一种柔性OLED衬底结构制造技术

一种柔性OLED衬底结构，自下而上依次包括：玻璃载体、UV减粘膜、PI薄膜和缓冲层。所述PI薄膜的面积大于所述UV减粘膜的面积，使所述PI薄膜包覆所述UV减粘膜。所述缓冲层，采用SiNX或SiOX。本技术通过在玻璃载体与PI薄膜之间插入UV减粘膜，初期UV减粘膜与玻璃载体粘结力大，保证在其上面制造TFT、OLED等过程中，不会剥离，后期经UV光照射后，UV减粘膜与玻璃载体之间的粘结力迅速降低，通过简单的机械剥离技术即可将柔性OLED面板与玻璃载体分离。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于显示装置的，具体是指一种柔性oled衬底结构。

技术介绍

1、现有柔性oled面板的制造工艺为：首先将聚酰亚胺(pi)薄膜固着在玻璃载体上，然后在柔性pi薄膜上制备晶体二极管(tft)和oled器件等，最后通过激光剥离技术将pi薄膜及其上制作的tft、oled器件等从玻璃载体上一同剥离下来，形成柔性oled面板。

2、激光剥离技术主要原理是将激光由玻璃载体背面入射，聚焦至玻璃载体与pi薄膜的界面处，大部分激光能量被界面处的pi薄膜吸收而发生碳化、分解，进而实现pi薄膜与玻璃载体分离。但现有激光剥离技术存在如下问题：(1)对工艺参数控制要求较高，操作不当易造成黑斑、pi灰化过度等不良；(2)激光剥离设备复杂昂贵，尤其是准分子激光设备，需特殊气体，并定期停机维护，运行成本高。

3、中国台湾工研院采用在玻璃载体与pi薄膜之间涂布一层离型层(派瑞林af4)，在器件制作完成后，利用离型层低离型力的特点，通过机械裁切方式，将pi薄膜与玻璃载体分离。虽然离型层与pi薄膜粘结力较弱，但在机械剥离时，pi薄膜仍易受到剪切力作用而损伤其上面的tft和oled器件。

4、东京大学采用在玻璃载体与pi薄膜之间沉积一层si膜(厚度6nm)，在器件制作完成后，将整个器件在400℃下退火1h，此时si原子扩散进入pi薄膜，导致pi薄膜脆化，从而容易剥离，但是采用高温退火工艺容易损伤oled器件。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题在于提供一种低成本且易剥离的柔性oled衬底结构。

2、本技术是这样实现的：

3、一种柔性oled衬底结构：自下而上依次包括：玻璃载体、uv减粘膜、pi薄膜和缓冲层。

4、进一步地，所述pi薄膜的面积大于所述uv减粘膜的面积，使所述pi薄膜包覆所述uv减粘膜。

5、进一步地，所述缓冲层，采用sinx或siox。

6、本技术的优点在于：通过在玻璃载体与pi薄膜之间插入uv减粘膜，初期uv减粘膜与玻璃载体粘结力大，保证在其上面制造tft、oled等过程中，不会剥离，后期经uv光照射后，uv减粘膜与玻璃载体之间的粘结力迅速降低，通过简单的机械剥离技术即可将柔性oled面板与玻璃载体分离。

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【技术保护点】

1.一种柔性OLED衬底结构，其特征在于：自下而上依次包括：玻璃载体、UV减粘膜、PI薄膜和缓冲层。

2.如权利要求1所述的一种柔性OLED衬底结构，其特征在于：所述PI薄膜的面积大于所述UV减粘膜的面积，使所述PI薄膜包覆所述UV减粘膜。

3.如权利要求1所述的一种柔性OLED衬底结构，其特征在于：所述缓冲层，采用SiNX或SiOX。

【技术特征摘要】

1.一种柔性oled衬底结构，其特征在于：自下而上依次包括：玻璃载体、uv减粘膜、pi薄膜和缓冲层。

2.如权利要求1所述的一种柔性oled衬底结构，其特征在于：所述pi...

【专利技术属性】
技术研发人员：林啟维，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：