【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，尤其涉及在单一芯片上整合高电子迁移率晶体管和电阻器的半导体装置，且其中电阻器为可变电阻器。
技术介绍
1、在半导体技术中，iii-v族的化合物半导体可用于形成各种集成电路装置，例如：高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)。hemt是属于具有二维电子气(two dimensional electron gas,2deg)的一种晶体管，其2deg会邻近于能隙不同的两种材料之间的接合面(亦即，异质接合面)。由于hemt并非使用掺杂区域作为晶体管的载子通道，而是使用2deg作为晶体管的载子通道，因此相较于现有的金氧半场效晶体管(mosfet)，hemt具有多种吸引人的特性，例如：高电子迁移率、以高频率传输信号的能力、高击穿电压和低导通电阻。
2、近年来，hemt由于具有优异特性而用于许多电源应用，并且在这些应用的电子电路中会将被动元件例如电阻器电连接至hemt，而电阻器通常是与hemt分开的独立元件，这使得电子电路需要较大的占位面积，并且制造上相对复杂。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出一种半导体装置，其在单一芯片上整合高电子迁移率晶体管和电阻器，利用制作高电子迁移率晶体管的化合物半导体通道层和化合物半导体阻障层的堆栈结构所产生的二维电子气(2deg)作为电阻器，在同一芯片的被动元件区形成电阻器，并且此电阻器还包含中间电极，通过施加不同的负偏压在中间电极上
2、根据本专利技术的一实施例，提供一种半导体装置，包括基底、化合物半导体通道层、化合物半导体阻障层、源极电极、栅极电极、漏极电极、第一端电极、中间电极以及第二端电极。基底包括主动元件区和被动元件区，化合物半导体通道层设置在基底上，且位于主动元件区和被动元件区，化合物半导体阻障层堆栈在化合物半导体通道层上，且位于主动元件区和被动元件区，源极电极、栅极电极和漏极电极设置在化合物半导体阻障层上，且位于主动元件区，以构成高电子迁移率晶体管，以及第一端电极、中间电极和第二端电极设置在化合物半导体阻障层上，且位于被动元件区，以构成电阻器。
3、为了让本专利技术的特征明显易懂，下文特举出实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该中间电极被施加一负偏压，且该负偏压的不同电压值使得该电阻器产生不同的电阻值。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该负偏压的电压值越高时，该电阻器的电阻值越高。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该负偏压的范围为-0.5伏特至-3.5伏特，且该电阻器的电阻值范围为1欧姆至1000欧姆。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该第一端电极和该第二端电极之间的距离为该高电子迁移率晶体管的该源极电极和该漏极电极之间的距离的1/3至1/6。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该第一端电极的底面和该第二端电极的底面位于该化合物半导体阻障层中，该中间电极的底面接触该化合物半导体阻障层的顶面。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该中间电极的组成包括金属、多晶硅或金属硅化物。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该第一端电极
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该第二端电极电耦接至该高电子迁移率晶体管的该栅极电极，且该第一端电极电耦接至一栅极驱动器。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该高电子迁移率晶体管包括一高压端晶体管或一低压端晶体管。
11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该第二端电极为电压输入端，该中间电极被施加一负偏压，且该中间电极正下方的该化合物半导体通道层中的电流密度低于该第二端电极正下方的该化合物半导体通道层中的电流密度。
12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器为二维电子气可变电阻器，且该高电子迁移率晶体管和该电阻器位于单一芯片上。
13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该第一端电极和该第二端电极与该化合物半导体通道层产生欧姆接触。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该中间电极被施加一负偏压，且该负偏压的不同电压值使得该电阻器产生不同的电阻值。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该负偏压的电压值越高时，该电阻器的电阻值越高。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该负偏压的范围为-0.5伏特至-3.5伏特，且该电阻器的电阻值范围为1欧姆至1000欧姆。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该第一端电极和该第二端电极之间的距离为该高电子迁移率晶体管的该源极电极和该漏极电极之间的距离的1/3至1/6。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该第一端电极的底面和该第二端电极的底面位于该化合物半导体阻障层中，该中间电极的底面接触该化合物半导体阻障层的顶面。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电阻器的该中间电极的组成包括金属、多晶硅或金属硅化物。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李家豪，廖志成，林柏亨，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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