System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 透明导电性薄膜的制造方法技术_技高网

透明导电性薄膜的制造方法技术

技术编号:41328669 阅读:11 留言:0更新日期:2024-05-13 15:06
提供适于抑制透明导电层的由加热所引起的电阻值上升的透明导电性薄膜的制造方法。本发明专利技术的透明导电性薄膜的制造方法为制造沿厚度方向(H)依次具备长条的基材薄膜(10)和透明导电层(20)的透明导电性薄膜(X)的方法。该制造方法包括成膜工序。成膜工序中,通过使用包含非活性气体和反应性气体的混合气体的反应性溅射法,在减压气氛下在基材薄膜(10)上形成透明导电层(20)。成膜工序包括:在减压气氛中,在水分压降低后使反应性气体相对于非活性气体的混合比例降低,和/或在水分压上升后使混合比例上升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及透明导电性薄膜的制造方法


技术介绍

1、以往,已知有沿厚度方向依次具备树脂制的透明的基材薄膜和透明的导电层(透明导电层)的透明导电性薄膜。透明导电层例如作为用于形成液晶显示器、触摸面板、及太阳能电池等各种器件中的透明电极的导体膜使用。透明导电层利用卷对卷方式的溅射成膜装置形成于长条的基材薄膜上(成膜工序)。成膜工序中,例如,溅射成膜装置的成膜室内经减压后,通过反应性溅射法,在通过了该成膜室内的基材薄膜上成膜导电性氧化物。在反应性溅射法中,非活性气体与反应性气体(氧气等)的混合气体被导入至成膜室内。对于涉及这种透明导电性薄膜的技术,例如记载于下述的专利文献1中。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2017-71850号公报


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、透明导电性薄膜有时在具备该薄膜的器件的制造过程中被暴露于比较高温的加热工艺中。对这样的透明导电性薄膜的透明导电层要求事后的加热所引起的电阻值的上升不存在或电阻值的上升小。透明导电性薄膜的透明导电层的事后加热所引起的电阻值上升成为安装有该透明导电性薄膜的器件的特性不良的原因。

3、另一方面,本专利技术人等关于透明导电性薄膜的制造工艺得到如下见解。在利用卷对卷方式的上述成膜工序中,在成膜室内水分压会经时地变化。成膜室内的反应性气体的分压相对于水分压的平衡(相当于成膜室内的水与反应性气体的量的平衡)会影响在该成膜室内形成的透明导电层的、事后加热所引起的电阻值上升的有无及大小。

4、本专利技术提供适于抑制透明导电层的由加热所引起的电阻值的上升的透明导电性薄膜的制造方法。

5、用于解决问题的方案

6、本专利技术[1]包含一种透明导电性薄膜的制造方法,所述透明导电性薄膜沿厚度方向依次具备长条的基材薄膜和透明导电层,所述制造方法包括如下的成膜工序:通过使用包含非活性气体和反应性气体的混合气体的反应性溅射法,在减压气氛下在基材薄膜上形成透明导电层;前述成膜工序包括:在前述减压气氛中,在水分压降低后使前述反应性气体相对于前述非活性气体的混合比例降低,和/或在前述水分压上升后使前述混合比例上升。

7、本专利技术[2]包含上述[1]所述的透明导电性薄膜的制造方法,其中,前述透明导电层具有50nm以上的厚度。

8、本专利技术[3]包含上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜的制造方法,其中,前述透明导电层包含非晶区域和晶粒。

9、专利技术的效果

10、在本专利技术的透明导电性薄膜的制造方法中,成膜工序如上所述包括:在减压气氛中,在水分压降低后使反应性气体相对于非活性气体的混合比例降低,和/或在水分压上升后使混合比例上升。这样的透明导电性薄膜的制造方法适于确保在成膜工序中成膜室内的反应性气体的分压相对于水分压的平衡(相当于成膜室内的水与反应性气体的量的平衡)。因此,透明导电性薄膜的制造方法适于抑制透明导电层的加热所引起的电阻值上升。

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【技术保护点】

1.一种透明导电性薄膜的制造方法,所述透明导电性薄膜沿厚度方向依次具备长条的基材薄膜和透明导电层,

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法,其中,所述透明导电层具有50nm以上的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜的制造方法,其中,所述透明导电层包含非晶区域和晶粒。

【技术特征摘要】

1.一种透明导电性薄膜的制造方法,所述透明导电性薄膜沿厚度方向依次具备长条的基材薄膜和透明导电层,

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员:藤野望岩松祥平
申请(专利权)人:日东电工株式会社
类型:发明
国别省市:

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