【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种用于对探针进行监测的方法、半导体设备及存储介质。
技术介绍
1、半导体制作过程中包括许多制程工艺，为了确保制程可靠性，需要在工作制程完成后对制程形成的结构的形貌进行测量。比如，通过afm(atomic force microscope，原子力显微镜)对形成的图形进行探测，以量测形成的图形的形貌和尺寸是否符合预设的目标图形。在对图形的形貌和尺寸进行量测的过程中，当采用接触式成像模式时，afm设备上的探针会受到损耗，当探针的磨损情况达到一定程度时已经无法再进行准确测量，比如，在使用探针对孔的形貌进行量测时，受到孔的宽度和深度影响，如果探针端部的宽度过宽，导致探针无法伸入到孔的底部进行测量，造成测量结果异常。因此，需要对探针的形貌进行监测，以确保使用探针进行量测的准确性。
2、目前，对探针的形貌监测方法通常是采用探针对已知尺寸的标准样品进行量测，进而根据探针对标准样品的量测结果和标准样品的实际尺寸拟合为探针形貌，进而确定探针的形貌，判断探针是否能够用于相关制程的测量。然而，该方法只能在探针进行量测之前进行，无法在探针进行量测的工作过程中实时监测探针的状态，从而无法准确确定更换探针的合适时机，有可能造成探针的实际使用寿命远小于理论寿命，无法达到探针的最大利用率；还有可能造成探针的尺寸出现异常已经无法继续用于相关制程的量测过程，但探针却仍然在继续使用，造成制程图形的形貌量测结果不准确。
3、同时，量测过程存在较多的不确定性，当量测结果出现异常时，因为无法实时监测探针的尺寸，要确定是否是
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开提供了一种用于对探针进行监测的方法、半导体设备及存储介质。
3、根据本公开的第一方面，提供了一种用于对探针进行监测的方法，所述用于对探针进行监测的方法包括：
4、获取目标参考值，所述目标参考值基于目标制程形成的第一图形或第一形貌确定；
5、控制目标探针对所述目标制程形成的待测图形或待测形貌进行测量，以获取所述目标探针的测量信息；
6、所述测量信息与所述目标参考值的差值小于或等于第一阈值时，对所述目标探针进行更换，其中，所述第一阈值大于或等于零。
7、根据本公开的一些实施例，所述用于对探针进行监测的方法还包括：
8、所述测量信息与所述目标参考信息的差值大于所述第一阈值时，控制所述目标探针继续进行测量。
9、根据本公开的一些实施例，所述目标制程形成的第一图形或第一形貌包括凹陷区域，获取目标参考值，包括：
10、获取所述目标制程的目标凹陷宽度；
11、获取所述目标制程形成的凹陷区域被测量时允许使用的探针极限宽度；
12、基于所述目标凹陷宽度和所述探针极限宽度，获得所述目标参考值。
13、根据本公开的一些实施例，获取所述目标制程形成的凹陷区域被测量时允许使用的探针极限宽度，包括：
14、获取配置信息，所述配置信息用于表征制程与该制程形成的凹陷区域被测量时允许使用的探针极限宽度的对应关系；
15、基于所述目标制程和所述配置信息，获得所述目标制程对应的所述探针极限宽度。
16、根据本公开的一些实施例，基于所述目标凹陷宽度和所述探针极限宽度，获得所述目标参考值，包括：
17、所述目标参考值为所述目标凹陷宽度与所述探针极限宽度的差值。
18、根据本公开的一些实施例，建立所述配置信息的方法包括：
19、获取晶圆样本加工过程中涉及到的全部制程，以及每一所述制程形成的凹陷区域的凹陷宽度；
20、基于每一所述制程，控制多个宽度不同的探针对所述制程形成的凹陷区域进行测量，获得多个样本测量值；
21、基于每一所述制程，从多个所述样本测量值中选择满足预设要求的样本测量值所对应的探针的宽度作为所述探针极限宽度；
22、建立所述全部制程中每一所述制程与所述探针极限宽度的对应关系，获得所述配置信息。
23、根据本公开的一些实施例，从对应的多个所述样本测量值中选择满足预设要求的样本测量值所对应的探针的宽度作为所述探针极限宽度，包括：
24、从多个所述样本测量值中，选择大于样本宽度的至少一个所述样本测量值中数值最小的所述样本测量值所对应的探针的宽度作为所述探针极限宽度。
25、根据本公开的一些实施例，所述用于对探针进行监测的方法还包括：
26、所述测量信息与所述目标参考值的差值小于或等于所述第一阈值时，获取所述目标探针的测量工艺信息；
27、若所述测量工艺信息符合预设条件，对所述目标探针进行更换。
28、根据本公开的一些实施例，所述用于对探针进行监测的方法还包括：
29、若所述测量工艺信息不符合预设条件，对所述测量工艺信息进行调整；
30、控制所述目标探针基于调整后的测量工艺信息再次对所述目标制程形成的待测图形或待测形貌进行测量。
31、根据本公开的一些实施例，获取所述目标探针的测量工艺信息，包括：
32、采集所述目标探针对所述目标制程形成的待测图形或待测形貌测量过程的图像信息；
33、基于所述图像信息，获得所述测量工艺信息。
34、根据本公开的一些实施例，所述目标参考值大于所述目标制程形成的第一图形或第一形貌被测量时允许使用的探针的极限宽度。
35、根据本公开的一些实施例，所述用于对探针进行监测的方法包括：
36、记录所述目标探针的工作寿命，所述工作寿命为自所述目标探针开始工作时刻起至被更换时刻止的工作时长；
37、记录所述目标探针的工作寿命期间，所述目标探针测量的晶圆的数量；
38、建立所述晶圆的数量、所述目标探针的工作时长以及所述目标制程的对应关系，生成预警参考信息。
39、根据本公开的一些实施例，所述用于对探针进行监测的方法还包括：
40、监测所述目标探针的工作时长；
41、基于所述目标探针的工作时长和所述预警参考信息，在所述目标探针需要进行更换之前发出预警信息。
42、根据本公开的第二方面，提供了一种半导体设备，所述半导体设备用于实现本公开第一方面所述的用于对探针进行监测的方法。
43、根据本公开的第三方面，提供了一种非临时性计算机可读存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被半导体设备的处理器调用时，使得所述半导体设备能够执行本公开第一方面所述的用于对探针进行监测的方法。
44、本公开提供的用于对探针进行监测的方法、半导体设备本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述用于对探针进行监测的方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述用于对探针进行监测的方法还包括：
3.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述目标制程形成的第一图形或第一形貌包括凹陷区域，获取目标参考值，包括：
4.根据权利要求3所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，获取所述目标制程形成的凹陷区域被测量时允许使用的探针极限宽度，包括：
5.根据权利要求4所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，基于所述目标凹陷宽度和所述探针极限宽度，获得所述目标参考值，包括：
6.根据权利要求4所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，建立所述配置信息的方法包括：
7.根据权利要求6所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，从对应的多个所述样本测量值中选择满足预设要求的样本测量值所对应的探针的宽度作为所述探针极限宽度，包括：
8.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述用于对
9.根据权利要求8所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述用于对探针进行监测的方法还包括：
10.根据权利要求8所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，获取所述目标探针的测量工艺信息，包括：
11.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述目标参考值大于所述目标制程形成的第一图形或第一形貌被测量时允许使用的探针极限宽度。
12.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述用于对探针进行监测的方法包括：
13.根据权利要求12所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述用于对探针进行监测的方法还包括：
14.一种半导体设备，其特征在于，所述半导体设备用于实现如权利要求1至13任一项所述的用于对探针进行监测的方法。
15.一种非临时性计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被半导体设备的处理器调用时，使得所述半导体设备能够执行如权利要求1至13任一项所述的用于对探针进行监测的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述用于对探针进行监测的方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述用于对探针进行监测的方法还包括：
3.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述目标制程形成的第一图形或第一形貌包括凹陷区域，获取目标参考值，包括：
4.根据权利要求3所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，获取所述目标制程形成的凹陷区域被测量时允许使用的探针极限宽度，包括：
5.根据权利要求4所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，基于所述目标凹陷宽度和所述探针极限宽度，获得所述目标参考值，包括：
6.根据权利要求4所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，建立所述配置信息的方法包括：
7.根据权利要求6所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，从对应的多个所述样本测量值中选择满足预设要求的样本测量值所对应的探针的宽度作为所述探针极限宽度，包括：
8.根据权利要求1所述的用于对探针进行监测的方法，其特征在于，所述用于对探针...
【专利技术属性】
技术研发人员：岑志婷，王士欣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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