【技术实现步骤摘要】
本揭露与存储器技术相关。本揭露特别相关于存储器装置及其操作方法。
技术介绍
1、随着科技进步，发展出各种不同的存储器装置。在一些相关方式中，于为着读取存储器装置的读取程序中，由于位元线电压上升使得记忆胞电流快速下降，因此造成较慢的读取速度。
技术实现思路
1、本揭露的部分层面关联于一种存储器装置。存储器装置包含记忆胞阵列以及感测放大器电路。记忆胞阵列用以输出记忆胞电流。感测放大器电路与记忆胞阵列耦接以接收记忆胞电流。感测放大器电路包含运算放大器。运算放大器包含第一输入端、第二输入端和输出端。运算放大器用以在发展模式中根据记忆胞电流通过第一电容将在第一输入端的电压上拉至第一电压，并在发展模式之后的升压模式中通过第一电容和第二电容将在第一输入端的电压上拉至高于第一电压的第二电压。输出端用以根据在第一输入端的电压和在第二输入端的参考电压输出数据。
2、在一些实施例中，感测放大器电路还包含：控制电路，包含第一电容和第二电容，并且控制电路还包含：第一开关，其中第一开关的第一端耦接第一输入端；第二开关，其中第二开关的第一端在第一节点耦接第一开关的第二端和第二电容的第一端，并且第二开关的第二端在第二节点耦接第一电容的一端，其中第二电容的第二端耦接接地端；第一晶体管，耦接在第一电容的端与接地端之间。在发展模式下，第一开关和第一晶体管导通，以及第二开关关断。
3、在一些实施例中，第二电容的电容值大于第一电容的电容值。
4、在一些实施例中，控制电路还包含：第二晶体管
5、在一些实施例中，控制电路还包含耦接在记忆胞阵列与第一输入端之间的第三开关，其中在发展模式与升压模式之间的隔离模式中，第一开关、第二开关、第三开关和第一晶体管被关断。
6、在一些实施例中，在发展模式中第三开关导通，而在升压模式中第三开关关断。
7、在一些实施例中，在升压模式中第二开关导通，而第一开关和第一晶体管关断。
8、在一些实施例中，控制电路还包含耦接在输出端与第一输入端之间的第三开关。在重置模式和发展模式之间的校准模式中，第三开关和第一晶体管导通，而第一开关和第二开关关断。
9、在一些实施例中，记忆胞阵列通过经选择位元线输出记忆胞电流，并且控制电路还包含耦接在经选择位元线与接地端之间的消除路径。
10、在一些实施例中，控制电路还包含多级升压电路，耦接在第二电容的第一端与第二开关的第一端之间以将在第一输入端的电压上拉到高于第二电压的第三电压。
11、在一些实施例中，多级升压电路包含多个级电路。级电路中的一者包含：第三开关，耦接于第一输入端与第二开关的第一端之间；第三电容，耦接在第二开关的第一端与接地端之间，其中第三电容和第三开关在第三节点耦接第二开关；第二晶体管，耦接在第三电容与接地端之间；以及第四开关。第四开关的第一端通过级电路中的另一者耦接第一节点，并且第四开关的第二端耦接到第三电容与第二晶体管之间的第四节点。
12、在一些实施例中，记忆胞阵列通过经选择位元线输出记忆胞电流，并且控制电路还包含耦接在经选择位元线与接地端之间的消除路径。
13、本揭露的部分层面提供一种存储器装置的操作方法。操作方法包含下述步骤：通过存储器装置中的记忆胞阵列输出记忆胞电流；通过存储器装置中的感测放大器电路接收记忆胞电流；通过在感测放大器电路中的第一电容，在发展模式中根据记忆胞电流将在感测放大器电路中的运算放大器的第一输入端电压上拉至第一电压；通过第一电容以及在感测放大器电路中的第二电容，在发展模式之后的升压模式中上拉在第一输入端的电压至高于第一电压的第二电压；以及根据在第一输入端的电压和在运算放大器的第二输入端的参考电压，通过运算放大器的输出端输出数据。
14、在一些实施例中，感测放大器电路还包含具有第一电容和第二电容的控制电路。控制电路还包含：第一开关，其中第一开关的第一端耦接第一输入端；第二开关，其中第二开关的第一端在第一节点耦接第一开关的第二端和第二电容的第一端，并且第二开关的第二端在第二节点耦接第一电容的第一端，其中第二电容的第二端耦接接地端；以及第一晶体管，耦接在第一电容的第二端与接地端之间。
15、在一些实施例中，操作方法还包含在发展模式中导通第一开关和第一晶体管；以及在发展模式中关断第二开关。
16、在一些实施例中，操作方法还包含在升压模式下导通第二开关；以及在升压模式中关断第一开关和第一晶体管。
17、在一些实施例中，操作方法还包含在发展模式和升压模式之间的隔离模式中关断第一开关、第二开关以及第一晶体管。
18、在一些实施例中，操作方法还包含在发展模式之前的重置模式中，导通第一开关和第一晶体管；以及在重置模式下关断第二开关。
19、在一些实施例中，操作方法还包含在发展模式之前的校准模式下，关断第一开关和第二开关；以及在校准模式中导通第一晶体管。
20、在一些实施例中，控制电路还包含：第三开关，耦接在记忆胞阵列与第一输入端之间，其中第一电容的第二端在第一输入端耦接第三开关。操作方法还包含：在发展模式下导通第三开关；在升压模式下关断第三开关；以及在发展模式之前的校准模式中导通第三开关。
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1.一种存储器装置，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该感测放大器电路还包含：
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该第二电容的电容值大于该第一电容的电容值。
4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含：
5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含耦接在该记忆胞阵列与该第一输入端之间的第三开关，其中在该发展模式与该升压模式之间的隔离模式中，该第一开关、该第二开关、该第三开关和该第一晶体管被关断。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中在该发展模式中该第三开关导通，而在该升压模式中该第三开关关断。
7.根据权利要求2所述的存储器装置，其中在该升压模式中第二开关导通，而该第一开关和该第一晶体管关断。
8.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含：
9.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该记忆胞阵列通过经选择位元线输出该记忆胞电流，并且该控制电路还包含：
10.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中该多级升压电路包含：
12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中该记忆胞阵列通过经选择位元线输出该记忆胞电流，并且该控制电路还包含：
13.一种存储器装置的操作方法，其特征在于，包含：
14.根据权利要求13所述的操作方法，其中该感测放大器电路还包含：
15.根据权利要求14所述的操作方法，其中，还包含：
16.根据权利要求14所述的操作方法，其中，还包含：
17.根据权利要求14所述的操作方法，其中，还包含：
18.根据权利要求14所述的操作方法，其中，还包含：
19.根据权利要求14所述的操作方法，其中，还包含：
20.根据权利要求14所述的操作方法，其中该控制电路还包含：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该感测放大器电路还包含：
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该第二电容的电容值大于该第一电容的电容值。
4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含：
5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含耦接在该记忆胞阵列与该第一输入端之间的第三开关，其中在该发展模式与该升压模式之间的隔离模式中，该第一开关、该第二开关、该第三开关和该第一晶体管被关断。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中在该发展模式中该第三开关导通，而在该升压模式中该第三开关关断。
7.根据权利要求2所述的存储器装置，其中在该升压模式中第二开关导通，而该第一开关和该第一晶体管关断。
8.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该控制电路还包含：
9.根据权利要求2所述的存储器装置，其中该记忆胞阵列通过经...
【专利技术属性】
技术研发人员：张家福，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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