【技术实现步骤摘要】
本技术涉及医疗器械检测领域，特别涉及一种刺激波形检测电路、磁刺激仪电路及磁刺激仪。
技术介绍
1、磁刺激仪通常工作在这样的场景：通过电源技术将市电整流转化后对脉冲电容器充电，到达目标电压后停止充电并打开可控硅使得脉冲电容器与刺激铜线圈短接，瞬间的大电流从脉冲电容器流向铜线圈并产生较大的瞬时磁场。在不同的可控硅开关频率和不同的目标电压组合下，产生的脉冲磁场也会有所不同，从而实现医学上诊疗的目的。
2、在磁刺激仪中，脉冲电容器是较为核心的部件。它的充放电速度和容值变化会对脉冲磁场的磁感应强度产生巨大的影响。而现有的技术中，脉冲电容器基本都采用具备自愈特性的金属膜电容器，当出现击穿或漏电故障可以自动修复，但电容器的容值可能会降低。容值降低的脉冲电容器的电流值会比额定电流值低，导致瞬时磁场的磁感应通量也成比例下降。长期使用后脉冲电容器的容值衰减是一个必然结果，容值的衰减往往会带来诊疗效果的下降。
3、目前，工业领域上对脉冲电容器的检测方法大多采用定期拆机取下脉冲电容器进行单独测量。然而，这种检测方式的工作量庞大且实时性不高。
4、因此，亟需设计一种能够实时、便捷地检测脉冲电容器的容值衰减的电路。
技术实现思路
1、为解决现有工业领域上对脉冲电容器的检测方法大多采用定期拆机取下脉冲电容器进行单独测量，工作量庞大且实时性不高的问题，本技术提供了一种刺激波形检测电路、磁刺激仪电路及磁刺激仪。
2、为解决上述技术问题，本技术采用了一种刺激波形检测电路
3、在其中一个实施例中，所述运放电路包括运算放大器、第一二极管和第一电源，所述隔离电路包括隔离光耦和第二电源；所述运算放大器的负输入端接地后与所述第一二极管的正极电性连接，所述第一二极管的正极与所述运算放大器的正输入端电性连接后作为所述采样端与磁刺激仪电性连接；所述运算放大器的电源正输入端与所述第一电源电性连接，所述运算放大器的电源负输入端接地；所述运算放大器的输出端与所述隔离光耦的第一引脚电性连接，所述隔离光耦的第三引脚接地，所述隔离光耦的第四引脚与磁刺激仪电性连接，所述隔离光耦的第五引脚为所述脉冲输出端，所述隔离光耦的第六引脚与所述第二电源电性连接。
4、本技术为解决上述技术问题还提供了一种磁刺激仪电路，所述磁刺激仪电路包括mcu处理器、移相全桥电路、脉冲电容器、刺激线圈及如上述的刺激波形检测电路，所述mcu处理器分别与所述移相全桥电路、所述刺激波形检测电路、所述脉冲电容器电性连接，所述脉冲电容器还与所述移相全桥电路、所述刺激线圈、所述刺激波形检测电路电性连接，所述移相全桥电路接前端电路。
5、在其中一个实施例中，所述磁刺激仪电路进一步包括分压采样电路，所述分压采样电路与所述脉冲电容器并联，所述分压采样电路与所述mcu处理器、所述刺激波形检测电路电性连接。
6、在其中一个实施例中，所述分压采样电路为多个串联的采样电阻。
7、在其中一个实施例中，所述磁刺激仪电路进一步包括晶闸管，所述晶闸管连接在所述脉冲电容器和所述刺激线圈之间。
8、在其中一个实施例中，所述晶闸管为开关二极管。
9、在其中一个实施例中，所述刺激线圈包括第一电阻和第一电感，所述脉冲电容器包括第二电阻、第一电容、第二电容和第二二极管；所述第二电阻、所述第二二极管的负极和所述第一电容的一端接高压输入，所述第二电阻的另一端与所述第二电容的一端电性连接，所述第二电容的另一端、所述第二二极管的正极与所述第一电感的一端电性连接，所述第一电感的另一端与所述第一电阻的一端电性连接，所述第一电阻的另一端和所述第一电容的另一端接地。
10、在其中一个实施例中，所述晶闸管与所述第二二极管并联，所述晶闸管的正极接高压输入，所述晶闸管的负极与所述第一电感的一端电性连接。
11、本技术为解决上述技术问题还提供了一种磁刺激仪，所述磁刺激仪包括如上述所述的磁刺激仪电路。
12、本技术实施例提供的一种刺激波形检测电路、磁刺激仪电路及磁刺激仪，具有如下有益效果：
13、本技术实施例提供的刺激波形检测电路中，刺激波形检测电路用于检测磁刺激仪中脉冲电容器的容值，刺激波形检测电路包括运放电路和隔离电路，运放电路与隔离电路电性连接，运放电路包括采样端，运放电路包括脉冲输出端。该刺激波形检测电路解决了现有工业领域上对脉冲电容器的检测方法大多采用定期拆机取下脉冲电容器进行单独测量，工作量庞大且实时性不高的问题。相比现有传统检测方法，该技术提供的刺激波形检测电路既不对检测人员的专业素质作要求，也无需拆机，其检测更为便捷，降低了检测的工作量，实时性也得到了显著的提高。
14、本技术实施例提供的磁刺激仪电路的作用与上述刺激波形检测电路的作用相同，在此不再赘述。
15、本技术实施例提供的磁刺激仪的作用与上述磁刺激仪电路的作用相同，在此不再赘述。
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1.一种刺激波形检测电路，其特征在于：所述刺激波形检测电路用于检测磁刺激仪中脉冲电容器的容值；所述刺激波形检测电路包括运放电路和隔离电路，所述运放电路与所述隔离电路电性连接，所述运放电路包括采样端，所述运放电路包括脉冲输出端。
2.如权利要求1所述的刺激波形检测电路，其特征在于：所述运放电路包括运算放大器、第一二极管和第一电源，所述隔离电路包括隔离光耦和第二电源；
3.一种磁刺激仪电路，其特征在于：所述磁刺激仪电路包括MCU处理器、移相全桥电路、脉冲电容器、刺激线圈及如权利要求1中所述的刺激波形检测电路，所述MCU处理器分别与所述移相全桥电路、所述刺激波形检测电路、所述脉冲电容器电性连接，所述脉冲电容器还与所述移相全桥电路、所述刺激线圈、所述刺激波形检测电路电性连接，所述移相全桥电路接前端电路。
4.如权利要求3所述的磁刺激仪电路，其特征在于：所述磁刺激仪电路进一步包括分压采样电路，所述分压采样电路与所述脉冲电容器并联，所述分压采样电路与所述MCU处理器、所述刺激波形检测电路电性连接。
5.如权利要求4所述的磁刺激仪电路，其特征在于
6.如权利要求4所述的磁刺激仪电路，其特征在于：所述磁刺激仪电路进一步包括晶闸管，所述晶闸管连接在所述脉冲电容器和所述刺激线圈之间。
7.如权利要求6所述的磁刺激仪电路，其特征在于：所述晶闸管为开关二极管。
8.如权利要求6所述的磁刺激仪电路，其特征在于：所述刺激线圈包括第一电阻和第一电感，所述脉冲电容器包括第二电阻、第一电容、第二电容和第二二极管；所述第二电阻、所述第二二极管的负极和所述第一电容的一端接高压输入，所述第二电阻的另一端与所述第二电容的一端电性连接，所述第二电容的另一端、所述第二二极管的正极与所述第一电感的一端电性连接，所述第一电感的另一端与所述第一电阻的一端电性连接，所述第一电阻的另一端和所述第一电容的另一端接地。
9.如权利要求8所述的磁刺激仪电路，其特征在于：所述晶闸管与所述第二二极管并联，所述晶闸管的正极接高压输入，所述晶闸管的负极与所述第一电感的一端电性连接。
10.一种磁刺激仪，其特征在于：所述磁刺激仪包括如权利要求3-9任一项所述的磁刺激仪电路。
...【技术特征摘要】
1.一种刺激波形检测电路，其特征在于：所述刺激波形检测电路用于检测磁刺激仪中脉冲电容器的容值；所述刺激波形检测电路包括运放电路和隔离电路，所述运放电路与所述隔离电路电性连接，所述运放电路包括采样端，所述运放电路包括脉冲输出端。
2.如权利要求1所述的刺激波形检测电路，其特征在于：所述运放电路包括运算放大器、第一二极管和第一电源，所述隔离电路包括隔离光耦和第二电源；
3.一种磁刺激仪电路，其特征在于：所述磁刺激仪电路包括mcu处理器、移相全桥电路、脉冲电容器、刺激线圈及如权利要求1中所述的刺激波形检测电路，所述mcu处理器分别与所述移相全桥电路、所述刺激波形检测电路、所述脉冲电容器电性连接，所述脉冲电容器还与所述移相全桥电路、所述刺激线圈、所述刺激波形检测电路电性连接，所述移相全桥电路接前端电路。
4.如权利要求3所述的磁刺激仪电路，其特征在于：所述磁刺激仪电路进一步包括分压采样电路，所述分压采样电路与所述脉冲电容器并联，所述分压采样电路与所述mcu处理器、所述刺激波形检测电路电性连接。
5.如权利要求4所述的磁刺激仪电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢冠男，
申请(专利权)人：深圳英智科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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