【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体晶圆制造领域，尤其涉及一种石英腔内表面sin膜的去除方法。
技术介绍
1、在逻辑以及存储半导体晶圆制造工艺中，原子层沉积工艺(ald process)可以精确的控制薄膜的厚度和成分、在复杂的基体表面也能保证薄膜的均匀性，原子层沉积工艺得到广泛应用。但该工艺之后，沉积在反应室表面的薄膜清理过程是相对比较麻烦。如sin(氮化硅)膜处理工艺，采用no/f2/n2气体,利用2no+f2＝2fno,fno作为催化剂，增强f2的清洗sin的能力。同时控制fno/f2的比例来实现sin/sio2高选择比(选择性刻蚀比，是指刻蚀sin速率与刻蚀sio2速率的比值)。
2、针对以上现有技术中去除sin的工艺，存在的缺陷如下：1、no气体成本较高；2、no/f2涉及到反应的过程，比例较难控制。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种石英腔内表面sin膜的去除方法，可降低成本，且可实现sin/sio2的高刻蚀选择比。为实现上述目的，采用的技术方案如下：
2、一种石英腔内表面sin膜的去除方法，包括以下步骤：
3、步骤1、持续注入含h基的等离子体，含h基的等离子体与sin膜面生成悬挂键以实现对sin膜改性，从而弱化sin膜；
4、步骤2、基于chxfy和cf4的混合气体，持续注入混合气体的等离子体，chxfy等离子体、cf4等离子体均与sin反应以刻蚀sin；
5、步骤3、先通入o2，吹扫副产物,之后通入o2的等离子体
6、优选地，步骤2中石英腔内的温度t2，高于步骤1中石英腔内的温度t1。
7、优选地，步骤1中含h基的气体采用nh3。
8、优选地，nh3的流速范围为500～10000sccm。
9、优选地，chxfy气体为ch3f、ch2f2、chf3其中一种或几种。
10、优选地，反应室压力进行高低切换。
11、与现有技术相比，本专利技术的优点为：
12、1、无需使用no气体，降低了成本：
13、首先，含h的气体对sin膜进行改性，由于含h的气体更易于和sin反应(相比于石英)，因此提高了sin/sio2的选择性刻蚀比；
14、之后采用chxfy和cf4混合气体清洗sin；但是chxfy含h，此类刻蚀气体对sin刻蚀速率会高于对sio2的刻蚀速率，同时chxfy中f离子的减少又会降低整体的刻蚀速率，所以chxfy和cf4混合气体是平衡刻蚀速率与选择比。
15、由上，含h基的气体、chxfy和cf4混合气体，取代了价格较高的no气体，因此，降低了成本。
16、2、chxfy和cf4混合气体的比例需要控制,用来平衡整体刻蚀速率与选择比。
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1.一种石英腔内表面SIN膜的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的石英表面SIN膜的去除方法，其特征在于，步骤2中石英腔内的温度T2，高于步骤1中石英腔内的温度T1。
3.根据权利要求1所述的石英表面SIN膜的去除方法，其特征在于，步骤1中含H基的气体采用NH3。
4.根据权利要求3所述的石英腔内SIN膜的去除方法，其特征在于，NH3的流速范围为500～10000sccm。
5.根据权利要求1所述的石英表面SIN膜的去除方法，其特征在于，CHxFy气体为CH3F、CH2F2、CHF3其中一种或几种。
6.根据权利要求1所述的石英表面SIN膜的去除方法，其特征在于，反应室压力进行高低切换。
【技术特征摘要】
1.一种石英腔内表面sin膜的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的石英表面sin膜的去除方法，其特征在于，步骤2中石英腔内的温度t2，高于步骤1中石英腔内的温度t1。
3.根据权利要求1所述的石英表面sin膜的去除方法，其特征在于，步骤1中含h基的气体采用nh3。
4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨平，
申请(专利权)人：上海稷以科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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