【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件的制备方法，特别是涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法。
技术介绍
1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)，是由双极型三极管(bipolar junction transistor，bjt)和绝缘栅型场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和电力晶体管(giant transistor，gtr)的低导通压降两方面的优点。
2、对于igbt制备工艺来讲，能够形成良好的背面金属接触对降低导通电压非常重要。在相关技术中，在激光退火后，对硅表面进行清洗，清洗后进行背面金属工艺。然而，这种方式存在以下问题：一方面导致器件漏电增大，影响器件性能；另一方面影响背面金属与硅的欧姆接触，降低器件参数的收敛性。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述至少一个技术问题提供一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法。
2、为了实现上述目的或其他目的，本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，该绝缘栅双极型晶体管的制备方法包括：
3、提供衬底；
4、对所述衬底背面进行退火；
5、清除所述衬底背面的表面氧化物；
6、对所述衬底背面进行等离子体氢处理，以还原所述衬底背面近表面层的氧化物。
7、在其中
8、在其中一个实施例中，清洗的时间为1-3min，清洗的工作温度为20-25℃，所述氢氟酸溶液的腐蚀速率为
9、在其中一个实施例中，采用射频反溅惰性气体离子进行表面物理轰击，以清除所述衬底背面的表面氧化物。
10、在其中一个实施例中，采用等离子体氢处理设备对所述衬底背面进行等离子体氢处理；
11、其中，所述等离子体氢处理设备的腔室的工作压力为0.5-1.5torr，工作功率为600-1000w，工作温度为150-210℃。
12、在其中一个实施例中，所述等离子体氢处理的处理气体包括氢气和惰性气体。
13、在其中一个实施例中，所述惰性气体为氩气。
14、在其中一个实施例中，所述氢气的流量为40-70sccm，所述氩气的流量为10-30sccm。
15、在其中一个实施例中，所述等离子体氢处理的处理时间为50-200s。
16、在其中一个实施例中，所述对所述衬底背面进行退火的步骤之前，以及所述提供衬底的步骤之后，还包括：
17、于所述衬底正面形成正面结构；
18、对所述衬底背面进行减薄；
19、对所述衬底背面进行离子注入；
20、和/或，
21、所述对所述衬底背面进行等离子体氢处理，以还原所述衬底背面近表面层的氧化物的步骤之后，还包括：
22、于所述衬底背面形成背面金属层。
23、上述绝缘栅双极型晶体管的制备方法，通过对衬底背面进行等离子体氢处理。这样，等离子体态的氢离子可以将衬底浅表层中的硅氧化物(退火时形成)还原，一方面，避免了硅氧化物进一步渗透影响场截止注入浓度使器件漏电增大，进而改善了器件性能；另一方面，避免了硅氧化物影响背面金属与衬底的欧姆接触，进而降低了器件导通电压，以及提高了器件参数的收敛性；再一方面，等离子体态的氢离子不会对衬底背面造成损伤，避免了物理轰击衬底背面，防止了衬底损伤，从而避免衬底损伤影响集电极掺杂剂量，进而提高了器件参数的收敛性。
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1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液对所述衬底背面进行清洗，以清除所述衬底背面的表面氧化物。
3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，清洗的时间为1-3min，清洗的工作温度为20-25℃，所述氢氟酸溶液的腐蚀速率为
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，采用射频反溅惰性气体离子进行表面物理轰击，以清除所述衬底背面的表面氧化物。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，采用等离子体氢处理设备对所述衬底背面进行等离子体氢处理；
6.根据权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述等离子体氢处理的处理气体包括氢气和惰性气体。
7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述氢气的流量为
9.根据权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述等离子体氢处理的处理时间为50-200s。
10.根据权利要求1-4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述衬底背面进行退火的步骤之前，以及所述提供衬底的步骤之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液对所述衬底背面进行清洗，以清除所述衬底背面的表面氧化物。
3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，清洗的时间为1-3min，清洗的工作温度为20-25℃，所述氢氟酸溶液的腐蚀速率为
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，采用射频反溅惰性气体离子进行表面物理轰击，以清除所述衬底背面的表面氧化物。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，采用等离子体氢处理设备对所述衬底背面进行等离子体氢处理；<...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖魁，卞铮，严琴，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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