【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及封装，特别涉及一种堆叠封装结构和一种芯片堆叠封装方法。
技术介绍
1、目前的多层芯片堆叠封装产品中，常通过非导电膜层(non conductive film，ncf)粘结芯片，或者通过底部填充填角(mold underfill)的方式填充芯片与芯片之间。这样的堆叠和黏贴，会因为胶体散热能力弱或者间隙比较窄导致热聚集，影响产品性能。随着运算逻辑越来越高，芯片堆叠的层数越来越多，芯片散热已成为急需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的之一在于提供一种堆叠封装结构和一种芯片堆叠封装方法，能够改善堆叠封装结构中芯片的散热效果。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种堆叠封装结构。所述堆叠封装结构包括底部基板和在所述底部基板上自下而上依次堆叠的多个芯片，每个所述芯片的正面具有微凸结构；至少部分相邻的所述芯片之间设置有导热块；每个所述导热块中具有贯通孔，与所述导热块相邻且位于所述导热块上方的芯片的微凸结构伸入所述导热块的贯通孔中，并与所述导热块下方的芯片连接。
3、可选的，所述导热块包括金属板和绝缘层，所述金属板中具有第一开口，所述绝缘层环绕设置在所述第一开口内且覆盖所述第一开口的内表面，所述贯通孔位于所述绝缘层中且贯穿所述绝缘层。
4、可选的，所述导热块中具有多个所述贯通孔，与所述导热块相邻且位于所述导热块上方的芯片的正面具有多个微凸结构，且多个所述贯通孔与多个所述微凸结构的位置一一对应。
5、可选的，所述微凸结构包括
6、可选的，所述贯通孔的深度大于或等于对应的所述凸块的高度。
7、可选的，所述贯通孔的宽度大于预定伸入所述贯通孔中的凸块的宽度。
8、可选的，所述多个芯片中距离所述底部基板最远的芯片称为顶层芯片，所述顶层芯片与所述底部基板之间的芯片称为中间芯片；每个所述中间芯片的背面具有背面焊盘，与所述中间芯片相邻且位于所述中间芯片上方的芯片的微凸结构与所述中间芯片的背面焊盘连接。
9、可选的，所述导热块与相邻的芯片之间、以及靠近所述底部基板的所述导热块与所述底部基板之间均填充有导热非导电填充层。
10、本专利技术还提供一种芯片堆叠封装方法。所述芯片堆叠封装方法包括：提供底部基板；将多个芯片自下而上依次堆叠在所述底部基板上方；每个所述芯片的正面朝向所述底部基板，每个所述芯片的正面具有微凸结构，所述微凸结构与所述微凸结构下方的所述芯片或所述底部基板连接；其中，对于至少部分数量的所述芯片，在将所述芯片堆叠在所述底部基板上方前，在所述芯片的正面上设置导热块，所述导热块中具有贯通孔，所述芯片的微凸结构伸入所述贯通孔中；在将所述芯片堆叠在所述底部基板上方时，将所述芯片与所述芯片正面上的所述导热块同时安装在所述底部基板的上方。
11、可选的，所述在所述芯片的正面上设置导热块的方法包括：在所述芯片的正面上形成第一导热非导电填充层，所述芯片的微凸结构从所述第一导热非导电填充层中凸出；将所述导热块设置在所述第一导热非导电填充层上；以及在所述导热块远离所述芯片的表面设置第二导热非导电填充层。
12、可选的，所述将所述芯片与所述芯片正面上的所述导热块同时安装在所述底部基板的上方的步骤包括：将所述芯片、以及所述芯片正面上的第一导热非导电填充层、所述导热块和所述第二导热非导电填充层整体安装在所述底部基板上；所述整体安装过程中，所述第二导热非导电填充层受到挤压并填充在所述导热块与所述导热块下方的芯片或所述底部基板之间。
13、可选的，所述将所述芯片与所述芯片正面上的所述导热块同时安装在所述底部基板的上方之后，在所述导热块上表面上的空隙和所述导热块下表面下的空隙中填充导热非导电材料，并对所述导热非导电材料进行固化形成导热非导电填充层。
14、本专利技术提供的堆叠封装结构包括底部基板和在所述底部基板上自下而上依次堆叠的多个芯片，每个所述芯片的正面具有微凸结构；至少部分相邻的所述芯片之间设置有导热块；每个所述导热块中具有贯通孔，与所述导热块相邻且位于所述导热块上方的芯片的微凸结构伸入所述导热块的贯通孔中，并与所述导热块下方的芯片连接。如此在芯片之间设置导热块，有助于提高芯片的散热效果，提升芯片运行性能，进而提升产品的性能。
15、本专利技术提供的芯片堆叠封装方法包括：提供底部基板；将多个芯片自下而上依次堆叠在所述底部基板上方，每个所述芯片的正面朝向所述底部基板，每个所述芯片的正面具有微凸结构，所述微凸结构与所述微凸结构下方的所述芯片或所述底部基板连接；其中，对于至少部分数量的所述芯片，在将所述芯片堆叠在所述底部基板上方前，在所述芯片的正面上设置导热块，所述导热块中具有贯通孔，所述芯片的微凸结构伸入所述贯通孔中；在将所述芯片堆叠在所述底部基板上方时，将所述芯片与所述芯片正面上的所述导热块同时安装在所述底部基板的上方。如此，对于至少部分数量的芯片，芯片和其下方的芯片或底部基板之间设置有导热块，有助于提高芯片的散热效果，提升芯片运行性能，进而提升产品的性能。
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1.一种堆叠封装结构，其特征在于，所述堆叠封装结构包括底部基板和在所述底部基板上自下而上依次堆叠的多个芯片，每个所述芯片的正面具有微凸结构；至少部分相邻的所述芯片之间设置有导热块；每个所述导热块中具有贯通孔，与所述导热块相邻且位于所述导热块上方的芯片的微凸结构伸入所述导热块的贯通孔中，并与所述导热块下方的芯片连接。
2.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述导热块包括金属板和绝缘层，所述金属板中具有第一开口，所述绝缘层环绕设置在所述第一开口内且覆盖所述第一开口的内表面，所述贯通孔位于所述绝缘层中且贯穿所述绝缘层。
3.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述导热块中具有多个所述贯通孔，与所述导热块相邻且位于所述导热块上方的芯片的正面具有多个微凸结构，且多个所述贯通孔与多个所述微凸结构的位置一一对应。
4.如权利要求3所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述微凸结构包括位于所述芯片正面的正面焊盘和位于所述正面焊盘上的凸块，所述凸块伸入对应的所述贯通孔中并与所述贯通孔下方的芯片连接。
5.如权利要求4所述的堆叠封装结构，其
6.如权利要求4所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述贯通孔的宽度大于对应的所述微凸结构的宽度。
7.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述多个芯片中距离所述底部基板最远的芯片称为顶层芯片，所述顶层芯片与所述底部基板之间的芯片称为中间芯片；每个所述中间芯片的背面具有背面焊盘，与所述中间芯片相邻且位于所述中间芯片上方的芯片的微凸结构与所述中间芯片的背面焊盘连接。
8.如权利要求7所述的堆叠封装结构，其特征在于，每个所述中间芯片中具有贯穿所述中间芯片的硅穿孔，每个所述中间芯片的微凸结构和背面焊盘位于所述中间芯片的硅穿孔的两端。
9.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述多个芯片中靠近所述底部基板的芯片和所述底部基板之间设置有导热块，所述靠近所述底部基板的芯片的微凸结构伸入所述导热块的贯通孔中，并与所述底部基板连接。
10.如权利要求9所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述导热块与相邻的芯片之间、以及靠近所述底部基板的所述导热块与所述底部基板之间均填充有导热非导电填充层。
11.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述多个芯片中，相邻两个所述芯片之间均设置有所述导热块。
12.一种芯片堆叠封装方法，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的芯片堆叠封装方法，其特征在于，所述在所述芯片的正面上设置导热块的方法包括：
14.如权利要求13所述的芯片堆叠封装方法，其特征在于，所述将所述芯片与所述芯片正面上的所述导热块同时安装在所述底部基板的上方的步骤包括：将所述芯片、以及所述芯片正面上的第一导热非导电填充层、所述导热块和所述第二导热非导电填充层整体安装在所述底部基板上方；所述整体安装过程中，所述第二导热非导电填充层受到挤压并填充在所述导热块与所述导热块下方的芯片或所述底部基板之间。
15.如权利要求12所述的芯片堆叠封装方法，其特征在于，所述将所述芯片与所述芯片正面上的所述导热块同时安装在所述底部基板的上方之后，在所述导热块上表面上的空隙和所述导热块下表面下的空隙中填充导热非导电材料，并对所述导热非导电材料进行固化形成导热非导电填充层。
...【技术特征摘要】
1.一种堆叠封装结构，其特征在于，所述堆叠封装结构包括底部基板和在所述底部基板上自下而上依次堆叠的多个芯片，每个所述芯片的正面具有微凸结构；至少部分相邻的所述芯片之间设置有导热块；每个所述导热块中具有贯通孔，与所述导热块相邻且位于所述导热块上方的芯片的微凸结构伸入所述导热块的贯通孔中，并与所述导热块下方的芯片连接。
2.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述导热块包括金属板和绝缘层，所述金属板中具有第一开口，所述绝缘层环绕设置在所述第一开口内且覆盖所述第一开口的内表面，所述贯通孔位于所述绝缘层中且贯穿所述绝缘层。
3.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述导热块中具有多个所述贯通孔，与所述导热块相邻且位于所述导热块上方的芯片的正面具有多个微凸结构，且多个所述贯通孔与多个所述微凸结构的位置一一对应。
4.如权利要求3所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述微凸结构包括位于所述芯片正面的正面焊盘和位于所述正面焊盘上的凸块，所述凸块伸入对应的所述贯通孔中并与所述贯通孔下方的芯片连接。
5.如权利要求4所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述贯通孔的深度大于或等于对应的所述凸块的高度。
6.如权利要求4所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述贯通孔的宽度大于对应的所述微凸结构的宽度。
7.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述多个芯片中距离所述底部基板最远的芯片称为顶层芯片，所述顶层芯片与所述底部基板之间的芯片称为中间芯片；每个所述中间芯片的背面具有背面焊盘，与所述中间芯片相邻且位于所述中间芯片上方的芯片的微凸结构与所述中间芯片的背面焊盘连接。
8.如权利要求7...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐燕菲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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