【技术实现步骤摘要】
本公开涉及收容端口及包括其的基板处理装置。
技术介绍
1、半导体制造工艺之中的光刻工艺是在晶片上形成期望的图案的工艺。光刻工艺可以在连接到曝光设备以连续地执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺的旋转本地(spinnerlocal)设备中执行。旋转本地设备可以顺序地或选择性地执行六甲基二硅氮烷(hmds)工艺、涂覆工艺、烘烤工艺和显影工艺。
2、通过在涂覆工艺、显影工艺等中向基板上供应诸如涂覆体和显影液的液体来处理基板的基板处理装置包括向基板上排出液体的喷嘴以及收容端口，喷嘴在收容端口中等待的同时周期性地排出液体，以便防止当液体在喷嘴中长时间停滞时可能发生的液体的污染。
3、另一方面，需要去除喷嘴周围的异物，以便防止基板的污染。为此，可以从收容端口排出清洗液。收容端口上可以联接有歧管，以便供应清洗液。然而，需要用于安装歧管的空间，并且存在由于将收容端口和歧管彼此连接的软管的撕裂(或弯曲)而导致清洗液体泄漏的风险。此外，歧管的连接结构复杂，使得组装点的数量增加并且不容易控制流量，并且清洗液甚至被排出到多个喷嘴中的不使用的喷嘴，使得清洗液可能被浪费。因此，需要改善收容端口。
技术实现思路
1、本公开的方面提供了可以改善清洗液供应结构的收容端口及包括其的基板处理装置。
2、然而，本公开的方面不限于本文中所阐述的方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域中的普通技术人员将变得更加明显。
3、根据本公开的方面，收
4、根据本公开的方面，基板处理装置包括：基板支承单元，支承基板；喷嘴单元，包括排出处理液的多个喷嘴；以及收容端口，喷嘴单元在其中等待，其中，收容端口包括：主体，包括：第一部分，其中定位有喷嘴；以及第二部分，在第一部分下方联接到第一部分从而形成排出空间，喷嘴在排出空间中排出处理液；排出流道部，穿透第一部分，使得排出流道部的入口形成在第一部分的外侧处并且排出流道部的出口在排出空间中面对喷嘴；供应流道部，穿透主体，并且向排出流道部供应的清洗液穿过供应流道部；导入通道，穿透第二部分，并且与供应流道部汇合，并且清洗液从外部注入到导入通道；以及打开/关闭部，围绕排出流道部的入口和供应流道部的一端两者，从而在打开/关闭部与第一部分之间形成调节空间，调节空间允许排出流道部和第一流道在第一部分的外部彼此连通。
5、根据本公开的另一方面，收容端口包括：主体，包括：第一部分，其中定位有多个喷嘴；以及第二部分，在第一部分下方联接到第一部分从而形成喷嘴在其中排出处理液的排出空间，并且具有处理液通过其排出的排出孔；排出流道部，穿透第一部分，使得排出流道部的入口形成在第一部分的外侧处并且排出流道部的出口在排出空间中面对喷嘴；供应流道部，包括第一流道和第二流道，第一流道穿透第一部分并且具有暴露于第一部分的外部的一端，第二流道与第一流道连通并且穿透第二部分，且向排出流道部供应的清洗液穿过供应流道部；导入通道，穿透第二部分，并且与第二流道汇合，并且清洗液从外部注入到导入通道；打开/关闭部，围绕排出流道部的入口和第一流道的一端两者，从而在打开/关闭部与第一部分之间形成调节空间，调节空间允许排出流道部和第一流道在第一部分的外部彼此连通；以及壳体构件和压力调节构件，壳体构件具有操作空间，操作空间在基于打开/关闭部而在调节空间的相对侧上围绕打开/关闭部的同时与调节空间分隔开，且压力调节构件在操作空间中形成真空气氛，或者使操作空间的压力等于或高于排出空间的压力，并且包括在操作空间中形成真空气氛的真空线，其中，当由压力调节构件在操作空间中形成真空气氛时，压力在从排出空间朝向操作空间的方向上施加到打开/关闭部，使得调节空间扩展，并且排出流道部的入口和第一流道彼此连通，以及当由压力调节构件使操作空间的压力等于或高于排出空间的压力时，打开/关闭部恢复，或者压力在从操作空间朝向排出空间的方向上施加到打开/关闭部，使得打开/关闭部与第一部分紧密接触，并且排出流道部的入口与第一流道之间的连通被阻断。
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1.一种收容端口，包括：
2.根据权利要求1所述的收容端口，其中，所述主体包括：
3.根据权利要求2所述的收容端口，其中，所述排出流道部穿透所述第一部分，使得所述排出流道部的入口形成在所述第一部分的外侧处并且所述排出流道部的出口定位在所述排出空间中，以及
4.根据权利要求3所述的收容端口，其中，所述打开/关闭部设置为隔膜。
5.根据权利要求3所述的收容端口，其中，所述供应流道部包括：第一流道，穿透所述第一部分，并且具有暴露于所述第一部分的外部的一端；以及第二流道，与所述第一流道连通，穿透所述第二部分，并且与所述导入通道汇合，以及
6.根据权利要求5所述的收容端口，其中，所述第一流道面对所述第二流道，从而在竖直方向上形成直线区间。
7.根据权利要求6所述的收容端口，还包括第一O形环，所述第一O形环在所述第一部分与所述第二部分之间围绕所述第一流道的直线区间。
8.根据权利要求5所述的收容端口，还包括包含壳体构件和压力调节构件的控制部，所述壳体构件具有操作空间，所述操作空间形成为在基于所述打开/关闭部而
9.根据权利要求8所述的收容端口，其中，所述压力调节构件包括在所述操作空间中形成真空气氛的真空线。
10.根据权利要求9所述的收容端口，其中，所述压力调节构件还包括向所述操作空间供应空气的空气供应线。
11.根据权利要求8所述的收容端口，其中，所述壳体构件包括通孔，所述通孔具有形成有螺纹的内圆周表面，以及
12.根据权利要求11所述的收容端口，其中，所述喷嘴包括待被执行清洗的第一喷嘴和清洗被省略的第二喷嘴，
13.根据权利要求2所述的收容端口，其中，所述第一部分由金属制成，并且所述第一部分的面对所述排出空间的内圆周表面涂覆有非导体材料，以及
14.一种基板处理装置，包括：
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述供应流道部包括：
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，所述收容端口还包括包含壳体构件和压力调节构件的控制部，所述壳体构件具有操作空间，所述操作空间形成为在基于所述打开/关闭部而在所述调节空间的相对侧上围绕所述打开/关闭部的同时与所述调节空间分隔开，且所述压力调节构件在所述操作空间中形成真空气氛，或者使所述操作空间的压力等于或高于所述排出空间的压力，
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，所述壳体构件包括通孔，所述通孔具有形成有螺纹的内圆周表面，以及
18.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述处理液包括感光液，以及
19.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述打开/关闭部设置为隔膜。
20.一种收容端口，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种收容端口，包括：
2.根据权利要求1所述的收容端口，其中，所述主体包括：
3.根据权利要求2所述的收容端口，其中，所述排出流道部穿透所述第一部分，使得所述排出流道部的入口形成在所述第一部分的外侧处并且所述排出流道部的出口定位在所述排出空间中，以及
4.根据权利要求3所述的收容端口，其中，所述打开/关闭部设置为隔膜。
5.根据权利要求3所述的收容端口，其中，所述供应流道部包括：第一流道，穿透所述第一部分，并且具有暴露于所述第一部分的外部的一端；以及第二流道，与所述第一流道连通，穿透所述第二部分，并且与所述导入通道汇合，以及
6.根据权利要求5所述的收容端口，其中，所述第一流道面对所述第二流道，从而在竖直方向上形成直线区间。
7.根据权利要求6所述的收容端口，还包括第一o形环，所述第一o形环在所述第一部分与所述第二部分之间围绕所述第一流道的直线区间。
8.根据权利要求5所述的收容端口，还包括包含壳体构件和压力调节构件的控制部，所述壳体构件具有操作空间，所述操作空间形成为在基于所述打开/关闭部而在所述调节空间的相对侧上围绕所述打开/关闭部的同时与所述调节空间分隔开，且所述压力调节构件在所述操作空间中形成真空气氛，或者使所述操作空间的压力等于或高于所述排出空间的压力，
9.根据权利要求8所述的收容端口，其中，所述压力调节构件包括在所述操作空间中形成真空气氛的真空线。
10.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪南基，金益均，李在旭，朴承奎，尹太源，梁时焕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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