【技术实现步骤摘要】
本申请涉及中子测量装置，特别涉及一种反冲质子望远镜。
技术介绍
1、中子参考辐射场是中子测量装置性能检测、响应校准等工作的基础，也是开展中子剂量学、微剂量学以及核数据测量等研究必不可少的技术平台。近年来国际各发达国家从事中子研究的计量校准技术机构，如德国ptb、英国npl以及日本aist和jaea等无不投入大量的人力物力投入中子参考辐射场的研究中。目前国防科技工业电离辐射一级计量站基于串列加速器建立了144kev～15mev的单能中子参考辐射场，解决了20mev以下能区中子探测器注量、剂量等参数的量值溯源。但是目前我国尚未建立20mev以上能区准单能中子参考辐射场。随着航天空间中子探测任务的需要以及地面高能质子加速器的发展，20mev以上能区准单能中子参考辐射场需求越来越突出。
2、中子注量率是中子参考辐射最重要的参数之一，只有中子注量率准确已知的参考辐射场才能用于探测器检定校准或性能测试。相关技术中，可以通过反冲质子望远镜进行中子注量率的绝对测量，反冲质子望远镜主要采用1h(n,p)弹性散射反应，这由于h在200mev以下能量范围内的反应道较为简单，仅有弹性散射一种反应，因此在200mev以下能量区间内可以用弹性散射面替代全截面，h的全截面测量方法较为简单。
3、然而，相关技术中的反冲质子望远镜只适用于20mev以下能区。而在20mev～200mev能量范围内，随着中子能量的提高，高能中子与不同结构材料之间的反应道急剧增多，导致束上高能中子对测量结构的影响增大，造成的偶然符合本底增高，导致测量的不确定度
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例的主要目的在于提供一种能够降低束上高能中子的影响的反冲质子望远镜。
2、为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
3、本申请实施例提供了一种反冲质子望远镜，用于接收中子束流，所述反冲质子望远镜包括：
4、聚乙烯转换体，所述聚乙烯转换体与所述中子束流的入射方向垂直，所述聚乙烯转换体具有位于相对两侧的入射面和背离面，所述入射面朝向所述中子束流的入射方向；
5、硅探测器，所述硅探测器位于所述聚乙烯转换体具有所述背离面的一侧，且所述硅探测器与所述聚乙烯转换体之间的夹角大于0°且小于90°；
6、闪烁体探测器，所述闪烁体探测器位于所述硅探测器背离所述聚乙烯转换体的一侧，且所述闪烁体探测器与所述硅探测器之间的夹角为0°。
7、一种实施方式中，所述反冲质子望远镜用于20mev以上能区的中子注量率测量，且所述硅探测器和所述闪烁体探测器位于所述中子束流外侧。
8、一种实施方式中，所述硅探测器与所述聚乙烯转换体之间的夹角为45°；和/或，
9、所述闪烁体探测器的中心位于所述聚乙烯转换体的中心与硅探测器的中心的连线的延长线上；和/或，
10、所述聚乙烯转换体的中心与所述中子束流的中心重合。
11、一种实施方式中，所述反冲质子望远镜还包括限束光阑，所述限束光阑设置在所述硅探测器和所述闪烁体探测器之间。
12、一种实施方式中，所述聚乙烯转换体的直径小于所述中子束流的直径。
13、一种实施方式中，所述硅探测器包括固定件和硅片，所述固定件绕设在所述硅片的周侧，以避让由所述聚乙烯转换体产生的反冲质子。
14、一种实施方式中，所述固定件为陶瓷材料。
15、一种实施方式中，所述反冲质子望远镜还包括屏蔽组件，所述屏蔽组件套设在所述硅探测器和所述闪烁体探测器的外周侧。
16、一种实施方式中，所述屏蔽组件包括铝材料层，所述铝材料层套设在所述硅探测器和所述闪烁体探测器的外周侧；和/或，
17、所述屏蔽组件包括铅砖层，所述铅砖层套设在所述硅探测器和所述闪烁体探测器的外周侧；和/或，
18、所述屏蔽组件包括含硼聚乙烯砖层，所述含硼聚乙烯砖层套设在所述硅探测器和所述闪烁体探测器的外周侧。
19、一种实施方式中，所述反冲质子望远镜包括多道分析器以及上位机，所述多道分析器分别与所述硅探测器、所述闪烁体探测器和所述上位机信号连接。
20、本申请实施例提供了一种反冲质子望远镜，用于接收中子束流，反冲质子望远镜包括聚乙烯转换体、硅探测器和闪烁体探测器。硅探测器位于聚乙烯转换体具有背离面的一侧，且硅探测器与聚乙烯转换体之间的夹角大于0°且小于90°，闪烁体探测器位于硅探测器背离聚乙烯转换体的一侧，且闪烁体探测器与硅探测器之间的夹角为0°。由此，可以降低硅探测器接收到的反冲质子的能量，从而降低闪烁体的体积，进而降低偶然符合本底。同时当反冲质子望远镜用于20mev以上能区的中子注量率测量，由于硅探测器相对聚乙烯转换体偏转了一定角度，而非平行设置，可以使得硅探测器和闪烁体探测器设置在中子束流外侧，由此，能够降低中子束流上的高能中子对硅探测器和闪烁体探测器的影响，以防止硅探测器在束上辐照损伤过大，并防止闪烁体探测器在束上计数率太高而产生信号饱和的问题，因而能够进一步降低偶然符合本底，以使本申请的反冲质子望远镜能够用于20mev以上能区的中子注量率测量，且测量的不确定度低。
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1.一种反冲质子望远镜，用于接收中子束流，其特征在于，所述反冲质子望远镜包括：
2.根据权利要求1所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述反冲质子望远镜用于20MeV以上能区的中子注量率测量，且所述硅探测器和所述闪烁体探测器位于所述中子束流外侧。
3.根据权利要求1所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述硅探测器与所述聚乙烯转换体之间的夹角为45°；和/或，
4.根据权利要求1所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述反冲质子望远镜还包括限束光阑，所述限束光阑设置在所述硅探测器和所述闪烁体探测器之间。
5.根据权利要求1所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述聚乙烯转换体的直径小于所述中子束流的直径。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述硅探测器包括固定件和硅片，所述固定件绕设在所述硅片的周侧，以避让由所述聚乙烯转换体产生的反冲质子。
7.根据权利要求6所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述固定件为陶瓷材料。
8.根据权利要求1-5任意一项所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所
9.根据权利要求8所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述屏蔽组件包括铝材料层，所述铝材料层套设在所述硅探测器和所述闪烁体探测器的外周侧；和/或，
10.根据权利要求1-5任意一项所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述反冲质子望远镜包括多道分析器以及上位机，所述多道分析器分别与所述硅探测器、所述闪烁体探测器和所述上位机信号连接。
...【技术特征摘要】
1.一种反冲质子望远镜，用于接收中子束流，其特征在于，所述反冲质子望远镜包括：
2.根据权利要求1所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述反冲质子望远镜用于20mev以上能区的中子注量率测量，且所述硅探测器和所述闪烁体探测器位于所述中子束流外侧。
3.根据权利要求1所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述硅探测器与所述聚乙烯转换体之间的夹角为45°；和/或，
4.根据权利要求1所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述反冲质子望远镜还包括限束光阑，所述限束光阑设置在所述硅探测器和所述闪烁体探测器之间。
5.根据权利要求1所述的反冲质子望远镜，其特征在于，所述聚乙烯转换体的直径小于所述中子束流的直径。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的反冲质子望远镜，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：焦听雨，李玮，秦茜，邓雪莹，王玉禧龙，李春娟，刘毅娜，韩佳佳，王志强，陈军，骆海龙，韩影，石斌，杨铭，徐新宇，段君仪，张书峰，何逾洋，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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