【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种掩膜的制造方法和半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、相关技术中的一种截断工艺通过对掩膜图形进行转印实现。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的一方面，提供一种掩膜的制造方法，包括：提供掩膜层，所述掩膜层包括第一掩膜层和在所述第一掩膜层上的第二掩膜层，所述第二掩膜层具有多个掩膜部，相邻的掩膜部之间具有贯穿所述第二掩膜层的第一开口，所述多个掩膜部包括第一掩膜部、以及与所述第一掩膜部均相邻的第二掩膜部和第三掩膜部；在所述第一开口中填充绝缘部；在所述绝缘部和所述多个掩膜部上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构具有第二开口和第三开口，其中：所述第二开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第二掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠，并且与所述第一掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影不交叠，所述第三开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第三掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠，并且与所述第一掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影不交叠；以及以所述绝缘部和所述第一掩膜层为停止层，利用所述第一掩膜结构执行第一刻蚀，以截断所述第二掩膜部和所述第三掩膜部，其中，在所述第一刻蚀期间，所述第二掩膜部和所述第三掩膜部的刻蚀速率大于所述绝缘部的刻蚀速率。
2、在一些实施例中，所述第二开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第二掩膜部相邻的所述绝缘部在所述第一掩膜层上的正投影的部分交叠；和/或所述第三开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第三掩膜部相邻的所述绝缘部在所述第一掩膜层上的正投
3、在一些实施例中，提供掩膜层包括：提供初始掩膜层，所述初始掩膜层包括所述第一掩膜层和在所述第一掩膜层上的第二掩膜材料层；在所述初始掩膜层上形成具有多个第四开口的第二掩膜结构，所述多个第四开口使得所述第二掩膜材料层的多个部分暴露；利用所述第二掩膜结构对所述多个部分进行离子注入；去除所述第二掩膜结构；以及在去除所述第二掩膜结构后，利用湿法刻蚀去除所述第二掩膜材料层中除所述多个部分外的其余部分，以得到所述第二掩膜层，其中，保留的所述多个部分作为所述多个掩膜部。
4、在一些实施例中，所述多个部分在所述离子注入后与所述绝缘部之间的蚀刻选择比大于所述多个部分在所述离子注入前与所述绝缘部之间的蚀刻选择比。
5、在一些实施例中，所述多个部分在所述离子注入后与所述第一掩膜层之间的蚀刻选择比大于所述多个部分在所述离子注入前与第一掩膜层之间的蚀刻选择比。
6、在一些实施例中，所述第二掩膜材料层的材料包括非晶硅，所述离子注入的工艺参数包括：注入的离子包括硼离子；注入的离子的能量为2kev至10kev；注入的离子的剂量为4×1014atoms/cm2至4×1015atoms/cm2。
7、在一些实施例中，所述多个掩膜部与所述绝缘部之间的蚀刻选择比大于20：1。
8、在一些实施例中，所述多个掩膜部包括相邻的第四掩膜部和第五掩膜部；所述方法还包括：在所述第一刻蚀后，形成具有第五开口的第三掩膜结构，所述第五开口在所述第一掩膜层上的正投影分别与所述第四掩膜部和所述第五掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠，并且还与所述第四掩膜部和所述第五掩膜部之间的所述绝缘部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠；以及以所述第一掩膜层为停止层，利用所述第三掩膜结构执行第二刻蚀，以截断所述第四掩膜部、所述第五掩膜部以及所述第四掩膜部与所述第五掩膜部之间的所述绝缘部。
9、在一些实施例中，以所述第一掩膜层为停止层，利用所述第三掩膜结构执行第二刻蚀包括：以所述绝缘部和所述第一掩膜层为停止层，利用所述第三掩膜结构执行第一子刻蚀，以截断所述第四掩膜部和所述第五掩膜部；形成具有第六开口的第四掩膜结构，所述第六开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第四掩膜部和所述第五掩膜部之间的所述绝缘部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠；以及以所述第一掩膜层为停止层，利用所述第四掩膜结构执行第二子刻蚀，以截断所述第四掩膜部与所述第五掩膜部之间的所述绝缘部。
10、在一些实施例中，在所述第一刻蚀后得到所述第二掩膜部的截断区域和所述第三掩膜部的截断区域各自对应第一凹槽，所述第二刻蚀后得到与所述第四掩膜部、所述第五掩膜部以及所述第四掩膜部与所述第五掩膜部之间的所述绝缘部的截断区域对应第二凹槽；所述方法还包括：在所述第一凹槽和所述第二凹槽中分别填充掩膜材料；以所述第一掩膜层为停止层，去除所述多个掩膜部的剩余部分和所述绝缘部的剩余部分，并保留所述掩膜材料。
11、在一些实施例中，所述第四掩膜部和所述第五掩膜部中的一个为所述第一掩膜部，所述第四掩膜部和所述第五掩膜部中的另一个为所述第二掩膜部或所述第三掩膜部。
12、根据本公开实施例的另一方面，提供一种掩膜的制造方法，包括：提供掩膜层，所述掩膜层包括第一掩膜层和在所述第一掩膜层上的第二掩膜层，所述第二掩膜层具有多个掩膜部，相邻的掩膜部之间具有贯穿所述第二掩膜层的第一开口，所述多个掩膜部包括第一掩膜部、以及与所述第一掩膜部均相邻的第二掩膜部和第三掩膜部；在所述第一开口中填充绝缘部；在所述绝缘部和所述多个掩膜部上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构具有第二开口和第三开口，其中：所述第二开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第二掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠，并且与所述第一掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影不交叠，所述第三开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第三掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠，并且与所述第一掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影不交叠；以及以所述绝缘部和所述第一掩膜层为停止层，利用所述第一掩膜结构执行第一刻蚀，以去除所述第二掩膜部中与所述第二开口在所述第一掩膜层上的正投影交叠的部分，并去除所述第三掩膜部中与所述第三开口在所述第一掩膜层上的正投影交叠的部分，其中，在所述第一刻蚀期间，所述第二掩膜部和所述第三掩膜部的刻蚀速率大于所述绝缘部的刻蚀速率。
13、根据本公开实施例的又一方面，提供一种掩膜的制造方法，包括：提供掩膜层，所述掩膜层包括第一掩膜层和在所述第一掩膜层上的第二掩膜层，所述第二掩膜层具有多个掩膜部，相邻的掩膜部之间具有贯穿所述第二掩膜层的第一开口，所述多个掩膜部包括相邻的第一掩膜部和第二掩膜部；在所述第一开口中填充绝缘部；在所述绝缘部和所述多个掩膜部上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构具有第二开口，其中，所述第二开口在所述第一掩膜层上的正投影与所述第二掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影部分交叠，并且与所述第一掩膜部在所述第一掩膜层上的正投影不交叠；以及以所述绝缘部和所述第一掩膜层为停止层，利用所述第一掩膜结构执行刻蚀，以截断所述第二掩膜部，其中，在所述刻蚀期间，所述第二掩膜部的刻蚀速率大于所述绝缘部的刻蚀速率。
14、根据本公开实施例的还一方面，提供一种半导体器件的制造方法，包括：按照上述任意一个实施例所述的掩膜的制造方法，在位于衬底上的待刻蚀材料层上形成掩膜；以及利用所述掩膜对所述待刻蚀材本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种掩膜的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，提供掩膜层包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二掩膜材料层的材料包括非晶硅，所述离子注入的工艺参数包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个掩膜部与所述绝缘部之间的蚀刻选择比大于20：1。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其中，所述多个掩膜部包括相邻的第四掩膜部和第五掩膜部；
8.根据权利要求7所述的方法，其中，以所述第一掩膜层为停止层，利用所述第三掩膜结构执行第二刻蚀包括：
9.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第一刻蚀后得到所述第二掩膜部的截断区域和所述第三掩膜部的截断区域各自对应第一凹槽，所述第二刻蚀后得到与所述第四掩膜部、所述第五掩膜部以及所述第四掩膜部与所述第五掩膜部之间的所述绝缘部的截断区域对应第二凹槽；
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第四掩膜部和所述第五掩膜部中的一个为
11.一种掩膜的制造方法，包括：
12.一种掩膜的制造方法，包括：
13.一种半导体器件的制造方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，提供掩膜层包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二掩膜材料层的材料包括非晶硅，所述离子注入的工艺参数包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个掩膜部与所述绝缘部之间的蚀刻选择比大于20：1。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其中，所述多个掩膜部包括相邻的第四掩膜部和第五掩膜部；
8.根据权利要求7所述的方法，其中，以所述第一掩膜层为停止层，利用所述第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱岩栈，李镇全，陈光鑫，
申请(专利权)人：深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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