【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路建模，特别是涉及一种减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法及系统。
技术介绍
1、在集成电路中，电阻体一般可以是多晶电阻(p型电阻和n型电阻)、注入电阻(p注入和n注入)或阱电阻(p阱和n阱)。高阻值电阻体采用多晶电阻时，多晶电阻中有载流子，在受到衬底电压影响时，电阻体中的载流子分布会发生改变，从而使电阻值发生变化。集成电路设计者在使用高阻值电阻体做设计时，由于受衬底电压不断变化的影响，很难人为控制电阻体的电阻值的稳定性，从而给设计带来较大不确定性，导致难以实现预期电路功能。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述的至少一个问题，提供一种减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法及系统。
2、为了实现上述目的或其他目的，第一方面，本申请提供一种减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，该建模方法包括：
3、获取n型电阻的第一影响参数和p型电阻的第二影响参数；
4、根据所述第一影响参数和所述第二影响参数分别对所述n型电阻和所述p型电阻进行建模，以得到所述n型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第一对应关系，以及所述p型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第二对应关系；
5、将所述n型电阻和所述p型电阻串联得到电阻体，对所述电阻体建模，并根据所述第一对应关系和所述第二对应关系确定所述电阻体中所述n型电阻与所述p型电阻的比例关系；
6、根据所述比例关系和所述电阻体的目标电阻值确定所述电阻体的设计参数。
7、在其
8、于所述第一对应关系中提取第一系数，于所述第二对应关系中提取第二系数；
9、根据所述第一系数和所述第二系数确定所述电阻体中所述n型电阻与所述p型电阻的比例关系。
10、在其中一个实施例中，所述n型电阻与所述p型电阻的比例关系等于所述第二系数和所述第一系数的比例关系。
11、在其中一个实施例中，所述n型电阻与所述p型电阻的比例关系为所述n型电阻的阻值与所述p型电阻的阻值之间的比例关系。
12、在其中一个实施例中，所述获取n型电阻的第一影响参数和p型电阻的第二影响参数的步骤，包括：
13、对所述n型电阻和所述p型电阻进行流片测试，得到所述n型电阻的第一实测数据和所述p型电阻的第二实测数据；
14、根据所述第一实测数据和所述第二实测数据分别确定所述第一影响参数和所述第二影响参数。
15、在其中一个实施例中，所述第一实测数据至少包括：所述n型电阻的长度、所述n型电阻的宽度、所述n型电阻的数量、不同衬底电压下所述n型电阻的电阻值、所述n型电阻在衬底电压为零时的电阻值、所述n型电阻两端的电压差；
16、和/或，所述第二实测数据至少包括：所述p型电阻的长度、所述p型电阻的宽度、所述p型电阻的数量、不同衬底电压下所述p型电阻的电阻值、所述p型电阻在衬底电压为零时的电阻值、所述p型电阻两端的电压差。
17、在其中一个实施例中，所述第一影响参数至少包括：预设尺寸下的所述n型电阻与衬底电压之间的第一修正系数，不同长度所述n型电阻与衬底电压之间的第二修正系数，不同宽度所述n型电阻与衬底电压之间的第三修正系数；
18、所述第二影响参数至少包括：预设尺寸下的所述p型电阻与衬底电压之间的第四修正系数，不同长度所述p型电阻与衬底电压之间的第五修正系数，不同宽度所述p型电阻与衬底电压之间的第六修正系数。
19、在其中一个实施例中，所述根据所述第一影响参数和所述第二影响参数分别对所述n型电阻和所述p型电阻进行建模，以得到所述n型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第一对应关系，以及所述p型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第二对应关系的步骤，包括：
20、获取所述n型电阻的方块阻值、所述n型电阻的长度修正系数、所述n型电阻的宽度修正系数、所述p型电阻的方块阻值、所述p型电阻的长度修正系数、所述p型电阻的宽度修正系数；
21、根据所述第一影响参数、所述n型电阻的方块阻值、所述n型电阻的长度修正系数和所述n型电阻的宽度修正系数之间的关系进行建模，以得到所述第一对应关系，根据所述第二影响参数、所述p型电阻的方块阻值、所述p型电阻的长度修正系数和所述p型电阻的宽度修正系数之间的关系进行建模，以得到所述第二对应关系。
22、在其中一个实施例中，所述第一影响参数、所述n型电阻的方块阻值、所述n型电阻的长度修正系数和所述n型电阻的宽度修正系数之间的关系满足第一模型公式，所述第一模型公式如下：
23、
24、其中，rn为所述n型电阻的电阻值，rsh1为所述n型电阻的方块阻值，ln为所述n型电阻的长度，wn为所述n型电阻的宽度，mn为所述n型电阻的数量，dl1为所述n型电阻的长度修正系数，dw1为所述n型电阻的宽度修正系数，pvb1为所述第一修正系数，lpvb1为所述第二修正系数，wpvb1为所述第三修正系数，vbody为衬底电压，vn1为所述n型电阻的第一端点的电压，vn2为所述n型电阻的第二端点的电压。
25、在其中一个实施例中，所述第二影响参数、所述p型电阻的方块阻值、所述p型电阻的长度修正系数和所述p型电阻的宽度修正系数之间的关系满足第二模型公式，所述第二模型公式如下：
26、
27、其中，rp为所述p型电阻的电阻值，rsh2为所述p型电阻的方块阻值，lp为所述p型电阻的长度，wp为所述p型电阻的宽度，mp为所述p型电阻的数量，dl2为所述p型电阻的长度修正系数，dw2为所述p型电阻的宽度修正系数，pvb2为所述第四修正系数，lpvb2为所述第五修正系数，wpvb2为所述第六修正系数，vbody为衬底电压，vp1为所述p型电阻的第一端点的电压，vp2为所述p型电阻的第二端点的电压。
28、第二方面，本申请提供一种减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模系统，该建模系统包括：
29、数据获取单元，用于获取n型电阻的第一影响参数和p型电阻的第二影响参数；
30、第一建模单元，用于根据所述第一影响参数和所述第二影响参数分别对所述n型电阻和所述p型电阻进行建模，以得到所述n型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第一对应关系，以及所述p型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第二对应关系；
31、第二建模单元，用于将所述n型电阻和所述p型电阻串联得到电阻体，对所述电阻体建模，并根据所述第一对应关系和所述第二对应关系确定所述电阻体中所述n型电阻与所述p型电阻的比例关系；
32、参数设定单元，用于根据所述比例关系和所述电阻体的目标电阻值确定所述电阻体的设计参数。
33、上述减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法和系统，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述将所述N型电阻和所述P型电阻串联得到电阻体，对所述电阻体建模，并根据所述第一对应关系和所述第二对应关系确定所述电阻体中所述N型电阻与所述P型电阻的比例关系的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述N型电阻与所述P型电阻的比例关系等于所述第二系数和所述第一系数的比例关系。
4.根据权利要求1所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述N型电阻与所述P型电阻的比例关系为所述N型电阻的阻值与所述P型电阻的阻值之间的比例关系。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述获取N型电阻的第一影响参数和P型电阻的第二影响参数的步骤，包括：
6.根据权利要求5所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述第一实测数据至少包括：所述N型电阻的长度、所述N型电
7.根据权利要求1-4中任一项所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述第一影响参数至少包括：预设尺寸下的所述N型电阻与衬底电压之间的第一修正系数，不同长度所述N型电阻与衬底电压之间的第二修正系数，不同宽度所述N型电阻与衬底电压之间的第三修正系数；
8.根据权利要求7所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述根据所述第一影响参数和所述第二影响参数分别对所述N型电阻和所述P型电阻进行建模，以得到所述N型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第一对应关系，以及所述P型电阻的电阻值和不同衬底电压之间的第二对应关系的步骤，包括：
9.根据权利要求8所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述第一影响参数、所述N型电阻的方块阻值、所述N型电阻的长度修正系数和所述N型电阻的宽度修正系数之间的关系满足第一模型公式，所述第一模型公式如下：
10.一种减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模系统，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述将所述n型电阻和所述p型电阻串联得到电阻体，对所述电阻体建模，并根据所述第一对应关系和所述第二对应关系确定所述电阻体中所述n型电阻与所述p型电阻的比例关系的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述n型电阻与所述p型电阻的比例关系等于所述第二系数和所述第一系数的比例关系。
4.根据权利要求1所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述n型电阻与所述p型电阻的比例关系为所述n型电阻的阻值与所述p型电阻的阻值之间的比例关系。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述获取n型电阻的第一影响参数和p型电阻的第二影响参数的步骤，包括：
6.根据权利要求5所述的减小衬底电压对电阻体阻值影响的建模方法，其特征在于，所述第一实测数据至少包括：所述n型电阻的长度、所述n型电阻的宽度、所述n型电...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩晓婷，刘新新，郭硕硕，李新红，张心凤，沈丽君，杨洋，孙岩杰，常晶晶，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。