System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 控制电路及存储器制造技术_技高网

控制电路及存储器制造技术

技术编号:41361112 阅读:7 留言:0更新日期:2024-05-20 10:10
本公开涉及一种控制电路及存储器。控制电路包括:时序控制模块,用于接收行控制命令和第一读/写操作指令,并响应于第一读/写操作指令,基于行控制命令对应的存储单元位置信息生成第二读/写操作指令;读写控制模块,用于接收模式信号、第一读/写操作指令和第二读/写操作指令,基于模式信号的控制选择第一读/写操作指令或第二读/写操作指令,并根据选择的第一读/写操作指令控制执行对应的第一读/写操作,或根据选择的第二读/写操作指令控制执行对应的第二读/写操作。本公开可以确保测试的准确性,在测试到有存储单元失效时,可以准确筛选出存在制造缺陷的位置。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及集成电路领域,特别是涉及一种控制电路、方法及存储器。


技术介绍

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)是计算机中常用的半导体存储器件,由多个呈多行多列的存储单元及多个呈多行多列的灵敏放大器组成。现有的一种存储器如图1所示,若干行存储单元和一行灵敏放大器构成一个存储区域,存储器包括存储器阵列(未标示出)、行控制电路2’和列一码电路3’,存储器阵列包括多个存储区域1,行控制电路2’和列一码电路3’均与全部存储区域相连接。图1中以存储器中包括64各存储区域作为示例。

2、图1中行控制电路2’向各存储区域输出图2中的array(存储器阵列)位置sa(灵敏放大器)开启时间信号以打开对应的灵敏放大器对存储单元的数据进行放大,由于行控制电路2’位于存储阵列的顶部附近,其产生的array位置sa开启时间信号自存储器阵列的存储区域1向存储区域64方向传输(自上向下传输),array位置sa开启时间信号到达存储区域1的时间为图2中array位置sa开启时间的t1’时刻,array位置sa开启时间信号到达存储区域64的时间为图2中array位置sa开启时间的t1”。列译码电路3’向各存储区域输出图2中的array位置读/写信号以对执行数据放大操作的灵敏放大器执行读/写操作,array位置读信号自存储器阵列的存储区域64向存储区域1方向传输(自下向上传输),array位置读信号到达存储区域1的时间为图2中的array位置读信号的t2”,array位置读信号到达存储区域64的时间为图2中的array位置读/写信号的t2’。由此可知,array位置sa开启时间信号到达存储区域64的路径相较于array位置读信号到达存储区域64的路径多了63个存储区域的间距,从灵敏放大器开启到从灵敏放大器读/写数据的时间(t2’-t1”)过短,会导致存储区域64中的灵敏放大器还没有完全被放大,存储区域64中的存储单元通过灵敏放大器放大的数据就开始执行读操作,从而很容易导致读操作出现错误。

3、在对动态随机存储器进行测试的测试阶段,采用目前的测试电路进行测试存在在测试到有失效的存储单元时,无法确认测试到的失效是由于灵敏放大器未完全打开导致的失误,还是存储单元本身的失效而导致的测试失效,会导致测试失效误判断,不利于数据分析,不利于准确选出动态随机存储器中存在制造缺陷的点。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对上述
技术介绍
中的技术问题提供一种控制电路及存储器,能够在测试阶段,基于模式信号可以选择所需的读/写操作指令执行读/写操作,从而可以确保测试的准确性,能够在测试到失效时准确筛选出动态随机存储器中存在的制造缺陷点。

2、在第一方面,本公开提供一种控制电路,包括:

3、时序控制模块,用于接收行控制命令和第一读/写操作指令,并响应于所述第一读/写操作指令,基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成第二读/写操作指令;

4、读写控制模块,用于接收所述模式信号、第一读/写操作指令和所述第二读/写操作指令,基于模式信号的控制选择所述第一读/写操作指令或所述第二读/写操作指令,并根据选取的所述第一读/写操作指令执行对应的第一读/写操作,或根据选取的所述第二读/写操作指令执行对应的第二读/写操作。

5、可选地,所述行控制命令包括灵敏放大器开启指令及对应的行地址,所述基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成第二读/写操作指令,包括:基于所述行控制命令中的行地址对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿,并基于时序偏差补偿调整后的灵敏放大器开启指令生成所述第二读/写操作指令。

6、可选地,所述第一读/写操作指令有效时,基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成所述第二读/写操作指令,所述第一读/写操作指令无效时,不生成所述第二读/写操作指令。

7、可选地,所述行控制命令包括行控制逻辑指令及行地址,所述行控制逻辑指令包括灵敏放大器开启指令;所述时序控制模块包括:

8、接收模块,用于接收所述行控制命令及所述第一读/写操作指令,并根据所述第一读/写操作指令生成使能信号;

9、偏差调整模块,与所述接收模块相连接,用于接收所述使能信号,在所述使能信号的控制下,接收所述行控制命令,并根据所述行控制命令中的行地址对应的存储单元位置信息,对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿,生成灵敏放大器开启调整信号;

10、读写时序调整模块,与所述偏差调整模块连接,接收所述灵敏放大器开启调整信号,生成与所述灵敏放大器开启调整信号具有第一预设时间间隔的读/写时序控制信号;

11、信号生成模块,与所述读写时序调整模块相连接,用于基于所述读/写时序控制信号生成所述第二读/写操作指令。

12、可选地,所述读写时序调整模块,还用于在外部测试信号的控制下,调整第一预设时间间隔的长度。

13、可选地,所述时序控制模块还用于接收所述第一读/写操作指令对应的列地址,在所述第一读/写操作指令的控制下,基于所述行地址和所述列地址对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿。

14、可选地,所述时序控制模块包括:

15、接收模块,用于接收所述第一读/写操作指令,并根据所述第一读/写操作指令生成使能信号;

16、偏差调整模块,与所述接收模块相连接,接收所述使能信号,在所述使能信号的控制下,接收所述行控制命令及所述第一读/写操作指令对应的列地址,并基于所述行地址和所述列地址对应的存储单元位置信息,对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿,生成灵敏放大器开启调整信号;

17、读写时序调整模块,与所述偏差调整模块连接,接收所述灵敏放大器开启调整信号,生成与所述灵敏放大器开启调整信号具有第一预设时间间隔的读/写时序控制信号;

18、信号生成模块,与所述读写时序调整模块相连接,用于基于所述读/写时序控制信号生成所述第二读/写操作指令。

19、可选地,所述读写时序调整模块,还用于在外部测试信号的控制下,调整第一预设时间间隔的长度。

20、可选地,所述读写控制模块包括:

21、选择单元,用于接收所述模式信号、所述第一读/写操作指令及所述第二读/写操作指令,并根据所述模式信号的控制,选择并输出所述第一读/写操作指令或所述第二读/写操作指令;

22、列地址锁存单元,用于锁存所述第一读/写操作指令对应的列地址;

23、读写控制单元,与所述选择单元和所述列地址锁存单元连接,用于根据从选择单元接收的所述第一读/写操作指令对接收到的所述列地址对应的存储单元执行第一读/写操作,或根据从选择单元接收的所述第二读/写操作指令对接收到的所述列地址对应的存储单元执行第二读/写操作;

24、比较单元,用于在测试模式下获取所述第一读/写操作指令和所述第二读写指令命令信号之间的时间差,并输出所述时间差。...

【技术保护点】

1.一种控制电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述行控制命令包括灵敏放大器开启指令及对应的行地址,所述基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成第二读/写操作指令,包括:基于所述行控制命令中的行地址对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿,并基于时序偏差补偿调整后的灵敏放大器开启指令生成所述第二读/写操作指令。

3.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述第一读/写操作指令有效时,基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成所述第二读/写操作指令,所述第一读/写操作指令无效时,不生成所述第二读/写操作指令。

4.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述时序控制模块包括:

5.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,

6.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述时序控制模块还用于接收所述第一读/写操作指令对应的列地址,在所述第一读/写操作指令的控制下,基于所述行地址和所述列地址对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿。

7.根据权利要求6所述的控制电路,其特征在于,所述时序控制模块包括:

8.根据权利要求6所述的控制电路,其特征在于,

9.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述读写控制模块包括:

10.根据权利要求9所述的控制电路,其特征在于,

11.根据权利要求10所述的控制电路,其特征在于,还包括:

12.根据权利要求11所述的控制电路,其特征在于,所述读写电路包括:

13.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,还包括:

14.根据权利要求13所述的控制电路,其特征在于,所述行控制逻辑指令包括:行地址译码指令、预充电指令以及所述灵敏放大器开启指令。

15.根据权利要求14所述的控制电路,其特征在于,还包括:

16.根据权利要求15所述的控制电路,其特征在于,所述行控制电路包括:

17.根据权利要求13所述的控制电路,其特征在于,

18.根据权利要求17所述的控制电路,其特征在于,所述控制电路还包括:

19.一种存储器,其特征在于,包括如权利要求1至18中任一项所述的控制电路。

20.一种存储器,其特征在于,包括:

21.根据权利要求20所述的存储器,其特征在于,还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种控制电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述行控制命令包括灵敏放大器开启指令及对应的行地址,所述基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成第二读/写操作指令,包括:基于所述行控制命令中的行地址对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿,并基于时序偏差补偿调整后的灵敏放大器开启指令生成所述第二读/写操作指令。

3.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述第一读/写操作指令有效时,基于所述行控制命令对应的存储单元位置信息生成所述第二读/写操作指令,所述第一读/写操作指令无效时,不生成所述第二读/写操作指令。

4.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述时序控制模块包括:

5.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,

6.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述时序控制模块还用于接收所述第一读/写操作指令对应的列地址,在所述第一读/写操作指令的控制下,基于所述行地址和所述列地址对所述灵敏放大器开启指令进行时序偏差补偿。

7.根据权利要求6所述的控制电路,其特征在于,所述时序控制模块包括:

8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:尚为兵
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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