【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关一种半导体封装构造及一种半导体封装构造的制造方法。
技术介绍
1、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)的数据速率在进入第五代双倍数据率同步动态随机存取存储器(double data rate fifth-generationsynchronous dram,ddr5 sdram)的时代后显著提升，数据速率将高达8000兆赫(megahertz,mhz)，传统的窗型球栅阵列封装结构由于利用焊接线连接存储器晶片和印刷电路板(printed circuit board,pcb)基板，因此无法在如此高的数据速率之下工作。
2、一般业界对于此的解法是将封装结构改为倒装晶片球栅阵列封装结构(flip-chip bga)，但由于倒装晶片球栅阵列封装结构必须在封装过程中，使用额外的半导体工艺去长出铜柱，让封装工艺的工艺周期与成本增加。
技术实现思路
1、本揭露的一技术态样为一种半导体封装构造。
2、根据本揭露的一实施方式，一种半导体封装构造包括基板和半导体晶片。基板包括窗口以及导电箔，窗口位于基板的中间部且穿透基板，其中基板有内侧壁环绕窗口。导电箔位于基板的上表面上，其中导电箔突出基板的内侧壁。半导体晶片位于基板的上表面上，其中导电箔位于基板与半导体晶片之间，且半导体晶片有焊接垫，且焊接垫电性连接导电箔。
3、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括模压材，位于基板的上表面上且环绕半导体晶片。
4、在本揭露的一实施方式中，模压材有一部分覆盖半导体晶片的上表面。
5、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括模压材，位于基板的窗口内且延伸至基板的下表面。
6、在本揭露的一实施方式中，模压材接触导电箔与焊接垫。
7、在本揭露的一实施方式中，导电箔的一部分与焊接垫直接位于窗口上方。
8、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括粘着层，位于半导体晶片与基板之间。
9、在本揭露的一实施方式中，粘着层位于基板的上表面上且环绕窗口。
10、在本揭露的一实施方式中，粘着层接触基板的导电箔。
11、在本揭露的一实施方式中，基板还包括导电通道，位于基板内，且穿透基板的上表面与基板的下表面。
12、在本揭露的一实施方式中，导电通道的顶端电性连接导电箔。
13、在本揭露的一实施方式中，基板还包括电性连接导电通道的底端的导电区域，且基板还包括焊料球，位于导电区域上。
14、本揭露的另一技术态样为一种半导体封装构造的制造方法。
15、根据本揭露的一实施方式，一种半导体封装构造的制造方法包括在基板的中间部形成窗口，使基板有内侧壁环绕窗口，其中基板有导电箔，位于基板的第一表面上且伸出窗口；将基板附接于半导体晶片的第一表面上，使导电箔位于基板与半导体晶片之间；以及将基板的导电箔焊接于半导体晶片的焊接垫上使导电箔电性连接半导体晶片的焊接垫。
16、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造的制造方法还包括在基板的第一表面上形成第一部分的模压材及在基板的窗口内形成第二部分的模压材，其中第一部分的模压材环绕半导体晶片且覆盖半导体晶片，且第二部分的模压材延伸至与基板的第一表面相反的第二表面。
17、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造的制造方法还包括在半导体晶片上附接粘着层，其中粘着层环绕半导体晶片的焊接垫；以及将基板附接于粘着层上。
18、在本揭露的一实施方式中，焊接基板的导电箔与半导体晶片的焊接垫的方法为超音波焊接。
19、在本揭露的一实施方式中，在基板上的中间部形成窗口的方法为冲压。
20、在本揭露的一实施方式中，基板包括位于基板内的导电通道以及位于与基板的第一表面相反的第二表面上的导电区域，且制造方法还包括将焊料球焊接在导电区域上，使焊料球电性连接导电区域。
21、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造的制造方法还包括在基板的中间部形成窗口前，在导电箔上覆盖支撑纸；以及在将基板附接于半导体晶片的第一表面前，移除支撑纸。
22、在本揭露上述实施方式中，由于半导体封装结构的基板具有窗口且导电箔突出基板环绕窗口的内侧壁，半导体晶片的焊接垫能与导电箔电性连接。如此一来，半导体封装结构不需要使用铜柱或焊接线，就能在高数据速率下运作。更甚者，半导体封装结构的制造方法中使用焊接导电箔与焊接垫来电性连接基板与半导体晶片，免去了用额外工艺长出铜柱的需要，缩短了工艺的周期与降低了工艺的成本。
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1.一种半导体封装构造，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体封装构造，其特征在于，所述模压材有一部分覆盖所述半导体晶片的所述上表面。
4.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体封装构造，其特征在于，所述模压材接触所述导电箔与所述焊接垫。
6.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，所述导电箔的一部分与所述焊接垫直接位于所述窗口上方。
7.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于，所述粘着层位于所述基板的所述上表面上且环绕所述窗口。
9.根据权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于，所述粘着层接触所述基板的所述导电箔。
10.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，所述基板还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体封装构造，其特征在于，所述导电通道的顶端
12.根据权利要求10所述的半导体封装构造，其特征在于，所述基板还包括电性连接所述导电通道的底端的导电区域，且所述基板还包括：
13.一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于，还包括：
15.根据权利要求13所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于，还包括：
16.根据权利要求13所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于，焊接所述基板的所述导电箔与所述半导体晶片的所述焊接垫的方法为超音波焊接。
17.根据权利要求13所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于，在所述基板上的所述中间部形成所述窗口的方法为冲压。
18.根据权利要求13所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于，所述基板包括位于所述基板内的导电通道以及位于与所述基板的所述第一表面相反的第二表面上的导电区域，且半导体封装构造的制造方法还包括：
19.根据权利要求13所述的半导体封装构造的制造方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装构造，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体封装构造，其特征在于，所述模压材有一部分覆盖所述半导体晶片的所述上表面。
4.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体封装构造，其特征在于，所述模压材接触所述导电箔与所述焊接垫。
6.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，所述导电箔的一部分与所述焊接垫直接位于所述窗口上方。
7.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于，所述粘着层位于所述基板的所述上表面上且环绕所述窗口。
9.根据权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于，所述粘着层接触所述基板的所述导电箔。
10.根据权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于，所述基板还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体封装构造，其特征在于，所述导电通道的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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