【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体振荡器领域，更具体地说它是一种降低晶振共振响应的结构。
技术介绍
1、晶体振荡器是一种高精度、高稳定性的振荡器，被广泛应用于测试仪器设备、军事侦察、导航、雷达、导弹制导、卫星跟踪、宇宙通信以及时间与频率计量等领域；一般为系统提供基准信号。
2、晶体振荡器是振动敏感器件，通常在振动条件下晶振的相位噪声会恶化，尤其在车载和弹载使用时，因使用环境或设计安装位置限制，晶振在安装到某位置时实际承受到的振动量级会存在随机性响应放大，晶振振动下相位噪声会在对应频率响应区域出现严重恶化。
3、由于晶振中的晶体谐振器是影响晶振在振动条件下相位噪声恶化的主要根源，晶振的内部安装结构也会存在结构响应，一般抗振晶振在设计之初会选用抗振谐振器，内部安装结构经论证正常振动条件下无明显响应，因此晶振通过合理设计可以满足正常振动条件下的相位噪声要求；但晶振使用时,因其在某些单机或腔体内位置受整体结构影响，在某些频段存在共振响应放大，需要在晶振安装时对晶振采取减振措施，从而减小共振响应和实际施加在晶振上的振动量级。
4、因此，研发一种降低晶振共振响应的结构，来确保使用的晶振在振动响应放大的环境下正常工作，振动相位噪声满足使用要求，很有必要。
技术实现思路
1、本技术的目的是为了克服上述
技术介绍
的不足之处，而提供一种降低晶振共振响应的结构。
2、为了实现上述目的，本技术的技术方案为：一种降低晶振共振响应的结构，包括腔体、位于腔体内的晶振，其特征在于：所述晶
3、在上述技术方案中，所述底部减振垫片、长边减振垫片和短边减振垫片均通过硅橡胶与晶振粘接固定，底部减振垫片、长边减振垫片和短边减振垫片均通过硅橡胶与腔体粘接固定。
4、在上述技术方案中，所述引出端包括位于晶振左上侧的第一引出端、位于左下侧的第二引出端、位于晶振右上侧的第三引出端；所述引针包括位于腔体下侧内壁从左到右间隔布置的第一引针、第二引针、第三引针；
5、所述第一引出端通过第一绝缘导线与第一引针连接，所述第二引出端通过第二绝缘导线与第二引针连接，所述第三引出端通过第三绝缘导线与第三引针连接。
6、在上述技术方案中，所述第一绝缘导线与第一引出端连接后依次经过第一引出端右侧的第一区域、第一引出端上部、位于腔体左侧内壁上的第二区域、位于第一引针左侧的腔体下侧内壁上的第三区域与第一引针连接。
7、在上述技术方案中，所述第二绝缘导线与第二引出端连接后绕第二引出端右侧的第四区域一圈、经过位于第二引针右侧的腔体下侧内壁上的第五区域与第二引针连接。
8、在上述技术方案中，所述第三绝缘导线与第三引出端连接后依次经过第三引出端左侧的第六区域、第三引出端上部、位于腔体右侧内壁上的第七区域、位于第三引针右侧的腔体下侧内壁上的第八区域与第三引针连接。
9、在上述技术方案中，所述第一绝缘导线与第一区域之间、第一绝缘导线与第二区域之间、第一绝缘导线与第三区域之间、第二绝缘导线与第四区域之间、第二绝缘导线与第五区域之间、第三绝缘导线与第六区域之间、第三绝缘导线与第七区域之间、第三绝缘导线与第八区域之间均通过硅橡胶粘接固定。
10、在上述技术方案中，所述晶振底部通过四个底部减振垫片与腔体连接，底部减振垫片位于晶振底部的角落。
11、本技术与现有技术相比，具有以下优点：
12、1)本技术的晶振底部通过底部减振垫片四点支撑位安装在腔体中央，晶振四周用长边减振垫片和短边减振垫片与腔体内壁固定，采用绝缘导线从晶振电源、地、输出引出端连接到安装腔体的引针上。本技术在不改变晶振及使用环境的情况下，有效降低共振响应，满足晶振在特殊环境下的使用要求。
13、2)与现有减振结构相比，本技术的晶振引出端与腔体的引针的电气连接考虑到减振结构存在位移，绝缘导线走线弧长较长，受力点均有固定，在不影响结构的同时兼顾了长期可靠性。
14、3)与现有减振结构相比，本技术可以根据实际安装的位置大小，晶振的外形尺寸和重量，选择适用的硅橡胶用模具制作硅橡胶减振垫片，垫片的制作可按需求调整。该结构操作简单，方便调整，便于实现。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种降低晶振共振响应的结构，包括腔体(1)、位于腔体(1)内的晶振(2)，其特征在于：所述晶振(2)底部通过多个底部减振垫片(31)与腔体(1)连接，晶振(2)的两个长边均通过长边减振垫片(32)与腔体(1)连接，晶振(2)的两个短边均通过短边减振垫片(33)与腔体(1)连接；所述晶振(2)上的引出端(21)通过绝缘导线(4)与腔体(1)的引针(11)连接。
2.根据权利要求1所述的一种降低晶振共振响应的结构，其特征在于：所述底部减振垫片(31)、长边减振垫片(32)和短边减振垫片(33)均通过硅橡胶与晶振(2)粘接固定，底部减振垫片(31)、长边减振垫片(32)和短边减振垫片(33)均通过硅橡胶与腔体(1)粘接固定。
3.根据权利要求2所述的一种降低晶振共振响应的结构，其特征在于：所述引出端(21)包括位于晶振(2)左上侧的第一引出端(211)、位于左下侧的第二引出端(212)、位于晶振(2)右上侧的第三引出端(213)；所述引针(11)包括位于腔体(1)下侧内壁从左到右间隔布置的第一引针(111)、第二引针(112)、第三引针(113)；
<...【技术特征摘要】
1.一种降低晶振共振响应的结构，包括腔体(1)、位于腔体(1)内的晶振(2)，其特征在于：所述晶振(2)底部通过多个底部减振垫片(31)与腔体(1)连接，晶振(2)的两个长边均通过长边减振垫片(32)与腔体(1)连接，晶振(2)的两个短边均通过短边减振垫片(33)与腔体(1)连接；所述晶振(2)上的引出端(21)通过绝缘导线(4)与腔体(1)的引针(11)连接。
2.根据权利要求1所述的一种降低晶振共振响应的结构，其特征在于：所述底部减振垫片(31)、长边减振垫片(32)和短边减振垫片(33)均通过硅橡胶与晶振(2)粘接固定，底部减振垫片(31)、长边减振垫片(32)和短边减振垫片(33)均通过硅橡胶与腔体(1)粘接固定。
3.根据权利要求2所述的一种降低晶振共振响应的结构，其特征在于：所述引出端(21)包括位于晶振(2)左上侧的第一引出端(211)、位于左下侧的第二引出端(212)、位于晶振(2)右上侧的第三引出端(213)；所述引针(11)包括位于腔体(1)下侧内壁从左到右间隔布置的第一引针(111)、第二引针(112)、第三引针(113)；
4.根据权利要求3所述的一种降低晶振共振响应的结构，其特征在于：所述第一绝缘导线(41)与第一引出端(211)连接后依次经过第一引出端(211)右侧的第一区域(51)、第一引出端(211)上部、位于腔体(1)左侧内壁上的第二区域(52)、位于第一引针(111)左侧的腔体(1)下侧内壁上的第三区域(...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘东升，李勇，孟凡智，覃晓，刘智棋，
申请(专利权)人：武汉海创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。