此邻近的相应的第一连接布线的位置在第二方向上不同地被确定。
18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，当所述多条第二连接布线中的一些第二连接布线与相应的第一连接布线连接的位置被称为第一位置并且所述多条第二连接布线中的其他第二连接布线与相应的第一连接布线连接的位置被称为第二位置时，
19.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，第一辅助布线是用于防止第一连接布线与源极、漏极和栅电极之间的耦合的屏蔽线。
20.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，第二辅助布线是用于增大第一晶体管与第一连接布线之间以及第二晶体管与第一连接布线之间的电容的电容式布线。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一辅助布线通过恒定电压被偏置。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，电源电压或地电压被施加到第一辅助布线。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多条第一连接布线和第一辅助布线从单个膜被图案化并被形成。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一辅助布线与所述多条第一连接布线设置在相同的层中。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述至少一个晶体管包括：第一晶体管和第二晶体管，与第一感测节点连接并且分别设置在n型有源区域和p型有源区域中。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，第一感测节点连接在第一晶体管与第二晶体管之间。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述多个感测节点包括第二感测节点，
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，每条第二连接布线通过所述多个第二接触件中的相应的第二接触件来与所述多条第一连接布线之中的相应的第一连接布线连接，并且所述相应的第二接触件不同于所述多个第一接触件中用于所述相应的第一连接布线与第一晶体管的连接的第一接触件。
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，当第一晶体管的源极、栅电极和漏极沿着第二方向布置并且所述多条第一连接布线沿着第一方向延伸时，连接到所述多条第一连接布线的所述多个第二接触件布置在第二方向与第一方向之间的对角线上，所述多条第一连接布线连接到第一晶体管的源极、栅电极和漏极。
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