【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，尤其涉及一种具有低交流阻抗的中心抽头片上变压器。
技术介绍
1、带有中心抽头的片上集成变压器常用于毫米波电路的设计中，如功率放大器、低噪声放大器、混频器、倍频器等电路模块。变压器常用于实现阻抗匹配、单端-差分转换等功能；在变压器线圈引入中心抽头，可以用作电源为共模电流提供低阻路径，或是为晶体管提供直流偏置。
2、现有的技术方案，电源和偏置往往从变压器外部通过一段很长的中心抽头走线连接到变压器上，给该电路模块供电或提供偏置。中心抽头走线方案会引入较大的寄生电感，这会使得在某个特殊频点下在变压器的中心抽头处看到的是一个大阻抗z，这对毫米波电路设计来说都属于非理想因素，会影响到变压器的性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种具有低交流阻抗的中心抽头片上变压器，降低了中心抽头处的阻抗，减少了电源线产生的寄生电感，提高了变压器的性能。
2、为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种具有低交流阻抗的中心抽头片上变压器，包括中心抽头、初级线圈和次级线圈；
3、所述次级线圈与所述初级线圈通过介质层间隔设置；
4、所述中心抽头与所述初级线圈电连接，所述中心抽头包括电源线、电容单元和地线；其中，
5、所述电源线与所述电容单元的一端电连接，所述地线与所述电容单元的另一端电连接。
6、在一些实施例中，所述中心抽头包括m层依次层叠设置的金属层；
7、每层所述金属层之间具有介质层，每层
8、第一层所述金属层至第m-2层所述金属层通过电连接线连接形成mom电容；
9、所述电源线通过第m层所述金属层走线，并通过对应的所述过孔与所述mom电容的一端电连接，所述地线通过第m-1层所述金属层走线，并通过对应的另一个所述过孔与所述mom电容的另一端电连接。
10、在一些实施例中，所述中心抽头的两端均设有电引出端。
11、在一些实施例中，所述中心轴头的一端设有电引出端，所述中心轴头的另一端电连接有电容器。
12、在一些实施例中，还包括基底；
13、所述具有低交流阻抗的中心抽头片上变压器设于所述基底。
14、本专利技术提供的一种具有低交流阻抗的中心抽头片上变压器的有益效果如下：
15、1、减小电源线的寄生电感。
16、2、降低了中心抽头处的阻抗。
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1.一种具有低交流阻抗的中心抽头片上变压器，其特征在于，包括中心抽头、初级线圈和次级线圈；
2.根据权利要求1所述的片上变压器，其特征在于，所述中心抽头包括M层依次层叠设置的金属层；
3.根据权利要求2所述的片上变压器，其特征在于，所述中心抽头的两端均设有电引出端。
4.根据权利要求2所述的片上变压器，其特征在于，所述中心轴头的一端设有电引出端，所述中心轴头的另一端电连接有电容器。
5.根据权利要求1所述的片上变压器，其特征在于，所述电源线和所述地线并排平行设置，所述电容单元位于所述电源线和所述地线之间与所述电源线和所述地线电连接。
6.根据权利要求1所述的片上变压器，其特征在于，还包括基底；
【技术特征摘要】
1.一种具有低交流阻抗的中心抽头片上变压器，其特征在于，包括中心抽头、初级线圈和次级线圈；
2.根据权利要求1所述的片上变压器，其特征在于，所述中心抽头包括m层依次层叠设置的金属层；
3.根据权利要求2所述的片上变压器，其特征在于，所述中心抽头的两端均设有电引出端。
4.根据权利要求2所述的片...
【专利技术属性】
技术研发人员：张语彤，韩科锋，尹睿，许灏，闫娜，
申请(专利权)人：嘉善复旦研究院，
类型：发明
国别省市：
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