【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法。
技术介绍
1、在半导体器件的制造工艺中，需通过检测工艺窗口(process window check)保证制程的正常运行。在生长过程中，湿法机台不同的作业时间对wafe inline数据有很大的影响，通常通过改变chemical(也即是刻蚀液)作业时长等条件判断其对inline thk、cd和wat的影响，从而判断是否符合客户要求的作业范围。而现有方法是使用多片晶圆分别在不同的条件下进行作业，然后再对多片晶圆分别进行inline量测，然而，上述做法存在效率较低且成本较高的问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，用于解决现有的采用多片晶圆进行作业易导致效率较低且成本较高的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，所述方法包括：
3、提供一片晶圆，并将其置于湿法刻蚀机台内；
4、将晶圆分为n个区域，且从晶圆边缘到晶圆中心依次为第1区域、第2区域、…、第n区域，其中，所述第1区域至所述第n-1区域为以晶圆中心为中心点的环形区域；
5、对所述第1区域作业第1预设时长的刻蚀液；
6、从所述第2区域到所述第n区域按顺序依次对各区域进行刻蚀液的作业，且对第i区域作业第i预设时长的刻蚀液时，在离心力的作用下刻蚀液同样作业于第i-1区域至所
7、其中，于晶圆各区域作业刻蚀液时，晶圆处于高速旋转状态，且n为大于等于2的正整数，2≤i≤n。
8、可选地，选取n个预设半径将晶圆分为n个区域，其中，从晶圆边缘到晶圆中心依次为第1预设半径、第2预设半径、…、第n预设半径，且所述第n预设半径的值为0。
9、可选地，对所述第1区域作业所述第1预设时长的方法包括：
10、将所述湿法刻蚀机台内的喷嘴置于所述第1预设半径处；
11、所述喷嘴喷出的刻蚀液在离心力的作用下作业于所述第1区域。
12、可选地，从所述第2区域到所述第n区域按顺序依次对各区域进行刻蚀液的作业的方法包括：
13、将所述湿法刻蚀机台内的喷嘴置于所述第i预设半径处；
14、所述喷嘴喷出的刻蚀液在离心力的作用下作业于所述第i区域，并作业于所述i-1区域至所述第1区域。
15、可选地，在利用所述喷嘴喷刻蚀液时，所述喷嘴固定于晶圆的上方。
16、可选地，晶圆的尺寸包括12英寸。
17、如上所述，本专利技术的湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，由于在一片晶圆的某一位置固定喷嘴作业刻蚀液，刻蚀液在离心力的作用下仅向晶圆外侧扩散进行作业，因此，在不同位置作业刻蚀液会使得晶圆接触到的刻蚀液的区域不同，从而使得不同的半径区域内刻蚀液作业的条件(也即是作业时间)不同，通过上述方法可在同片晶圆的不同半径区域得到不同作业条件下的晶粒，从而只需对同片晶圆进行inline量测即可得到不同作业条件下的量测数据，进而提高量测效率、降低成本。
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1.一种湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，其特征在于，选取N个预设半径将晶圆分为N个区域，其中，从晶圆边缘到晶圆中心依次为第1预设半径、第2预设半径、…、第N预设半径，且所述第N预设半径的值为0。
3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，其特征在于，对所述第1区域作业所述第1预设时长的方法包括：
4.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，其特征在于，从所述第2区域到所述第N区域按顺序依次对各区域进行刻蚀液的作业的方法包括：
5.根据权利要求3或4所述的湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，其特征在于，在利用所述喷嘴喷刻蚀液时，所述喷嘴固定于晶圆的上方。
6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，其特征在于，晶圆的尺寸包括12英寸。
【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，其特征在于，选取n个预设半径将晶圆分为n个区域，其中，从晶圆边缘到晶圆中心依次为第1预设半径、第2预设半径、…、第n预设半径，且所述第n预设半径的值为0。
3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机台的工艺窗口检测的方法，其特征在于，对所述第1区域作业所述第1预设时长的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：弓琴琴，刘跃，苏亚青，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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