半导体结构及其制备方法、射频电路、终端技术

技术编号：41338684 阅读：4 留言：0更新日期：2024-05-20 09:57

本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、射频电路、终端，涉及半导体技术领域，用于制备得到高性能半导体结构。半导体结构包括：衬底，包括集电区；基区，设置在衬底上；基区包括本征基区和外基区，本征基区与外基区的材料相同；本征基区与集电区接触；辅助层，设置在基区上；辅助层具有第一开口；层间保护层，设置在辅助层上，层间保护层具有第二开口，第二开口位于第一开口上方；层间保护层露出辅助层；发射区，设置在层间保护层上，通过第一开口和第二开口与本征基区接触。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：简中祥，徐向明，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：

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