【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种芯片测试系统。
技术介绍
1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)是一种金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)和双极型晶体管(bipolar junction transistor，bjt)等效复合的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其融合了bjt和mosfet两种器件的优点，具有驱动功率小、饱和压降低、输入阻抗高，以及对高电压、大电流的处理能力强等特点，目前在新能源汽车和光伏等领域应用广泛。
2、在igbt的驱动电路中，门极驱动电阻发挥着重要的作用，其通过控制栅射电容的充放电速度，能够消除栅极回路中在驱动器驱动脉冲的激励下产生的栅极振荡；此外，其还能够转移驱动器中的功率损耗，调节igbt的通断速度。随着igbt产品设计技术以及工艺能力的不断提高，能够将门极驱动电阻与igbt集成在同一芯片上。
3、通常来说，集成有igbt和门极驱动电阻的晶圆上设置有测试区域，测试区域形成有测试垫(pad)，测试设备的探针卡可与测试垫连接使其接入相应的测试通道中进行测试。对于测试区域仅包含单个电阻测试垫(以下简称为“rg测试垫”)的晶圆，可通过如前述的方式，将探针卡与相应的测试垫连接，使rg测试垫和栅极(gate)测试垫接入相应的测试通道进行测试。
4、然而，为达到更好的驱动效果，igbt的开通和
技术实现思路
1、本申请提供了一种芯片测试系统，可以解决相关技术中提供的芯片测试系统需要用两种类型的探针卡分两步测量门极驱动电阻所导致的效率较低的问题。
2、所述测试系统用于对集成有门极驱动电阻和igbt的晶圆进行测试，所述晶圆上形成有栅极测试垫、第一电阻测试垫和第二电阻测试垫，所述栅极测试垫与igbt的栅极连接，所述第一电阻测试垫与第一门极驱动电阻连接，所述第二电阻测试垫与第二门极驱动电阻连接；
3、所述系统包括第一测试通道、第二测试通道、第三测试通道和探针卡，当所述系统工作时，所述探针卡上的探针分别与所述栅极测试垫、所述第一电阻测试垫以及所述第二电阻测试垫连接；
4、当需要通过所述第一电阻测试垫进行测试时，使所述第一测试通道、所述栅极测试垫、所述第一电阻测试垫和所述第二测试通道之间构成通路；
5、当需要通过所述第二电阻测试垫进行测试时，使所述第一测试通道、所述栅极测试垫、所述第二电阻测试垫和所述第三测试通道之间构成通路。
6、在一些实施例中，所述系统还包括控制电路；
7、所述第一测试通道分别与所述控制电路的漏极以及第一供电硬件连接，当所述系统工作时，所述控制电路的漏极通过探针与所述栅极测试垫电性连接；
8、所述第二测试通道分别与所述控制电路的栅极以及第二供电硬件连接，当所述系统工作时，所述控制电路的栅极通过探针与所述第一电阻测试垫电性连接；
9、所述第三测试通道分别与所述控制电路的源极以及第三供电硬件连接，当所述系统工作时，所述控制电路的漏极通过探针与所述第二电阻测试垫电性连接。
10、在一些实施例中，当需要对所述第一门极驱动电阻进行测试时，通过所述第一供电硬件向所述第一测试通道通入电流，所述第三测试通道被短接，通过所述第三供电硬件向所述第二测试通道通入电流，通过测量通路电压测量所述第一门极驱动电阻的阻值。
11、在一些实施例中，通过所述通路电压，采用开尔文测试法测量所述第一门极驱动电阻的阻值。
12、在一些实施例中，当需要对所述第二门极电阻进行测试时，通过所述第一供电硬件向所述第一测试通道通入电流，通过所述第三供电硬件向所述第三测试通道通入电流，不向所述第二测试通道通入电流，通过测量测量通路电压测量所述第二门极驱动电阻的阻值。
13、在一些实施例中，通过所述通路电压，采用开尔文测试法测量所述第二门极驱动电阻的阻值。
14、本申请技术方案，至少包括如下优点：
15、通过提供一种芯片测试系统，当其工作时，将探针卡上的探针一次性接入栅极测试垫、第一电阻测试垫以及第二电阻测试垫，当需要对第一门极驱动电阻进行测试时，控制第一测试通道、栅极测试垫、第一电阻测试垫和第二测试通道之间构成通路进行测试，当需要对第二门极电阻驱动电阻进行测试时，控制第一测试通道、栅极测试垫、第二电阻测试垫和第三测试通道之间构成通路进行测试，从而实现了仅需要一张探针卡，设计一套测试系统即可实现对包含两个门极驱动电阻的igbt集成电路进行测量，提高了测试效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片测试系统，其特征在于，所述测试系统用于对集成有门极驱动电阻和IGBT的晶圆进行测试，所述晶圆上形成有栅极测试垫、第一电阻测试垫和第二电阻测试垫，所述栅极测试垫与IGBT的栅极连接，所述第一电阻测试垫与第一门极驱动电阻连接，所述第二电阻测试垫与第二门极驱动电阻连接；
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括控制电路；
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，当需要对所述第一门极驱动电阻进行测试时，通过所述第一供电硬件向所述第一测试通道通入电流，所述第三测试通道被短接，通过所述第三供电硬件向所述第二测试通道通入电流，通过测量通路电压测量所述第一门极驱动电阻的阻值。
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，通过所述通路电压，采用开尔文测试法测量所述第一门极驱动电阻的阻值。
5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，当需要对所述第二门极电阻进行测试时，通过所述第一供电硬件向所述第一测试通道通入电流，通过所述第三供电硬件向所述第三测试通道通入电流，不向所述第二测试通道通入电流，通过测量测量通路电压测量所述第二门
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，通过所述通路电压，采用开尔文测试法测量所述第二门极驱动电阻的阻值。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片测试系统，其特征在于，所述测试系统用于对集成有门极驱动电阻和igbt的晶圆进行测试，所述晶圆上形成有栅极测试垫、第一电阻测试垫和第二电阻测试垫，所述栅极测试垫与igbt的栅极连接，所述第一电阻测试垫与第一门极驱动电阻连接，所述第二电阻测试垫与第二门极驱动电阻连接；
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括控制电路；
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，当需要对所述第一门极驱动电阻进行测试时，通过所述第一供电硬件向所述第一测试通道通入电流，所述第三测试通道被短接，通过所述第三供电硬件向所述第二测试通道通入电...
【专利技术属性】
技术研发人员：李向阳，谢晋春，李晶晶，陈培申，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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